【正文】 ...........126 工程概況及投資分析 ..................................126 編制依據(jù) ............................................126 其它 ................................................127 資金籌措 ..................................................127 投資估算表 ............................................128第十七章 技術(shù)經(jīng)濟(jì)分析 ............................................129 項(xiàng)目概況 .................................................129 編制依據(jù) .................................................129 基本經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù) .............................................129 生產(chǎn)成本和費(fèi)用估算 .......................................130 銷售收入 ..................................................131 利潤 .....................................................131 財(cái)務(wù)評價(jià) .................................................132 財(cái)務(wù)盈利能力分析 ....................................132 清償能力分析 ........................................132 不確定性分析 ........................................132 財(cái)務(wù)評價(jià)結(jié)論 ..............................................133附表 ..........................................................134附圖 ..........................................................1341第一章 總論 概述 項(xiàng)目名稱、主辦單位、建設(shè)地點(diǎn)項(xiàng)目名稱：xxxxxx年產(chǎn) 3000 噸電子級多晶硅建設(shè)項(xiàng)目；主辦單位：xxxxxx；建設(shè)地址：xxxxxx； 編制依據(jù)和原則（1）編制依據(jù)a.《投資項(xiàng)目可行性研究指南》 ，國家計(jì)委，2022 年 1 月；b.《當(dāng)前國家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品和技術(shù)目錄》 ，2022 年修訂；c.《化工建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告內(nèi)容和深度的規(guī)定》化學(xué)工業(yè)部1997 年 8 月。積極采用國內(nèi)外先進(jìn)技術(shù)，做到工藝技術(shù)及設(shè)備先進(jìn)、可靠、成熟、以及具備國際競爭力的原則。 項(xiàng)目提出的背景及投資的必要性多晶硅材料作為制造集成電路硅襯底、太陽能電池等產(chǎn)品的主要原料，是發(fā)展信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)的重要基石。專家預(yù)計(jì)電子信息產(chǎn)業(yè)今后一段時(shí)期對多晶硅材料的需求量至少以每年5%的速度遞增。