微觀應力測定-預覽頁
【正文】 ? 式中 Size表示晶塊尺寸（ nm）， K為常數(shù)，一般取 K=1， λ是 X射線的波長 (nm)， FW（ S）是試樣寬化， θ則是衍射角。 衍射線變寬 ? （ 2）如果樣品為合金塊狀樣品，本來結(jié)晶完整，而且加工過程中無破碎，則線形的寬化完全由微觀應變引起。 使用與前面解卷積類似的公式解出兩種因素的大小 。 ? 要注意的是，當應變項為零時該公式變?yōu)镾cherrer公式。推薦使用該方法利用多衍射峰確定平均晶粒大小。即是說，各晶粒同一面族的面間距，分布在以 d0為中心的 d1～ d2范圍內(nèi)，對應的衍射線分布在以 θ0為中心的 θ1～ θ2范圍內(nèi)，即衍射線發(fā)生寬化。 )(ddE???S t ra i nEtgSFWEtgE????????????4)(? 雖然晶粒尺寸大小和微觀應力都會引起衍射線寬化，但兩者遵循的規(guī)律不同，晶粒細化引起的寬化與 λ 和 1/cosθ 成正比，而微觀應力引起的寬化與 tgθ 成正比。假如兩種寬化因素都存在，則應將兩者分開，然后分別進行計算。 ? 由實驗測得的譜線寬度 B是儀器寬度 b和物理寬度 β的合成寬度，欲求 β，首先要求 b， b可由事先采集的儀器寬度工作曲線求出。 ? ? ? 分析結(jié)果表明， Co3O4的復合晶粒形狀取決于 ? 100晶面與 111晶面生長速度， 111晶面生長速 ? 度快于 100晶面，平均晶粒外形是立方體；二 ? 者生長速度相當時，形成圓球狀外形； 100晶 ? 面生長速度快于 111晶面時，則形成八面體外 ? 形。多晶體是許多單晶體的集合，如果晶粒數(shù)目大且各晶粒的排列是完全無規(guī)則的統(tǒng)計均勻分布，即在不同方向上取向幾率相同，則這多晶集合體在不同方向上就會宏觀地表現(xiàn)出各種性能相同的現(xiàn)象，這叫各向同性。 ? 2 織構(gòu)類型 ： ? 為了具體描述織構(gòu) (即多晶體的取向分布規(guī)律 )，常把擇優(yōu)取向的晶體學方向 (晶向 ) 和晶體學平面 (晶面 ) 跟多晶體宏觀參考系相關(guān)連起來。理想的絲織構(gòu)往往沿材料流變方向?qū)ΨQ排列。 3 織構(gòu)的表示方法： ? 擇優(yōu)取向是多晶體在空間中聚集的現(xiàn)象，眼睛難于準確判定其取向，為了直觀地表示，必須把這種微觀的空間集聚取向的位置、角度、密度分布與材料的宏觀外觀坐標系（拉絲及纖維的軸向、軋板的軋向、橫向等）聯(lián)系起來，就可直觀地了解多晶體微觀的擇優(yōu)取向。 ? 依形變方式不同，形變織構(gòu)可分為絲織構(gòu)、擠壓織構(gòu)、鍛造織構(gòu)和軋制織構(gòu)。 材料科學與工程上織構(gòu)的研究主要包括： ? 織構(gòu)的實驗技術(shù)與模擬測算技術(shù)； ? 形變織構(gòu)，再結(jié)晶織構(gòu)，相變織構(gòu)，薄膜織構(gòu)等與成分，組織結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)的關(guān)系； ? 織構(gòu)與性能（力學、電磁學、深沖和腐蝕性能等）的關(guān)系； ? 織構(gòu)的工業(yè)應用和在線監(jiān)測監(jiān)控等低分辨織構(gòu)分析等諸方面； 織構(gòu)測量技術(shù) ? 一般帶有歐拉環(huán)的測角儀均可進行織構(gòu)測量； ? 測量時通常采用反射法； ? 新的織構(gòu)測量技術(shù)包括用能量色散探測器，位敏探測器以及面探測器用于替代一般的正比探測器等。 ? 當前材料織構(gòu)研究的主要動向，除實驗測試技術(shù)和織構(gòu)分析方法的不斷完善外，非金屬材料的織構(gòu)研究是一個重要特點，適應了高新技術(shù)材料的研究與開發(fā)
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