材料科學基礎期末復習考試-免費閱讀
【正文】 H%=CX/HC100%，G%=XY/HC100%。 (結晶結束)（B消失）（4分）（選做一）圖略（選做二）圖略3. 解:（1）根據(jù)熱缺陷濃度公式 n/N=exp(E/2RT)，E=6eV=61019=1019J,T=298k：n/N=1051，T=1873k：n/N=109；（2）在MgO中加入百萬分之一的AL2O3，AL2O32ALMg 180。8. 原子排列狀況相同但位向不同，數(shù)字、數(shù)序和正負號不同。（6分） （選做二）畫出立方晶系中的（3）晶面和[13]晶向。SiO2)、鎂橄欖石三種礦物的高溫熔體表面張力大小順序 （1分）。 （1分）是指晶體中原子或分子的排列情況，由空間點陣+結構基元構成的?？忌痤}時必須準確填寫院系、專業(yè)、班級、姓名、學號等欄目，字跡要清楚、工整。在一定的熱力學條件下，系統(tǒng)雖未處于最低能量狀態(tài)，卻處于一種可以較長時間存在的狀態(tài)，稱為 （1分）?！ Y過程可以分為 （1分）三個階段，在燒結的中后期，與燒結同時進行的過程是 （1分）。 (2)為什么間隙型固溶體不能形成無限固溶體？ （選做三）寫出下列缺陷方應方程式。（5分）安慶師范學院20102011學年度第一學期期末復習考試《材料科學基礎》課程參考答案及評分標準一、選擇題 (共10題，每題2分，共20分)12345678910CCDBAD BA DC二、填空題 (共10題，共27分)， 系統(tǒng)表面能降低；；，不變，變大，變?。?，微晶學說；5. 晶體結構。13. 垂直 平行。 L：。 兩條邊GH、GC的平行線M2X、M2Y，C%=YH/HC100%， S： （產(chǎn)物A+F+H）（2分）（1）如右圖，I表示核化速率，u表示晶化速率（5分）； （2分）+3OONb24/3xTixO3 可能成立 Nb2xTixO3x/2（選做二）（1）CaCl2VNa′+2ClCl+CaNa′(2分) NaC12xCaxCl (1分) （2）OVNa ′+VCl′(2分) ?。?）一是因為晶體中的間隙位置有限，二是因為間隙質(zhì)點超過一定的限度會
教學教案相關推薦
鄂ICP備17016276號-1