模擬電路基捶20090915第五次-免費(fèi)閱讀
【正文】 BVEBO：集電極開(kāi)路條件下，加在發(fā)射極與基極之間使得發(fā)射結(jié)反向擊穿的電壓。 按 PCmax的大小，晶體管可分為 小功率管 和 大功率管 。 2 1Toff ? ???極限參數(shù)是指 BJT安全工作時(shí)不可超過(guò)的限度。 ????? 11. 交流電流放大系數(shù) α和 ? （ 1）交流電流放大系數(shù) α 0CB CBCCEEvvd i id i i? ? ? ?????常 數(shù)（ ） （ 2）交流電流放大系數(shù) ? 0CE CECCBBvvd i id i i? ? ? ?????常 數(shù)（ ） BJT交流參數(shù) （ 3） α與 ?的關(guān)系： ????? 1（ ） （ ） = ICN/IB =（ IC－ ICBO） /IB≈IC/IB ?0CE CECCBBvvd i id i i?? ? ?????常 數(shù)例： VCE=6V時(shí)： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。 硅三極管的 ICBO要小的多，僅千分之幾到十分之幾 μA，大功率管一般也不超過(guò) μA數(shù)量級(jí)。 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域， IBICBO的曲線的下方。 常數(shù)????CEviiBC? 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ 。 放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 BJT的靜態(tài)特性曲線 特性曲線是指各電極之間的電壓與電流 之間的關(guān)系曲線 概念 輸入特性曲線 輸出特性曲線 晶體三極管的靜態(tài)特性曲線是在伏安平面上作出的反映晶體管各極直流電流與電壓關(guān)系的曲線－ 晶體管圖示儀 。所以， iB與基區(qū)少子濃度分布曲線下的面積近似成正比。 ? 控制各極電流變化的真正原因是發(fā)射結(jié)正 向電壓的變化。因此，基極電流： iB = iBN + iEP ICBO 3. 集電區(qū)收集基區(qū)非平衡少子 —— 少子抽取 ? 擴(kuò)散到達(dá)集電結(jié)邊界的基區(qū)非平衡少子（發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到 基區(qū)的自由電子），在電場(chǎng)力的作用下均被抽?。ㄆ疲? 到集電區(qū)，形成集電極電流的主要成分 iCN。 BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 B E C N N P EB RB EC IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)與外部電流 B E C N N P IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散電流 IEP可忽略。 ? 兩電流之和構(gòu)成發(fā)射極電流 iE = iEN + iEP 。當(dāng)斷開(kāi) B點(diǎn)時(shí)，微安表的讀數(shù)為 240μA，當(dāng)斷開(kāi) E點(diǎn)時(shí)，微安表的讀數(shù)為 6μA，試求該管的 和 。 ? 雙極型晶體管也是一種電壓控制器件。 兩個(gè)要點(diǎn) 三極管的放大作用，主要是依靠它的 iE通過(guò)基區(qū)傳輸，然后順利到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。 2. 集電結(jié)反偏電壓 vCE增大時(shí)，基極電流會(huì)因基區(qū) 寬調(diào)效應(yīng)而減小。當(dāng)參變量 IB增大時(shí)，上翹的斜率也會(huì)增大。因此， iC失去了對(duì) iB的控制作用。 ? 直流參數(shù) ? 直流電流放大系數(shù) 和 ? 極間反向電流 ICBO和 ICEO ? 交流參數(shù) ? 交流電流放大系數(shù) α 和 ? ? 頻率參數(shù) fβ和 fT ? 極限參數(shù) ? 集電極最大允許電流 ICmax ? 集電極最大允許功耗 PCmax ? 反向擊穿電壓 ? ? BJT主要參數(shù) 一般近似認(rèn)為： ? = ??? = ? ?1. 直流電流放大系數(shù) 和 （ 1）共基直流電流放大系數(shù) ?（ 2）共射直流電流放大系數(shù) ?? ?（ 3） 與 之間的
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1