太陽能作為最重要的可再生能源之一，由于其清潔、衛(wèi)生、安全、資源豐富等多方面的優(yōu)勢，其發(fā)展越來越得到人們的重視。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈的上游主要包括生產(chǎn)太陽能電池所需要的核心原料—多晶硅材料的生產(chǎn)；但目前高純度多晶硅原料的供應(yīng)短缺，成為制約太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。由于多晶硅材料嚴(yán)重供不應(yīng)求，高純多晶硅國際市場供貨價(jià)格 2022年上漲到了 250～300 美元/公斤，目前國際市場長期供貨價(jià)格超過了300 美元/公斤，今年價(jià)格還將進(jìn)一步上漲到 350 美元/公斤。預(yù)計(jì) 2022 年我國太陽能電池的生產(chǎn)能力將達(dá)到 1900MW，對多晶硅材料的需求將達(dá) 15000～17000 噸，加上電子行業(yè)的需求，我國對多晶硅材料的需求量將超過 18000 噸。根據(jù)目前的市場格局和發(fā)展趨勢，本項(xiàng)目采用立足電路級，主要面向太陽能市場，暫不參與高端市場的建設(shè)方案。這里交通十分方便，自然環(huán)境良好，四季分明，氣候溫和，具有良好的投資發(fā)展環(huán)境。所用地位置應(yīng)盡量靠近三氯氫硅項(xiàng)目。據(jù) 1990 年水利區(qū)劃資料，全縣地表水資源量為108m3，其中境外客水 108m3；地下水資源量為108m3，其中地下水可開采量為 108m3。老哈河屬遼河二級支流水系，發(fā)源于河北省七老圖山脈的光頭山，自甸子鄉(xiāng)七家入境與黑里河匯流后，由西南向東北穿越全縣。 供電情況xxxxxx 縣電廠數(shù)量為 4 個(gè)（打虎石發(fā)電站、大城子釣魚臺發(fā)電站、大城子白塔子發(fā)電站、西泉發(fā)電站） 。有 494613 公里的低壓線路形成輻射全縣 13 個(gè)鄉(xiāng)鎮(zhèn)，342 個(gè)行政村的輸變電及高壓供電網(wǎng)絡(luò)。 “306 ”國道、 “207”省道貫通境內(nèi)，距“四平—承德” 、 “朝陽—赤峰”高速公路出口 30 公里左右，距“丹—拉”線赤峰北部大通道 300 公里。硅材料是生產(chǎn)集成電路和分立器件，如二極管、三極管、大功率整流管（ZP） 、晶閘管（KP） 、電力半導(dǎo)體模塊（GLRIPM） 、功率集成電路（PGC）等的基礎(chǔ)材料。隨著太陽能光伏發(fā)電行業(yè)的高速發(fā)展，其對高純度多晶硅材料的需求量將很快超過電子行業(yè)的需求量。1994 年全世界太陽能電池的生產(chǎn)量只有 69MW，而 2022 年就達(dá)到，10 年間就增長了 20 多倍，特別是 2022 年比上一年增長了61%。太陽能電池產(chǎn)量的高速增長導(dǎo)致對高純多晶硅材料的大量需求，預(yù)計(jì) 2022 年多晶硅材料的需求量為 37840 噸，到 2022 年的需求量將超過 73000 噸。世界主要多晶硅廠情況公 司產(chǎn)能T/A原料：直拉原料；工藝 現(xiàn)反應(yīng)器、產(chǎn)品形狀技術(shù)研發(fā)動(dòng)向及對應(yīng)產(chǎn)品方向14公 司產(chǎn)能T/A原料：直拉原料；工藝 現(xiàn)反應(yīng)器、產(chǎn)品形狀技術(shù)研發(fā)動(dòng)向及對應(yīng)產(chǎn)品方向HEMLOCKUSA7400CLH冶金SI；SIHCL3；改良西門子工藝SIEMENS REOCTOR 棒狀研發(fā)能生產(chǎn)粒狀反應(yīng)器；SOG 硅ToKuYamaJap5200ClH 冶金Si；SiHCl 3；改良西門子工藝Siemens 反應(yīng)器；Reoctor 棒狀VLD 工藝技術(shù)，TuBRcator；SOG硅WackerGerman5000ClH 冶金Si；SiHCl 3；改良西門子工藝Siemens 反應(yīng)器；R 棒狀FRB 反應(yīng)器技術(shù)裝置；粒狀 SOG 多晶硅MitsubishiUSA1200ClH 