光電子技術(shù)課后答案-免費閱讀
【正文】 答：曲線AC段屬于非自持放電，在非自持放電時，參加導(dǎo)電的電子主要是由外界催離作用（如宇宙射線、放射線、光、熱作用）造成的，當(dāng)電壓增加，電流也隨之增加并趨于飽和，C點之前稱為暗放電區(qū)，放電氣體不發(fā)光。STN－LCD的扭曲角在180186。 電子轟擊型CCD器件是將背向照明CCD當(dāng)作電子轟擊型CCD的“陽極”，光電子從電子轟擊型CCD的“光陰極”發(fā)射直接“近貼聚焦”到CCD基體上，光電子通過CCD背面進入后，硅消耗入射光子能量產(chǎn)生電子空穴對，進而發(fā)生電子轟擊半導(dǎo)體倍增，電子轟擊過程產(chǎn)生的噪聲比用微通道板倍增產(chǎn)生的噪聲低得多，與它獲得的3000倍以上增益相比是微不足到的。答：帶像增強器的CCD器件是將光圖像聚焦在像增強器的光電陰極上，再經(jīng)像增強器增強后耦合到電荷耦合器件（CCD）上實現(xiàn)微光攝像（簡稱ICCD）。 CCD輸出信號的特點是：信號電壓是在浮置電平基礎(chǔ)上的負電壓；每個電荷包的輸出占有一定的時間長度T。輸出結(jié)構(gòu)包括輸出柵OG、浮置擴散區(qū)FD、復(fù)位柵R、復(fù)位漏RD以及輸出場效應(yīng)管T等。t2時刻，φφ2為高電位，φ3為低電位，則φφ2下的兩個勢阱的空阱深度相同，但因φ1下面存儲有電荷，則φ1勢阱的實際深度比φ2電極下面的勢阱淺，φ1下面的電荷將向φ2下轉(zhuǎn)移，直到兩個勢阱中具有同樣多的電荷。因此，電荷耦合器件必須工作在瞬態(tài)和深度耗盡狀態(tài)，才能存儲電荷。CCD的輸出信號有什么特點？答：構(gòu)成CCD的基本單元是MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)電容器。所以，光熱效應(yīng)與單光子能量h的大小沒有直接關(guān)系。⑵ ，⑶ 若布喇格帶寬Df=125MHz，衍射效率降低多少？，⑷ 用公式和計算。渡越時間為：td=nL/c相位延遲因子：2. 在電光調(diào)制器中，為了得到線性調(diào)制，在調(diào)制器中插入一個l/4波片，波片的的軸向如何設(shè)置最好？若旋轉(zhuǎn)l/4波片，它所提供的直流偏置有何變化？其快慢軸與晶體的主軸x成45176。措施如下：⑴適當(dāng)?shù)剡x擇濾光片和檢偏器，以分辨無規(guī)則偏振的后向散射和有規(guī)則偏振的目標(biāo)反射。）/cm這種湍流狀態(tài)將使激光輻射在傳播過程中隨機地改變其光波參量，使光束質(zhì)量受到嚴(yán)重影響，出現(xiàn)所謂光束截面內(nèi)的強度閃爍、光束的彎曲和漂移（亦稱方向抖動）、光束彌散畸變以及空間相干性退化等現(xiàn)象，統(tǒng)稱為大氣湍流效應(yīng)。 普朗克熱輻射公式求一階導(dǎo)數(shù)，令其等于0，即可求的。若qc為輻射在被照面DAc的入射角，試計算小面源在DAc上產(chǎn)生的輻射照度。LeDAsDAcl0qsqc第2題圖用定義和求解。9. 常用的彩色膠卷一般分為日光型和燈光型。5. 何為電光晶體的半波電壓？半波電壓由晶體的那些參數(shù)決定？當(dāng)光波的兩個垂直分量Ex162。T，試計算光的旋轉(zhuǎn)角q。⑵盡可能的分開發(fā)射光源和接收器。角，從而使和兩個分量之間產(chǎn)生p/2的固定相位差。習(xí) 題4 比較光子探測器和光熱探測器在作用機理
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