電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分(第六版)-康華光ch07-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 Vid 1m ax= 280mV Vid 1= 126mV +Vid 1m ax= 280m V + Vid 1= 126mV Vid 2m ax= 56 0mV Vid 2= 400mV VOV1= 200mV VOV2= 400mV 虛線表示當(dāng)O/ ( )nWIKL?增加時(shí)傳輸特性曲線線性工作區(qū)擴(kuò)大 iD1 IO iD IO = Vid 2= 400mV nOm axidKI?v Q vid/m V nOTNGSOV2 KIVVV ??47 華中科技大學(xué) 張林 BJT差分式放大電路的傳輸特性 vid= vBE1 vBE2 根據(jù) TVIi /ESE1 BE1e v? c2 c1 vO 2 Rc2 Rc1 T1 T2 ＋ VC C vO 1 － VEE iC1 iC2 IO b1 b2 ve ＋ － ＋ － ＋ ＋ － － vO ＋ － vi1 vi 2 TVIi /ESE2 BE2e v?可得傳輸特性曲線 iC1， iC2＝ f（ vid） 48 華中科技大學(xué) 張林 BJT差分式放大電路的傳輸特性 iC 1/ IO、 iC2/ IO Q iC2/ IO － 120 － 1 0 0 － 80 － 60 － 4 0 － 20 0 20 40 60 80 100 120 － 4 VT － 2 VT － VT VT 2 VT 4 VT 線性區(qū) iC1/ IO iC/ IO= 0. 5 0. 1 0. 2 0. 3 0. 6 0. 7 0. 8 0. 9 1 非線性區(qū)域 限幅區(qū) 非線性區(qū)域 限幅區(qū) vid / mV 華中科技大學(xué) 張林 49 * 帶有源負(fù)載的差分放大電路 帶有源負(fù)載的源極耦合 CMOS差分 式放大電路 帶有源負(fù)載的 BJT射耦合差分式放 大電路 50 華中科技大學(xué) 張林 T3 － ＋ T4 ＋ VDD ＋ 5V vO 2 T1 T2 － VSS － 5V － VGS 3 ＋ iD1 iD2 ＋ － vGS2 － ＋ vi 1= vi d/2 － vGS 1 ID5= IR EFEF ＋ － VDS 5 ID 6 ＋ － VDS 6 ID 7 ＋ － VDS 7 ＋ － T5 VGS 5 ＋ － VGS 6 ＋ － VGS 7 T6 T7 Io T8 ＋ － VGS 8 － VGS4 iD 3 iD4 d1 d2 g2 g1 vi 2= － vi d/2 ＋ ＋ － － ＋ d4 － d3 帶有源負(fù)載的源極耦合 CMOS差分式放大電路 1. 基本電路 51 華中科技大學(xué) 張林 2. 工作原理 T3 － ＋ T4 ＋ VDD ＋ 5V vO 2 T1 T2 － VSS － 5V iS3 V G S 3 iS 4 iD1 iD2 ＋ － vG S 2 － ＋ vi 1= + vi d/2 － vGS 1 ID5= IR EFEF ＋ － VDS 5 ID 6 ＋ － VDS 6 ID 7 ＋ － VDS 7 ＋ － T5 VGS 5 ＋ － VGS 6 ＋ － VGS 7 T6 T7 IO T8 ＋ － VGS 8 VG S 4 NMOS NMOS PMOS iD 3 iD4 d1 d2 g2 g1 vi 2= vi d/2 vO 1 ＋ ＋ － ＋ d3 d4 iO NMOS － s1 s 2 根據(jù)電路結(jié)構(gòu)有 IREF＝ ID5＝ ID6＝ ID7 只要滿足 T5~T7就工作在飽和區(qū) VDD +VSS VTN5+VTN6+VTN7 則根據(jù) ID＝ Kn(VGS－ VT)2 ?????????????????T N 7n7R E FG S 7T N 6n6R E FG S 6T N 5n6R E FG S 6G S 7G S 6G S 5SSDDVKIVVKIVVKIVVVVVV若已知各管參數(shù)，便可求出 IREF 可列方程 帶有源負(fù)載的源極耦合 CMOS差分式放大電路 52 華中科技大學(xué) 張林 2. 