冶金Si；SiHCl 3；改良西門子工藝Siemens 反應(yīng)器；R 棒狀MitsubichJap1600ClH 冶金Si；SiHCl 3；改良西門子工藝Siemens 反應(yīng)器；R 棒狀SumitomoJap700ClH 冶金Si；SiHCl 3；改良西門子工藝Siemens 反應(yīng)棒狀MemeItaly1100 SiHCl3；改良西門子工藝 Siemens 反應(yīng)棒狀MemeUSA2700Al、Na、H H 2SiF；SiH 4；SiH 4熱分解工藝FRB 反應(yīng)器 粒狀硅SGSUSA2300冶金硅、SiClH 2；SiH 4；SiH 4熱分解工藝Siemens 反應(yīng)棒狀研 發(fā) 新 型 反 應(yīng) 器 ；采 用 SiH4熱 分 解 生產(chǎn) 粒 狀 多 晶 硅AsimiUSA2400冶金硅、SiClH 2；SiH 4；SiH 4熱分解工藝Siemens 反應(yīng)棒狀世界高純度多晶硅材料的產(chǎn)量從 2022 年的 30680 噸增長到 2022 年的 37500 噸左右。當(dāng)前我國電子級單晶硅、多晶硅與集成電路在發(fā)展步伐上不協(xié)調(diào)，產(chǎn)需不匹配的現(xiàn)象表現(xiàn)嚴(yán)重,尤其是生產(chǎn)電子級單晶硅所需的多晶硅基本都需從國外進(jìn)口。尤其從 2022 年開始，世界太陽能光伏發(fā)電市場的高速發(fā)16展帶動(dòng)了我國太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)的巨大發(fā)展。隨著新的生產(chǎn)能力的建設(shè)和投產(chǎn)，到 2022 年我國太陽能電池的生產(chǎn)能力也將大大超過 3000MW。七十年代多晶硅廠曾高達(dá) 20 多家，但生產(chǎn)規(guī)模小，年產(chǎn)量都在 30噸以下，生產(chǎn)裝備工藝落后、成本高、缺乏競爭力，所以陸續(xù)停產(chǎn)。一些大型電池和組件企業(yè)多晶硅原料庫存不足 5 天，許多小公司根本沒有硅原料庫存。因此，本可研報(bào)告多晶硅價(jià)格按 100 美元/公斤計(jì)，與目前市場價(jià)格相比較低，但隨著全世界多晶硅項(xiàng)目的建設(shè)和擴(kuò)產(chǎn)，最終價(jià)格應(yīng)保持在 80美元/公斤左右。工廠實(shí)際指標(biāo)見下表：多晶硅質(zhì)量指標(biāo)參 數(shù) 測量數(shù)值及單位 分 析 方 法 備 注摻雜及電阻率施主（P，As，Sb）150ppta（最大）500Ω﹒cm（最?。┦苤鳎˙，Al）100ppba（最大）5000Ω﹒cm（最小）雜質(zhì)含量的測定方法是用一個(gè)在區(qū)熔狀態(tài)下的樣品、通過光致發(fā)光光譜法（FTPL）或紅外吸收法（FTIR）獲得的。摻雜金屬元素?fù)诫s金屬元素（Fe，Cu，Ni，Cr，Zn）總含量：500pptw表面金屬元素Fe：500pptw/250ppta（最大）Cu：50pptw/25ppta（最大）Ni：100pptw/50ppta（最大）Cr：100pptw/55ppta（最大）Zn：300pptw/130ppta（最大）Na：800pptw/980ppta（最大）表面金屬元素含量采用感應(yīng)耦合等離子體法（ICP）、原子發(fā)射光譜法（AES）或其它類似的方法，測定多晶硅塊酸腐蝕溶液而確定的。使多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的廢氣、廢液、廢渣排放量、排放種類大大減少，環(huán)境保護(hù)從根本上得到了保證；22（2）采用高效、綜合回收的精餾系統(tǒng)，物料消耗、能耗得到大幅度下降；（3）采用大流量、高沉積速度的 18 對棒進(jìn)口還原爐工藝技術(shù)，大幅度提高了單爐年產(chǎn)量，降低了能耗；（4）采用還原尾氣的干法回收技術(shù)，原料綜合回收率達(dá) 