zno基p-n結(jié)及其紫外發(fā)光性能的研究-免費閱讀
【正文】 6)目前的通過襯底向其上方薄膜熱擴散磷或砷制備 p型ZnO的方法存在擴散不均勻、易生成緩變結(jié)的缺點。以下用數(shù)值法求解： 當(dāng) a = 1 , b = c = 0 時： T = nm 140 nm。 進一步證實： 陰極射線光譜 350 400 450 500 550 600 650 Wavelength (nm) aquartz glass asilicon dioxide ZnO powder 453nm 390nm 505nm 二次離子質(zhì)譜 : ZnO / Si 系統(tǒng)中各元素沿深度的分布。 510nm, 強 v600oC: 387nm, 稍強 。 n型 ZnO中有較多氧空位而抑制了紫外激光。），再置于 700oC、空氣氣氛中作 20分鐘的退火。 （ ii）晶格失配必須盡可能地小； （ iii）熱膨脹系數(shù)的差距亦應(yīng)盡可能地小。 原因是他模糊了兩個關(guān)鍵參數(shù)：濺射功率和濺射速率 。 只有 當(dāng)濺射功率和濺射速率處于某一范圍時 方可有效地去除氧空位和增加反位鋅 ， 得到 pZnO : p型成品率約為 40％ 。 (iv) 價格因素 Si作為襯底的優(yōu)越性和需要注意的問題 ? Si是最便宜的一種襯底材料 ? 結(jié)構(gòu)：立方晶體，常數(shù) a = 197。 2)氣體的選擇： 高純 Ar為濺射氣體，高純 O2為反應(yīng)氣 體（亦兼濺射氣體）；當(dāng)生長 p型 ZnO薄膜時，在反應(yīng)室中充過量的 O2， O2 /Ar 的百分比為 60～ 85% / 40 ~ 15%, 反應(yīng)室的背景真空度不低于 3x104Pa, 充氣后反應(yīng)室中氣體壓強控制在 1 ~ 3Pa。這與退火有關(guān)。 515nm,稍弱 v800oC: 400nm,很強 。圖(a)是在 400 OC生長 1小時后的情形。 當(dāng) a = b = , c = 0 時： T = nm 140 nm。建議采用外擴散法：即在密閉的環(huán)境中維持一定的磷或砷氣壓，向薄膜內(nèi)的擴散。 結(jié)論與研究展望： 5)目前的通過在富氧環(huán)境中生成的 ZnO pn 結(jié)還未能實現(xiàn)注入式激光發(fā)射，原因是受主反位鋅能級位置較高，因此量子效率低下，不能實用。根據(jù)實驗數(shù)據(jù)， α 為，薄膜厚為 。? = 1 . 0oZ n O ( 1 0 3 )S i ( 1 1 3 )Zn2S i O4 ( 2 2 3 )Zn2S i O4 ( 1 1 3 )Z n O ( 1 0 2 )Zn2S i O4 ( 2 2 0 )Z n O ( 0 0 2 ) Intensity(arb.unit)2 ? ( d e g r e e )800o(上 )和原生 (下 )樣品的 GXRD譜。 390nm 510525nm 380nm387nm 由圖可見，各個樣品都存在著 “ 紫峰 ” 和 “ 綠峰 ” 兩個發(fā)射帶，但隨退火條件的不同，兩個發(fā)射帶的峰值強度和峰位有很大的變化，同時峰的半高寬也產(chǎn)生了相應(yīng)的變化 : v原生 : 380nm, 弱 。 515 nm為綠色熒光，來自氧空位的躍遷機制。 /s）生長 – ZnO（對生長速率的特別的 要求：一般不要太慢太快，否則不能反型。 4. 掌握 濺射速率的物理意義分析： 2020/11/23 10 p 型和 n型 ZnO薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性 v 襯底材料的選擇 v p 型 ZnO薄膜的生長方法 磁控濺射法、熱擴散法 v n 型 ZnO薄膜的生長方法 磁控濺射法、化學(xué)液相沉
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