材料分析測(cè)試技術(shù)ppt課件-免費(fèi)閱讀
【正文】 不適于微量組分定量分析 分析方法（縮寫(xiě)） 樣品 基本分析項(xiàng)目與應(yīng)用 應(yīng)用特點(diǎn) 分子熒光光譜分析（ FS） 樣 品 配 制溶液 （ 質(zhì)量分?jǐn)?shù) ） ； 靈敏度高 （ 比分子吸收光譜高幾個(gè)數(shù)量級(jí) ） ， 取樣量少 。 visible absorption spectrum 紫外、可見(jiàn)（分子）吸收光譜 WDS wave dispersive spectroscopy 波長(zhǎng)色散譜（波譜） WDXFS wave dispersive XFS X射線熒光 XAES Xrey AES X射線引發(fā)俄歇能譜 XD Xray diffraction X射線衍射 XPS Xray photoelectron spectroscopy X射線光電子能譜 XFS Xray fluorescence spectrometry X射線熒光光譜 XPF Xray fluorescence X射線熒光 續(xù)附錄 1. 附表 1 近代顯微鏡的分類(lèi) 光 源 （激發(fā)源） 照射方式 物理效應(yīng) 主要成像信息 顯微鏡名稱(chēng) 符號(hào) 光 束 靜 止 掃 描 反射或吸收 光聲效應(yīng) 光 子 聲 子 光學(xué)顯微鏡 光聲顯微鏡 OM SPAM 電子束 靜 止 透射或衍射 透射或衍射 透射和衍射電子 透射和衍射電子 普通透射電鏡 高壓透射電鏡 OTEM HVEM 掃 描 透射或衍射 散射和原子電離 熱彈性效應(yīng) 透射和衍射電子 二次電子 聲波 掃描透射電鏡 表面掃描電鏡 掃描電子聲學(xué)顯微鏡 STEM SEM SEAM 離子束 掃 描 濺 射 二次離子 二次離子顯微鏡 SLMSM 聲 束 掃 描 反射和透射 聲光效應(yīng) 聲 波 光 子 掃描聲學(xué)顯微鏡 掃描聲光顯微鏡 SAM SLAM 電 場(chǎng) 靜 止 掃 描 場(chǎng)蒸發(fā)效應(yīng) 隧道效應(yīng) 正離子 隧道電流 場(chǎng)離子顯微鏡 掃描隧道顯微鏡 FLM STM 附表 2 各類(lèi)顯微鏡的分辨率和主要用途 顯微鏡 最佳分辨率 對(duì)試樣要求 主要用途 OM m 金相表面 OTEM HVEM STEM ～ 復(fù)膜或薄膜 （ 金相組織 、 晶體缺陷 、 結(jié)構(gòu)像 、 原子像 ） SEM 無(wú) （ 金相組織 、 幾何立體分析 、 三位物理結(jié)構(gòu)分析 ） 3. 元素成分和電子結(jié)構(gòu)分析 SEAM 幾個(gè) μ m 無(wú) SIMSM m 無(wú) SAM m 無(wú) 分析材料的理學(xué)性質(zhì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)無(wú)損檢驗(yàn)、不透光物質(zhì)亞表層結(jié)構(gòu) FTM 針電極形狀 直接觀察原子的排列組態(tài) ， 并確定單個(gè)原子的化學(xué)種類(lèi) STM 平坦表面 附表 3 在材料科學(xué)中常用的顯微分析技術(shù) 名 稱(chēng) 縮寫(xiě)符號(hào) 特長(zhǎng) 電子探針顯微分析 俄歇電子能譜分析 電子能量損失譜分析 二次離子質(zhì)譜分析 盧瑟福散射譜分析 核反應(yīng)譜分析 離子激發(fā) X射線譜分析 光電子能譜化學(xué)分析 激發(fā)喇曼譜分析 EPMA AES EELS ISS RBS NRS PIXE ESCA LRS 對(duì)表面深層 （ 1～ 10μ m） 的元素分析 幾個(gè)原子表層 （ ～ 1nm） 的元素分析 對(duì) 10nm微區(qū)內(nèi)成分變化分析 最外表面單原子層的痕量元素分析 輕集體中重雜質(zhì)元素分析 ， 獨(dú)立定量 重集體中輕雜質(zhì)元素分析 表面原子密度表面厚度及其成分分析 