【摘要】CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)穩(wěn)定性和頻率補(bǔ)償2022/2/9提綱2提綱?1、概述?2、多極點(diǎn)系統(tǒng)?3、相位裕度?4、頻率補(bǔ)償?5、兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償2022/2/9概述31、概述?反饋系統(tǒng)存在潛在不穩(wěn)定性?振蕩條件(巴克豪森判據(jù))1、在ω1下,圍繞環(huán)路的相
2025-01-12 16:52
【摘要】第七章集成電路版圖設(shè)計(jì)版圖設(shè)計(jì)概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計(jì)者將設(shè)計(jì)并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓?fù)涠x等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來制造掩膜。版圖的設(shè)計(jì)有特定的規(guī)則,這些規(guī)則是集成電路制造廠家根據(jù)自己的工藝特點(diǎn)而制定的。不同的工藝,有不同的設(shè)計(jì)規(guī)則。
2025-01-07 01:54
【摘要】模擬集成電路設(shè)計(jì)第7章噪聲(二)董剛微電子學(xué)院11?2In,MOS222上一講噪聲的統(tǒng)計(jì)特性平均功率Pav=limt??T?T/2?T/22x(t)dt噪聲譜(功率譜密度PSD)幅值分布(時(shí)域)相關(guān)噪聲源
2025-01-07 21:46
【摘要】卡諾圖化簡(jiǎn)卡諾圖化簡(jiǎn)的核心是找到并且合并相鄰最小項(xiàng)。相鄰三種情況:相接,相對(duì),相重。5變量卡諾圖才會(huì)出現(xiàn)相重的情況。合并過程中先找大圈合并,圈越大消去的變量越多;使每一最小項(xiàng)至少被合并包含過一次;每個(gè)合并的圈中,至少要有一個(gè)“1”沒有被圈過,否則這個(gè)圈就是冗余的。4個(gè)變量卡諾圖的最小項(xiàng)BADC001
2025-07-25 08:49
【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工
2025-02-15 05:39
【摘要】●熟悉常用中規(guī)模通用集成電路的邏輯符號(hào)、基本邏輯功能、外部特性和使用方法;●用常用中規(guī)模通用集成電路作為基本部件,恰當(dāng)?shù)亍㈧`活地、充分地利用它們完成各種邏輯電路的設(shè)計(jì),有效地實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能。本章知識(shí)要點(diǎn):第7章中規(guī)模集成電路數(shù)字集成電路器件分類數(shù)字集成電路是把電阻、二極管、晶體管集中制作在叫做基片
2025-02-19 20:54
【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)基礎(chǔ)basicsofIClayoutdesigninstructor:ZhangQihuie-mail:河南大學(xué)HenanUniversityschoolofphyebasicsoficlayoutdesign2第八章
2024-10-16 05:16
【摘要】射極耦合差分式放大電路(1)差模放大?idod=vvvAi2i1o2o1vvvv??i1o122vv?becrR???雙出單出?ido1d1=vvvAi1o12vvd21v
2025-01-19 11:40
【摘要】123456789101112131415161718192021222324252627
2025-08-05 16:51
【摘要】第八章專用集成電路和可編程集成電路???????、標(biāo)準(zhǔn)單元與可編程集成電路的比較?專用集成電路(ASIC)被認(rèn)為是用戶專用電路(customspecificIC),即它是根據(jù)用戶的特定要求.能以低研制成本、短交貨周期供貨的集成電路。它最主要的優(yōu)點(diǎn)在于:?(1)
2025-01-17 09:42
【摘要】第七章動(dòng)態(tài)CMOS邏輯電路?動(dòng)態(tài)邏輯電路的特點(diǎn)?預(yù)充─求值的動(dòng)態(tài)CMOS電路?多米諾CMOS電路?時(shí)鐘同步CMOS電路靜態(tài)電路vs.動(dòng)態(tài)電路動(dòng)態(tài)電路是指電路中的一個(gè)或多個(gè)節(jié)點(diǎn)的值是由存儲(chǔ)在電容上的電荷來決定的;靜態(tài)電路是指電路的所有節(jié)點(diǎn)都有到地或到
2025-08-05 07:19
【摘要】第五章MOS集成電路的版圖設(shè)計(jì)根據(jù)用途要求確定系統(tǒng)總體方案工藝設(shè)計(jì)根據(jù)電路特點(diǎn)選擇適當(dāng)?shù)墓に嚕侔措娐分懈髌骷膮?shù)要求,確定滿足這些參數(shù)的工藝參數(shù)、工藝流程和工藝條件。電路設(shè)計(jì)根據(jù)電路的指標(biāo)和工作條件,確定電路結(jié)構(gòu)與類型,依據(jù)給定的工藝模型,進(jìn)行計(jì)算與模擬仿真,決定電路中各器件的參數(shù)(包括電參數(shù)、幾何
2025-04-30 18:17
【摘要】第2章集成邏輯門晶體管開關(guān)特性分立元件門電路概述TTL門電路CMOS門電路0v+3V正邏輯負(fù)邏輯概述010v+3V1晶體二極管開關(guān)特性2晶體三極管開關(guān)特性晶體管開關(guān)特性3二極管開關(guān)應(yīng)用電路二極管
2025-01-19 08:35
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-04-30 13:59
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)(第二版)李中發(fā)制作中國(guó)水利水電出版社第2章門電路學(xué)習(xí)要點(diǎn)?掌握各種TTL門電路和CMOS門電路的邏輯功能。?理解TTL門電路的主要參數(shù)及TTL電路與CMOS電路的主要差異。?了解二極管、雙極型晶體管和MOS管的開關(guān)特性,?了解門電路的使用常識(shí),集電極開路門
2024-10-16 18:44