mos二極管ppt課件-免費閱讀
【正文】 總電容 C也就變小 。要深刻理解它、靈活運用它，至少也要能看懂它 2022/2/11 9 2022/2/11 10 2022/2/11 11 2022/2/11 12 Ec Ev Eg Ei EFn EFp 2022/2/11 13 電場 電勢 電子能量 以半導體體內(nèi)為零電勢 2022/2/11 14 利用能帶圖研究金屬半導體接觸 2022/2/11 15 2022/2/11 16 2022/2/11 17 銫的功函數(shù)最低， 鉑的最高 2022/2/11 18 The Ideal MOS Diode q?s 費米勢 2022/2/11 19 理想 MOS 二極管 a) 零偏置條件下 ,金屬半導體功函數(shù)差為零 ? ? ? ? 02 ???????????? BEmsmms qqqqqq g?b) 任何偏置條件下二極管中的電荷只存在在半導體表面及金屬上，且二者符號相反，電量相同。寫作業(yè)或小考試 1個學時 請上課帶教材，課上研讀教材 2022/2/11 4 一、硅基 MOS集成電路仍將是微電子技術的主流 ? 信息產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值已超過機械制造等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)成為第一大產(chǎn)業(yè) ? 無論從發(fā)展速度還是從對人類社會的影響，都是其它產(chǎn)業(yè)無法比擬的。 稱為系統(tǒng)的歸一化電容 。 φ ms=。強反型所需要達到的柵面達到閾值電壓：使半導體表2022/2/11 31 Surface Charge vs. Surface Potential 2022/2/11 32 The relationship between Wm and the impurity concentration for silicon and gallium arsenide, where NB is equal to NA for Ptype and ND for ntype semiconductor. Dielectric constant Si: GaAs: 2022/2/11 33 Capacitance at Low Frequency or quasistatic 2022/2/11 34 Capacitance in a MOS capacitor 小信號電容 MOS capacitance is defined as small signal capacitance and is measured by applying a small ac voltage on the top of a dc bias dtdVCdtdVdVdQdtdQI MMGMM ???理想 MOS電容器 2022/2/11 35 單位面積的微分電容 微分電容 C與外加偏壓 V
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