表面化學(xué)狀態(tài)分析 表面分子狀態(tài)分析 附表 分析方法 基本分析項(xiàng)目 在材料科學(xué)研究中的應(yīng)用舉例 衍射儀法 物相定性分析 ， 物相定量分析 ， 點(diǎn)陣常數(shù)測(cè)定 ， 一 、 二 、三類(lèi)應(yīng)力測(cè)定 ， 晶粒度測(cè)定 ，織構(gòu)測(cè)定 ， 單晶定向 （ 單晶樣品要轉(zhuǎn)動(dòng) ） ， 非晶態(tài)結(jié)構(gòu)分析 塑性形變的 X射線分析：孿晶面與滑移面指數(shù)的測(cè)定 （ 單晶定向 ） 、 形變與再結(jié)晶織構(gòu)測(cè)定 、應(yīng)力分析等； 相變過(guò)程與產(chǎn)物的 X射線研究 （ 如馬氏體相變、 合金時(shí)效 ） ：相變產(chǎn)物 （ 相 ） 結(jié)構(gòu)的變化及最終產(chǎn)物 、 工藝參數(shù)對(duì)相變的影響 、 新生相與母相的取向關(guān)系等； 固溶體的 X射線分析：固溶極限測(cè)定 、 點(diǎn)陣有序化 （ 超點(diǎn)陣 ） 參數(shù)測(cè)定 、 短程有序分析等； 高分子材料的 X射線分析：高聚物鑒定 、 晶態(tài)與非晶態(tài)及晶型的確定 、 結(jié)晶度測(cè)定 、 微晶尺寸測(cè)定等 （粉末）照相法 物相定性分析 、 點(diǎn)陣常數(shù)測(cè)定 、 絲織構(gòu)測(cè)定 勞埃法 單晶定向 （ 晶體取向的測(cè)定 ） 、 晶體對(duì)稱(chēng)性測(cè)定 四圓衍射儀法 單晶結(jié)構(gòu)分析 、 晶體學(xué)研究 、化學(xué)鍵 （ 鍵長(zhǎng) 、 鍵角等 ） 測(cè)定 附表 方法 樣品 基本分析項(xiàng)目與應(yīng)用舉例 高能電子衍射分析（ HEED） (TEM上 ) 薄膜樣品（樣品薄膜或復(fù)型膜） 微區(qū)晶體結(jié)構(gòu)分析與物相鑒定 （ 如第二相在晶體內(nèi)析出過(guò)程分析 、 晶界沉淀物分析 、 彌散粒子物相鑒定等 ） ， 晶體取向分析 （ 如析出物與晶體取向關(guān)系 、慣習(xí)面指數(shù)等 ） ， 晶體缺陷分析 低能電子衍射分析（ LEED） 固體樣品 表面 （ 1～ 5個(gè)原子層 ） 結(jié)構(gòu)分析 [原子二維排列周期（ 單元網(wǎng)格 ） 、 層間原子相對(duì)位置及層間距等 ]， 表面吸附現(xiàn)象分析 （ 吸附原子排列周期 、 吸附原子相對(duì)基體原子位置 、 吸附是否導(dǎo)致表面重構(gòu)等 ） ， 表面缺陷 （ 不完善結(jié)構(gòu) ） 分析 （ 空位 、 臺(tái)階表面等 ） 反射式高能電子衍射分析（ RHEED） 固體樣品（尺寸 ﹥ 5mm） 表面結(jié)構(gòu)分析 ， 表面缺陷分析 （ 樣品的無(wú)序程度 、臺(tái)階特征等 ） ， 表面原子逐層生長(zhǎng)過(guò)程分析 （ 是否形成結(jié)晶 、 表面重構(gòu)等 ） 。 熱膨脹法 ▲ 物質(zhì)的線膨脹可用下式表示： lt=l0+△ l=l0(1+α△ t) 式中： l0－物體原長(zhǎng)， α－線膨脹系數(shù) △ l－溫度升高后長(zhǎng)度的增量， lt－溫度 t時(shí)物體的長(zhǎng)度 ▲ 物質(zhì)的體膨脹可用下式表示： Vt=V0(1+β△ t) 式中： V0－物體原體積， β－體膨脹系數(shù) Vt－溫度 t時(shí)物體的體積 ▲ α和 β均不是恒定值，只是給定溫度范圍的平均值。 熱重分析（ TG） TG的試驗(yàn)方法 ：實(shí)驗(yàn)前用砝碼校正記錄儀。 ● 外因的影響 ： ； 、稱(chēng)量及裝填的影響； ； 。 差熱分析儀 差熱分析儀 由加熱爐、溫控器、信號(hào)放大器、試樣架－
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