95%，分離的氫氣、氯化氫產(chǎn)品質(zhì)量高，使混合氣中的各種有用物料得到最大限度回收利用，也提高了多晶硅產(chǎn)品品質(zhì)，減少了環(huán)境污染；（5）采用三相可控硅的還原電氣自動(dòng)控制技術(shù)，提高了還原的成功率、產(chǎn)量和安全性；（6）采用還原熱能綜合利用技術(shù)，降低了綜合能耗；（7）在系統(tǒng)綜合回收減少原料損耗的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)有完善的尾氣、殘液處理系統(tǒng)和先進(jìn)的廢水循環(huán)處理系統(tǒng)，確保了各項(xiàng)指標(biāo)均符合國家環(huán)保要求；（8）采用先進(jìn)的 DCS 自動(dòng)控制系統(tǒng)、過程產(chǎn)量、質(zhì)量更穩(wěn)定，減少操作人員，降低成本。該工藝是大部分物料在系統(tǒng)內(nèi)部循環(huán)的相對封閉的系統(tǒng)，技術(shù)成熟，生產(chǎn)穩(wěn)定、安全、可靠、產(chǎn)品質(zhì)量最穩(wěn)定。（3）多晶硅車間這一車間包括多晶硅制取工序、還原反應(yīng)氣分離回收系統(tǒng) CDI 和四氯化硅氫化工序。在合成爐內(nèi)，通過氫氣、氯氣混合氣體的燃燒反應(yīng)制得氯化氫。來自液氯汽化工序的氯氣通過氯氣緩沖罐，分別去生產(chǎn)線的氯化氫合成爐。氫氣和氯氣在爐內(nèi)燃燒，反應(yīng)生成氯化氫，反應(yīng)式如下：H2+Cl2=2HCl爐內(nèi)的工作壓力為 到 。尾氣處理系統(tǒng)分為：a） 用于在啟動(dòng)氯化氫合成爐上的安全爆破膜時(shí)，以及合成爐啟動(dòng)和停爐時(shí)的氯化氫廢氣處理系統(tǒng)，b）氯氣處理系統(tǒng)。部分鹽酸由一級吸收液泵送至鹽酸貯槽。洗滌液收集到一級洗滌液罐。26b）氯氣處理系統(tǒng)吹洗設(shè)備的廢氣和氯氣輸送管道的廢氣，以及氯氣緩沖罐安全閥泄放的氯氣被送到氯氣處理系統(tǒng)。冷卻器用循環(huán)水冷卻。在合成爐內(nèi)，用硅粉與氣態(tài)氯化氫反應(yīng)制得三氯氫硅。27氮?dú)怆娂訜崞饔糜趯⒌訜岬?450℃。b．三氯氫硅合成系統(tǒng)原料硅粉用運(yùn)輸罐送入車間，用單梁吊車，將運(yùn)輸罐提升并安裝在硅粉驗(yàn)收槽的頂部，并將硅粉放入接收槽內(nèi)。在三氯氫硅合成爐內(nèi)，硅粉和氯化氫發(fā)生反應(yīng)，生成三氯氫硅，同時(shí)生成四氯化硅、二氯氫硅、金屬氯化物、聚氯硅烷等副產(chǎn)物。28三氯氫硅合成爐生產(chǎn)線冷卻系統(tǒng)：該系統(tǒng)是一個(gè)封閉的回路，包括熱水循環(huán)泵將熱水送入反應(yīng)爐夾套，在此處熱水部分蒸發(fā)，移去反應(yīng)熱。當(dāng)用氮?dú)鈱Ψ磻?yīng)爐進(jìn)行加熱時(shí)，反應(yīng)爐的廢氣（氮和硅塵）被送往硅粉接收槽所配硅塵捕集器和袋式除塵器進(jìn)行凈化。當(dāng)反應(yīng)爐停下維修或更換硅時(shí)，用溫度為 300℃的熱氮?dú)猓?4 小時(shí)內(nèi)將其吹入氯化氫合成工序的氯化氫廢氣處理系統(tǒng)。出三氯氫硅合成爐的夾帶有硅粉的汽氣混合氣依次進(jìn)入一、二、三級旋風(fēng)除塵器，氣體中的大部分硅粉被分離下來，隨即落入安裝于下方29的三個(gè)集塵罐。從濕氫處理塔下部出來，含固態(tài)雜質(zhì)的汽氣液混合物進(jìn)入鼓泡蒸餾釜并被引至液下。 氯硅烷提純車間（1）三氯氫硅精餾三氯氫硅的精餾原理為：利用原料各種組分或成分在一定壓力、溫度下?lián)]發(fā)度不同的特點(diǎn)，采用高效篩板塔進(jìn)行有效分離，最終得到產(chǎn)品30純度滿足電子級要求的三氯氫硅產(chǎn)品。將粗三氯氫硅送入脫輕塔，在此進(jìn)行蒸餾脫二氯氫硅烷及其它輕組分。為此，將脫高塔塔頂三氯氫硅產(chǎn)品再經(jīng)兩個(gè)塔，進(jìn)一步脫除高、低沸物雜質(zhì)。由還原尾氣回收的氯硅烷連續(xù)進(jìn)入第一個(gè)塔，塔頂分離出粗三氯氫硅進(jìn)入第二個(gè)塔繼續(xù)分離，塔釜為四氯化硅，去四氯化硅氫化車間。當(dāng)槽內(nèi)的石灰漿濃度下降至 2%時(shí)，將含有CaC