[工程科技]模電課件ch05場效應(yīng)管放大電路-免費(fèi)閱讀
【正文】 ? 預(yù)夾斷前 iD與 vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。 對于 N溝道的 JFET， VP 0。 vGS越大，導(dǎo)電溝道越厚 VT 稱為開啟電壓 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 ?靠近漏極 d處的電位升高 ?電場強(qiáng)度減小 ?溝道變薄 當(dāng) vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ?ID? ?溝道電位梯度 ? 整個溝道呈 楔形分布 當(dāng) vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ?ID? ?溝道電位梯度 ? 當(dāng) vDS增加到使 vGD=VT 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 在預(yù)夾斷處： vGD=vGSvDS =VT 預(yù)夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長 ?溝道電阻 ? ?ID基本不變 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 2. 工作原理 （ 3） vDS和 vGS同時作用時 vDS一定， vGS變化時 給定一個 vGS ，就有一條不同的 iD – vDS 曲線。 PN結(jié)反偏 耗盡層加厚 溝道變窄。 為什么 JFET的輸入電阻比 BJT高得多？ ? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié)是反向偏置的，因 此 iG?0，輸入電阻很高。 ? JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS控制。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 2)( TGSnD VVKI ??飽和區(qū) 需要驗(yàn)證是否滿足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)(2 dDDDDS RRIVV ???])([ SSSSDDg2g1g2 VVVRRR ????)( SSD VRI ?? MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 靜態(tài)時 ， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I 電流源偏置 VS ＝ VG － VGS 2TGSnD )( VVKI ?? （ 飽和區(qū) ） MOSFET放大電路 2. 圖解分析 由于負(fù)載開路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同 MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 2TGSnD )( VKi ?? v 2TgsG S Qn )( VVK ??? v 2gsTG S Qn ])[( v??? VVK2gsngsTG S Qn2TG S Qn )(2)( vv KVVKVVK ?????（ 1）模型 DQI? gsmvg? 2gsnvK?靜態(tài)值 （直流） 動態(tài)值 （交流） 非線性失真項(xiàng) 當(dāng) ， vgs 2(VGSQ VT )時， DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ?? MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 （ 1）模型 DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ??gsmd vgi ???0時 高頻小信號模型 3. 小信號模型分析 解：例 求得： ?I V2G SQ ?V S Q ?VV/mA1 V/mA)12( )(2 TG S Qnm??????? VVKg（ 2）放大電路分析 （例 ） s 3. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） dgsmo Rg vv ??)1()( mgsgsmgs
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