薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習(xí)資料-預(yù)覽頁
【正文】 變化，必須有比最合適條件高的放電電壓。同時(shí)受正交電磁場的束縛電子又只能在其能量要耗盡時(shí)才沉積在基片上。在基底表面上吸附的氣相原子凝結(jié)之后，吸附原子在其表面上擴(kuò)散遷移而形成晶核。 簡述離子轟擊的作用有哪些？（至少三點(diǎn)）1. 離子濺射對基片表面產(chǎn)生清洗作用2. 產(chǎn)生缺陷作用3. 破壞表面結(jié)晶結(jié)構(gòu)4. 改變表面形貌5. 離子摻入6. 溫度升高7. 表面成分變化 （2）當(dāng)島通過進(jìn)一步沉積而增大尺寸時(shí)，島彼此靠近，大島似乎以合并小島而生長。這個(gè)過程（稱合并階段II）開始時(shí)很迅速，一旦形成網(wǎng)絡(luò)便很快慢下來。這一二次成核隨著進(jìn)一步沉積，一般緩慢生長和合并。當(dāng)最小的穩(wěn)定核在基片上形成就會(huì)出現(xiàn)島狀生長，它在三維尺度生長，最終形成多個(gè)島。第一個(gè)完整的單層會(huì)被結(jié)合稍松弛一些的第二層所覆蓋。在這種模式中，在形成一層或更多層以后，隨后的層狀生長變得不利，而島開始形成。X射線衍射方法、低能電子衍射和反射式高能電子衍射X射線能量色散譜、俄歇電子能譜、X射線光電子能譜、盧瑟福背散射技術(shù)、二次離子質(zhì)譜 化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。1. LB技術(shù)LB膜技術(shù)在適當(dāng)?shù)臈l件下，不溶物單分子層可以通過特定的方法轉(zhuǎn)移到固體基底上，并且基本保持其定向排列的分子層結(jié)構(gòu)。1. 離子鍍離子鍍在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，并在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，將蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物沉積在基片上的方法。紅外吸收和拉曼散射紅外吸收是指物質(zhì)對紅外光的吸收。復(fù)合式分子泵的形式很多，按結(jié)構(gòu)分，主要有兩種：一種是渦輪葉片與盤式牽引泵的串聯(lián)組合；另一種是渦輪葉片與筒式牽引泵的串聯(lián)組合。因此，要提高油擴(kuò)散泵的抽氣和真空性能，泵在工作中自身還要對泵油進(jìn)行分餾和凈化。電阻規(guī)：當(dāng)給熱絲加恒定的電流時(shí)，由于氣壓不同通過氣體傳導(dǎo)走的熱量不同，熱絲所保持的溫度就不同，這導(dǎo)致熱絲電阻大小不同，通過測量熱絲電阻大小就可以推算氣
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