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【正文】 v9)L。 ◎ X開(kāi)頭的單字 ◎ vbV0_ 寬度 ,/eE(0 濕蝕刻系統(tǒng) ,OO s3ua 10. WAT(Wafer Accept Test) 晶片片數(shù) [,q。 Wafer Pcs(Pieces) 2. Guib 破真空 ]XhL5。 廠商 Br{D,j 1 Vacuum Gauge 2. 使用者名稱◎ V開(kāi)頭的單字 ◎ v %))Kg 使用者編號(hào) wC|Ay1:w5) 10. 0wgcFm^ 6. 均勻度 Zr3,H39。 Uniformity(U%) Q +}7{qamp。 晶片旋轉(zhuǎn)角度 KC0]es 調(diào)機(jī) j*N%b)a/  |ADM  37. P$ 晶片傳送;翻轉(zhuǎn) ).rA wQ 29. 機(jī)臺(tái)名稱 39。 rm39。 時(shí)限已到 39。 24. v tW Thickness Uniformity 18. 熱電子燈絲 U:2z~A_ O6。 終端機(jī) enxZ( ^T?$mot] 8. ,hFLz XrJ Y6 Tank 系統(tǒng)◎ T開(kāi)頭的單字 ◎1. 51. Switch ThD,Boc(o Supply  M3 x 43. Sulferic Acid(H2SO4) 40. 站別;層次 vri3[WA^ m 2|NniLvM yDBNv(dL 氫氧化鈉 FNB )5 26. *V Od X^TK(G ( Single Silicon(Si) Signal Tower d 9. 報(bào)廢 M S=ph? Scrap FOO: oSmRq _mhZK IejPZmBmh 25. 20. RHLD 逆向電流 CMc_y / m5BD ]LBn)iR Reject Recover Wafers ]n(yfT4 6. Recipe ID 速率 P2xA}+  3]9PM(Vg Range n_56 e 限制的時(shí)數(shù) XA_/*12amp。 tGzd 3\amp。t(!*x7FPK 25. Pressure 壓力 M39。21. Post Exposure Bake 曝光后烘烤 v v.]x`~ amp。16. Piece 片數(shù);張數(shù) B (h1%O1 * N u 9. Phosphorus(P) 磷 tYu*3r +ud!2S amp。XL 18. Oven 烤箱;爐子 5S_cjaw  `y}G rC: 8. Operation Number(.) 操作步驟編號(hào) FwrrWb{Lkamp。 92%l39。 g6 Notch 氮 Ghamp。 氮化物 )39。 自然氧化層 i)v~Or 12. Misalign 金屬 A5flo^r} 光罩 b+ 5OuIl ^71$/$Hm5 DvfvvX%t 2. 批貨狀態(tài) }v?Rp p UsDamp。 批貨編號(hào) ^d)bGgN 10. 8. 記錄 q ,tQM, Log 3. =k1. +Lb =l4 3Q Q 2. Iv測(cè)試 lG{M`_。 =WKwH2L(,t 5. Hydrogen Peroxide(H2O2) Hydrofluoric Acid(HF) 13. Hot Run Hold Reason 高電壓 !`NDN:8x 高電流 %sEv~ 處理 G4}Pg 39。 ◎ G開(kāi)頭的單字 ◎ nB^. 5S\ Furnace 順向電壓 _p5bWt5Cr 6. 聚焦;焦距 As9kf[] =\pK v 擴(kuò)張機(jī) [nC Vh Evaporation 錯(cuò)誤訊息 qvB$zk+]y XuAl 6. 緊急停止按鈕 Q2 0ECamp。 16. 切割 Zk8f[awk DI Water _\D51Q+ n6BK52 s7amp。 Data *E]m3。 30. Curing Crucible,Pot Cooling Water Controller 24. Contact 39。 17. W9 YREoamp。 ?o Chip Suction Pen Z`Btr7Lx45. Calibration BBAHamp。 3W nMn XXv10. 藍(lán)膜 BAq_Q24。 \O_?JdR IMqpqqJ3. 氬氣 B?:\e( $ |v%R:]N 12. Air Shower 酸 rhTqImQE 醋酸 YSwg^x  Abort Acetic Acid(CH3COOH) I+AZC%qAqG7. ^ oftHf a=BJ9. dmH  分析 nznP939。 自動(dòng)化◎ B開(kāi)頭的單字 ◎1. 烘烤 1762VfS39。 ~9. 緩沖液◎ C開(kāi)頭的單字 ◎ B~aC_C]M z(fS3. 清除 Bi\0sIK~41 Chamber Charge ~u ss Cleaning Sequence 清洗程序 2} *amp。 涂布 AH}( x`?u %|E\ (Y 2D25. m 控制器  ptjl8+) Ck5 化學(xué)汽相沉積 yV]J{=~n 生產(chǎn)周期◎ D開(kāi)頭的單字 ◎ .。  6:\~?2. Date sE[%3u[} $Lmc 部門 ba%RQ y Developer dh3ASUbM8 去離子水 /9gXe^CA Down y。 19. goX60s^_o yd {~ Equipment v(q_U_) 11. 抽出;抽風(fēng)管;排(廢)氣 j 7= HG^ Exposure FAC 廠務(wù) /%`Qt3 iG + hsGYO Forward Current 8. 鎵 QV%DdW d High Current High Voltage 界面活性劑 6}Yd*p W?.lrIM 11. \Xc4z$ 很急件 nBwbA 鹽酸 +TP:6 emcozf Idle 休息 X5JkNM^d [/7 f4= 739。 VXWtri 245Z?DWj 6. Lost 機(jī)臺(tái)是清空的,無(wú)人操作機(jī)臺(tái)或機(jī)臺(tái)沒(méi)在Run貨 (gKoPFDJk e 批貨信息 2Dki9n~/e Lot Process Status 批貨生產(chǎn)狀態(tài) f=yt39。 41_ xEVw 19. v7x5 U iFNVD8?n 9. 對(duì)偏 em0KAOP 失蹤批貨 op 2Le D~Z%!^ NHLD b039。 8. Nozzle _ORSd2yN 1. OCAP(Out Of Control Action 異常狀況處理計(jì)劃Plan) T xL/?e4 4. Online 與計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī);直接參與生產(chǎn)的人員 V$WU.*T 7. Operation Complete 操作完成 66N[$c。/DU%pHQ, 13. Optical Aligner 光對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī) QMb6JNxD%G rAYmumcBx 20. Over QTime 超過(guò)限制時(shí)間 { whpHQ 1. Parameter 參數(shù) BjV rJ 4. Passivation 護(hù)層 jm[Zfj|X 8. Peeling 剝皮;剝離 to2 b 11. Photo 黃光 I oW0\K amp。Pin 20. PN Junction PN結(jié) FtkmzA)s eo ueB~ YBW 30. Process 制程 Vdn%T:qR 33. Pump Down 抽真空 F0EOjmo ^ 品質(zhì) y3D[^ 1. GZ51 BJMr` Recipe 5. 程序名稱 /m:i)5W y_RQ5F S]z Recycle 41HN/
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