華中科技大學-ic課程設(shè)計實驗報告(比例放大器設(shè)計)-免費閱讀
【正文】 采用二級差分放大器時，電路的主要參數(shù)為對 MM2 57)(21?LWuAID0對 M)(4?對 M6 6A 6()?8ZR?仿真得到的結(jié)果增益 帶寬 125KHZ GBW=10^8相角裕度約為 50176。因此， ?即 gr?由于 ? 取 830ZR?讓極點 p2 位于 處，有 ()mnLCg?? 其中 Cn3 為 3 點對地電容，包括 642,GSDBC，其中 Cgs6 占大部分。二級密勒補償運放的增益一般可以達到 60db 以上，本設(shè)計取增益為 60db，帶寬100M11最簡小信號等效電路如下：得到 10)|(|6421210 ???oomrrgA又， GSTDVI? DoIr?1?取 則 2620)(4pnGSTA??? 501?在過驅(qū)動電壓等于 時，增益遠滿足設(shè)計要求。電路如圖：V D DM 3 M 4M 2M 1I b i a sV i 1 V i 2G N D323結(jié)果如下：靜態(tài)工作點(略去不關(guān)心的參數(shù))**** mosfets subckt element 0:m1 0:m2 0:m3 0:m4 model 0:n_33 0:n_33 0:p_33 0:p_33 region Saturation Saturation Saturation Saturation id vgs vds ****** ac analysis ****** freq volt db volt phase vo vo 8 9 10 電壓增益只有 15DB，帶寬為 8M，GBW=10^710^9 無法達到指標。工藝庫提供的參數(shù)為：Tox= m Un= +02 Up= +02 圖 14cm^2/(VS) cm^2/(VS)由 0oxoxCt?? K= Cox 得 20,4?NPK為求 ?值，需要對單個 MOS 管進行輸出特性仿真。電流 Io 提供差分放大器的偏置電流。本文利用放大器的“虛短” “虛斷”的特性對比例放大器的結(jié)構(gòu)及放大器的構(gòu)成和基本參數(shù)進行了設(shè)計，其中放大器采用差分放大結(jié)構(gòu)。由于差分放大電路增益并不算高，實際中多采用 Pmos 有源負載以提高增益。這樣就相當于差模輸入放大，而共模輸入抑制。最后，由于 和 1GSTV都已確定。于是采用如下電路對放大器進行設(shè)計。1 ????將所有的驅(qū)動電壓都固定在 ，補償電容已定則取 57)(21L又因為
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