工作原理 T3 － ＋ T4 ＋ VDD ＋ 5V vO 2 T1 T2 － VSS － 5V iS3 V G S 3 iS 4 iD1 iD2 ＋ － vG S 2 － ＋ vi 1= + vi d/2 － vGS 1 ID5= IR EFEF ＋ － VDS 5 ID 6 ＋ － VDS 6 ID 7 ＋ － VDS 7 ＋ － T5 VGS 5 ＋ － VGS 6 ＋ － VGS 7 T6 T7 IO T8 ＋ － VGS 8 VG S 4 NMOS NMOS PMOS iD 3 iD4 d1 d2 g2 g1 vi 2= vi d/2 vO 1 ＋ ＋ － ＋ d3 d4 iO NMOS － s1 s 2 如果 T7與 T8特性相同，則 IO=IREF 由于電路對(duì)稱，即 T1與T2特性相同， T3與 T4特性相同 所以 ID1=ID2=ID3=ID4=IO/2 可求出 VGS1 ~VGS4 由于 T3的柵極與漏極并接在一起，所以通常由 T2和 T4的漏極輸出。 Av2 Av2= vo/ v gs7 = gm7(rds7 || rds8) 第二級(jí)電壓增益 將參數(shù)代入計(jì)算得 Av = （ dB ） ＋ － vid T1 T2 T3 T4 io T 7 ＋ － vO PMOS s1 s2 NMOS vo 2 CX g7 NMOS g1 g2 id2 id4 id1 rd s8 (2)小信號(hào)分析 2. 技術(shù)指標(biāo)分析計(jì)算 65 華中科技大學(xué) 張林 BJT型 LM741集成運(yùn)算放大器 輸入級(jí) 偏置電路 中間級(jí) 輸出級(jí) T8 T9 3 ＋ T1 T2 2 － T3 T4 T7 T5 T6 1 5 Rp R1 1k Ω R3 1k Ω R2 50k Ω T12 R5 39k Ω IR E F T10 R3 5 k Ω T11 T1 3 B 9 Cc 3 0 p F 8 T1 6 T22 R6 50kΩ T17 R7 50 Ω A T19 R8 40kΩ T18 T24 T23 T21 T15 7 T14 ＋ VCC ＋ 1 5 V R9 4 5 Ω 6 ＋ R10 3 0 Ω T20 － VEE － 1 5 V 4 IE8 IE 9 iC3 iC4 I4 IC 12 IC1 1 IC1 0 IC 13B IC1 7 A B IC 13A io1 原理電路 66 華中科技大學(xué) 張林 BJT型 LM741集成運(yùn)算放大器 IE8 T1 ＋ vi/ 2 － iE 1 T3 iC3 iC 5 T5 T2 VCC T7 R1 1k Ω iE2 ＋ － vi/ 2 － iC4 iC6 iO1 T4 T6 R2 50 k Ω R3 1 k Ω IC 13B T16 R6 50 k Ω R7 50 Ω T1 7 IC 13 A re c 13 ＋ VCC ＋ 1 5 V T1 4 T1 9 T18 T20 T24 － VEE － 1 5 V vO ＋ IC1 0 T8 T9 I4 IC9 A B vo2 vo1 3 2 7 6 4 簡(jiǎn)化電路 67 華中科技大學(xué) 張林 BiJFET型集成運(yùn)算放大器 LF356 簡(jiǎn)化電路 CC T1 T2 T3 T 4 T5 T8 T9 T6 T7 T10 T11 3 2 1 5 4 7 6 － + I1 ， 2 I2 I5 ， 6 I1 I6 I8 I7 RP 25k ? D1 D2 R + VCC VEE 25 ? vO iB7 iC1 1 b9 g8 iC10 io io JFET差分式放大電路 BJT差分式放大電路 共集電極放大電路 復(fù)合管 共集電極放大電路 互
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1