固體與半導體物理平衡狀態(tài)下的半導體-預覽頁
【正文】 0Tn?? 0DEn? ? ?(3) 強電離飽和區(qū) () DDa n N? ? 0( ) 0bp?電中性條件 0 DnN?()DF C BCNE E k T n N??A:輕摻雜的非簡并半導體 DCNN? FE CEB: DTN?一 定 ，C: DNT?一 定 ，F(xiàn)E 向 導 帶 靠 近FE 向 禁 帶 中 線 靠 近(4) 高溫過渡區(qū) () DDa n N?＝ 0( ) 0bp? 電中性條件 00Dn N p? ＋聯(lián)立 00200Din N pn p n??＋220 1 422D DiNn N n? ? ?220 1 422D DiNp N n? ? ? ?A:近強電離飽和區(qū) DiNn??20 iDnpN?300TK? 310in cm ?? 16 310DN cm ?? 430 10p cm ??B:近本征激發(fā)區(qū) iDnN??0 2D iNnn?? 0 2D iNPn? ? ?0 DnN?電中性條件 00np?iEE?F 高溫下的半導體呈本征型 簡并半導體 (5) 高溫本征激發(fā)區(qū) iDnN??一．簡并半導體的載流子濃度 ? ? 1* 3 2 20 23( 2 )2 1 e xpcE FBEEmn dEEEkT?? ?????? ?????122 ()Fcc BEENFkT???12()FcBEEFKT? ? 費 米 積 分CN ? 導 帶 有 效 狀 態(tài) 密 度二．簡并化條件 2c F BE E k T??02c F BE E k T? ? ?0cFEE??2F C BE E k T? ? ?A: 非簡并 B: 20B F Ck T E E? ? ? ?弱簡并 C: 0FCEE??簡并 三．簡并時的雜質(zhì)濃度 ??D0 nn122 ()1 2 e xp( )Fc DcFDBBEE NNFEEkTkT?? ???cF EE ?取 為簡并化條件 ? ?1 2 0 0. 6F ?0 . 6 8 1 2 e x p DDcBENNkT??????? ????????1 2 e x p 3DBEkT?????????????? 最 小 值 為（ 1） DTE?、 一 定 DCNN?發(fā)生簡并時 （ 2） 300TK? 18 19 3( ) 10 ~ 10V Si G eN c m ??、 18 310DN cm ??發(fā)生簡并時 重摻雜半導體 DE? 較 小 時 ， 摻 雜 濃 度 較 低 時 發(fā) 生 簡 并DDEE? ? ?Ge Si（ ） （ ）19 3( ) 3 10D G eN c m ??? 22 3( ) 10D SiN c m ???四．簡并時雜質(zhì)沒有充分電離 能帶圖 FCEE? 1 2 ( )DDDBNnEexpkT? ???300TK?: 0. 24DDG e n N? ?: 0. 08 4DDSi n N? ?24％電離 %電離 五．簡并半導體的雜質(zhì)能帶 雜質(zhì)電離能減小 DE? DE??DN如 很 大 ， 0DE??形成新的簡并導帶 gE gE? 簡并半導體 （ 1）雜質(zhì)濃度高 （ 2） 接近或進入能帶 FE（ 3）雜質(zhì)未充分電離 （ 4）形成雜質(zhì)能帶 DE?? gE?
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