【摘要】電線絕緣電阻測試記錄編號:06-06/(07-06/09-03)001單位工程名稱長河?瀚林綠洲1#樓分部工程名稱建筑電氣分項工程名稱電纜頭制作、接線和線路絕緣測試施工圖號電施01施工執(zhí)行標準名稱及編號江山大華建筑工程有限公司企業(yè)標準:Q/OHJ001--2002項目經(jīng)理趙法榮測試儀器型號、精度500V兆歐表試驗
2025-03-25 06:23
【摘要】7/7絕緣電阻測試記錄渝建竣-85工程名稱施工單位分項工程名稱測試日期測量儀器天氣溫度測試部位回路編號實測電阻(MΩ)線間對地
2025-03-25 07:13
【摘要】......絕緣電阻測試記錄表表(十)-3工程名程恒大名都二期-7#樓用電設(shè)備編號YD-2#用電設(shè)備型號測試儀器名稱兆歐表測試儀器型號ZC25B-3型測試日期2015-4-15
【摘要】報告人:組織培養(yǎng)條件下薰衣草多倍體誘導體系的建立項目總結(jié)及驗收報告,建立薰衣草組織培養(yǎng)再生體系,學誘導的方法和路線。本項目驗收主要指標:,并對多倍體化植株進行染色體初步鑒定。本項目執(zhí)行情況按照項目申請書及任務(wù)書相關(guān)要求,本項目成功引進并繁殖、栽培薰衣草
2025-05-09 22:38
【摘要】《高壓絕緣檢測》復(fù)習重點1、測量絕緣電阻能發(fā)現(xiàn)哪些缺陷?比較與測量泄漏電流試驗項目的異同。答:測量絕緣電阻能發(fā)現(xiàn)被試品絕緣中存在的貫通的集中性缺陷、整體性受潮或臟污。測量絕緣電阻主要項目是通過兆歐表給被試品加電壓60s時測量所得的絕緣電阻值。測量時通過測量機構(gòu)(如流比計)將泄漏電流換算成絕緣電阻值指示出來(兆歐表刻度不均勻,精度不高)。測量泄露電流主要項目是通過加直流電壓(比測
2025-06-08 00:18
【摘要】第四章雙重絕緣、加強絕緣、安全電壓和漏電保護張村峰Email:2023年5月電氣安全概述?雙重絕緣和加強絕緣是在基本絕緣的直接接觸電擊防護的基礎(chǔ)上,通過結(jié)構(gòu)上附加絕緣或加強絕緣,使之具備了間接接觸電擊防護功能的安全措施。?安全電壓和漏電保護的保護原理,本質(zhì)上都是將作用于人體的電流能量限制到?jīng)]有
2025-03-05 12:39
【摘要】第一篇: 《我與地壇》說課稿各位評委老師,大家上午好,我今天說課的題目是《我與地壇》(板書:《我與地壇》、史鐵生),下面我將從教材、教法和學法、教學過程、板書設(shè)計四個方面來對本課進行說明。 一、說...
2024-11-14 19:55
【摘要】⑴導體內(nèi)部任意點的場強為零。⑵導體表面附近的場強方向處處與表面垂直。一、靜電平衡條件2、導體外表面附近處的場強大小為3、電荷只分布在導體的表面上。推論1、導體是等勢體○靜電屏蔽接地導體殼(或金屬絲網(wǎng))外部的場不受殼內(nèi)電荷的影響。導體殼(不論接地與否)內(nèi)部的電場不受外電場的影響;電荷守恒定律靜電平衡條件電荷分布
2025-04-29 00:33
【摘要】課程主要內(nèi)容?固體晶格結(jié)構(gòu):第一章?量子力學:第二章~第三章?半導體物理:第四章~第六章?半導體器件:第七章~第十三章1緒論?什么是半導體按固體的導電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導體、半導體和絕緣體表導體、半導體和絕緣體的電阻率范圍材料導體半導體絕緣體電阻率ρ(Ωcm)<10
2025-01-13 12:25
【摘要】長方體和立方體的認識人教版小學數(shù)學三年級下冊說課稿 一、設(shè)計理念 數(shù)學學習是師生之間、學生之間互動與共同發(fā)展的過程,所以有效的學習更應(yīng)促進學生的發(fā)展。維果茨基認為:“只有當教學走在發(fā)展前面的時候,...
2024-12-05 00:30
【摘要】一、10KV架空線路的全絕緣化改造1、導線:更換10KV裸導線、更換卡脖子小截面導線。線路主干線及較大負荷支線(負荷電流大于100A)采用JKLYJ-185mm2絕緣線,較小負荷支線(負荷電流小于100A)采用JKLYJ-702絕緣線。2、接頭:導線
2025-01-06 21:10
【摘要】RVS2*RVS1*塑料絕緣控制電纜Plasticinsulatedcontrolcables本產(chǎn)品適用于交流額定電壓450/750V及以下各種動力、電器儀器及固定或移動式電氣設(shè)備的控制線路。使用特性:⑴額定電壓U0/U為450/750V。⑵電纜導體的長期允許工作溫度70℃⑶電纜敷設(shè)時的環(huán)境溫度應(yīng)不低于0℃。⑷電纜的允許彎曲半徑:
2025-07-07 13:38
【摘要】RuHuang,ime,PKU1半導體器件與工藝2022年8月RuHuang,ime,PKU2?半導體器件?IC的基礎(chǔ)?數(shù)字集成電路建庫等?模擬集成電路、射頻集成電路設(shè)計?側(cè)重工作原理、特性分析、模型RuHuang,ime,PKU3半導體器件方面的課程內(nèi)容
2025-05-06 12:44
【摘要】半導體制冷原理及應(yīng)用xxx(xxxx,xx?學院,xx?省,xx?市,郵編)摘要:現(xiàn)如今,熱電材料的出現(xiàn)以及熱電效應(yīng)的開發(fā)應(yīng)用使得人類對于一些低品位熱能的更好利用成為可能。其中,半導體制冷已經(jīng)漸漸成為熱電模塊中不容小視的一部分,并得到了廣泛的應(yīng)用。本文主要介紹了半導體制冷器的基本原理,并對涉及到制冷器的有關(guān)公式進行了簡單的推導,對半導體制冷的
2025-06-26 03:36
【摘要】第八章半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)第八章半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)第八章半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)重點:?表面空間電荷層的性質(zhì)(表面電場效應(yīng))?MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性(理想和非理性MOS電容)多子堆積狀態(tài)平帶狀態(tài)多子耗盡狀態(tài)少子反型狀態(tài)?硅–二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
2025-05-13 03:16