【摘要】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁完本頁完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點為返回返回1、發(fā)射機主振器的頻率可以降低,對穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應越低。一般主振器頻率不宜超過5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【摘要】封面西藏·圣湖瑪旁雍錯湖畔牧場返回引言本頁完引言晶體管在高頻小信號運用時,它的等效電路主要有兩種形式:形式等效電路和物理模擬等效電路(混合π參數(shù)等效電路)。返回形式等效電路通常亦稱為y參數(shù)等效電路,是選取輸入電壓和輸出電壓為自變量,輸入電流和輸出電流為參變量,阻
2025-05-13 00:49
【摘要】學生電子設計講座晶體管放大電路與簡單有線電報系統(tǒng)制作一:晶體管放大電路一、設計要求1、輸入信號(麥克風或信號發(fā)生器)2、輸出信號(驅(qū)動耳機)3、無明顯失真限晶體管放大用晶體管設計功放小信號放大功率放大晶體管放大電路一、設計要求限晶體管放大用晶體
2025-05-12 19:05
【摘要】**1目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁第7章晶體管特性圖示儀本章要點§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測量方法§?用晶體管特性圖示儀測量二極管、三極管和場效應管**3目 錄退 出下一頁上
2025-04-30 18:47
【摘要】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來看,晶體管由兩個十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個P-N結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【摘要】模擬電子學基礎實驗晶體管放大器的仿真實驗步驟(一)電路原理圖輸入1、啟動OrCAD/Capture?選擇“開始”→“程序”→“OrCAD”→“Capture”,以進入Capture的工作環(huán)境2、創(chuàng)建新項目?執(zhí)行File/New/Project命令?在Name框中鍵入欲建立項目的名稱(如:Amp
2025-02-06 11:27
【摘要】實驗二、晶體管共射極單管放大器1、學會放大器靜態(tài)工作點的調(diào)試方法,并觀察靜態(tài)工作點對放大器輸出波形的影響。2、掌握放大器電壓放大倍數(shù),輸入電阻,輸出電阻的測試方法。3、測量放大器的通頻帶4、熟悉常用電子儀器及模擬電路實驗設備的使用。圖2-1為電阻分壓式工作點穩(wěn)定單管放大器實驗電路圖,它的偏置電路采用RB1,RB2組成的分壓電路,并在發(fā)射極中有電阻RE。以穩(wěn)定放大器的靜
2025-04-17 02:38
【摘要】1功率場效應晶體管功率場效應晶體管是20世紀70年代中后期開發(fā)的新型功率半導體器件,通常又叫絕緣柵功率場效應晶體管,簡稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場效應晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【摘要】大功率晶體管技術(shù)畢業(yè)論文1緒論選題背景上世紀末,隨著大功率晶體管技術(shù)發(fā)展、大規(guī)模集成電路和計算機技術(shù)的飛躍發(fā)展,交流電機的變頻調(diào)速技術(shù)已日趨完善,并在各行各業(yè)中得到了廣泛的應用,尤其在暖通空調(diào)和加工領(lǐng)域其節(jié)能效益顯著。隨著經(jīng)濟改革的不斷深入,市場競爭的不斷加劇,節(jié)能降耗已經(jīng)成為降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品質(zhì)量的重要手段之一。改善現(xiàn)有設備的運行狀況,提高系統(tǒng)安全可靠性和設備利用率,延
2025-06-24 21:38
【摘要】微電子器件原理第七章MOS場效應晶體管2第七章MOS場效應晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【摘要】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場效應2、半導體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場效應1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場效應-V+_______
2025-05-10 19:00
【摘要】北京郵電大學電子電路綜合設計實驗報告晶體管放大倍數(shù)β檢測電路 班級: 學號: 姓名: 專業(yè):通信工程
2025-01-19 00:42
【摘要】本文格式為Word版,下載可任意編輯 《晶體管共射極單管放大電路》的實驗報告 實驗二晶體管共射極單管放大器 一、實驗目的 1.學會放大器靜態(tài)工作點的調(diào)式方法和測量方法。 2.掌握放大器電壓放...
2025-04-03 21:07
【摘要】半導體器件原理南京大學Chapter8.FET的補充分析CMOS器件設計與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù),主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)?;綜MOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對器件參數(shù)的依賴先進CMOS器件的
2025-05-03 08:13
【摘要】ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB測量電路晶體管和放大作用4——使用是否得當取決于對電路的理解程度IC(或IE)?IB這就是晶體管的電流放大作用2)晶體管放大的外部條件1)放大原理直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)正偏反偏發(fā)射結(jié)集電結(jié)(1)輸入