材料科學(xué)基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)考試(參考版)
2025-04-20 02:41本頁面
【正文】 。（4分）（3分）。 兩條邊GH、GC的平行線M2X、M2Y，C%=YH/HC100%， S： （產(chǎn)物A+F+H）（2分） L： E6，多晶轉(zhuǎn)變點(diǎn)，（6分） E3，低共熔點(diǎn)， E2，低共熔點(diǎn)， + VMg’’ + 3OO，∵[AL2O3]= 106，∴[雜質(zhì)缺陷]=3106/2=106，∴比較可知，雜質(zhì)缺陷占優(yōu)。四、計(jì)算、作圖及問答題（本大題共4小題，共32分）1. 故In的單位晶胞中有2個(gè)原子。（1）如右圖，I表示核化速率，u表示晶化速率（5分）；2）（1分）[SiO4]為基本結(jié)構(gòu)單元，四面體組成形狀不規(guī)則大小不同的聚合力子團(tuán)，絡(luò)陰離子團(tuán)之間依靠金屬離子連接。 （2分） +3OONb24/3xTixO3 可能成立 Nb2xTixO3x/2（選做二）（1）CaCl2VNa′+2ClCl+CaNa′(2分) NaC12xCaxCl (1分) ?。?）OVNa ′+VCl′(2分) （3）一是因?yàn)榫w中的間隙位置有限，二是因?yàn)殚g隙質(zhì)點(diǎn)超過一定的限度會(huì)不破壞晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。+6OO 2TiO22TiNb˙+Oi180。180。13. 垂直 平行。11. 是，固體質(zhì)點(diǎn)不能自由移動(dòng)。9. 沸石螢石TiO2MgO。7. 化學(xué)位梯度，濃度梯度的，定向遷移。（5分）安慶師范學(xué)院20102011學(xué)年度第一學(xué)期期末復(fù)習(xí)考試《材料科學(xué)基礎(chǔ)》課程參考答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、選擇題 (共10題，每題2分，共20分)12345678910CCDBAD BA DC二、填空題 (共10題，共27分)， 系統(tǒng)表面能降低；；，不變，變大，變?。?，微晶學(xué)說；5. 晶體結(jié)構(gòu)。（10分）（選做一）如圖ABC三元系統(tǒng)相圖，根據(jù)相圖回答下列問題（24分）：1）在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì)；（6分）2）判斷化合物F、G、H 的性質(zhì)；（3分）3）寫出各三元無變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式；（6分）4）寫出組成點(diǎn)M1在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程；（6分）5）寫出組成點(diǎn)M2在完全平衡條件下進(jìn)行加熱時(shí)，開始出現(xiàn)液相的溫度和完全熔融的溫度；寫出完全平衡條件下進(jìn)行冷卻，結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量（用線段比表示）。（6分）(1)MgO晶體中，肖脫基缺陷的生成能為6eV，計(jì)算在25℃和1600℃時(shí)熱
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