【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM
2025-06-28 19:57
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)考試試題及答案一.填空題:(每題3分,共30分)1、N型半導(dǎo)體又稱電子型半導(dǎo)體,它主要靠自由電子導(dǎo)電。2、NPN型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時,三個極中電位最高的是c極。PNP型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時,三個極中電位最高的是e極3、單級共射放大器對信號有放大和反相兩個作用
2025-06-23 15:16
【摘要】、填空題:(每空3分,共15分)1.邏輯函數(shù)有四種表示方法,它們分別是(真值表)、(邏輯圖)、(邏輯表達(dá)式)和(卡諾圖)。2.將2020個“1”異或起來得到的結(jié)果是(0)。3.由555定時器構(gòu)成的三種電路中,(施密特觸發(fā)器)和(單穩(wěn)定觸發(fā)器)是脈沖的整形電路。4.TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入(高)
2025-10-11 09:56
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題庫一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲器,其
2025-06-22 17:27
【摘要】1《電力電子技術(shù)》期末標(biāo)準(zhǔn)試卷(A)(2022—2022學(xué)年第上學(xué)期)題號一二三四五總分得分一、填空題(每小空1分,共13分)1.正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中,當(dāng)改變__
2025-01-07 23:16
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一、填空題(20分)1、______電路和_______電路是兩種最基本的線性應(yīng)用電路。2、晶體二極管具有_______特性。3、放大電路的分析方法有______和小信號模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是__________。5、帶寬和________是放大電路的重要指標(biāo)之一。6、處理模擬信號的電子電路稱為_______。7、把整個電路中的元器件制
2025-08-05 10:19
【摘要】一、選擇題1、圖示電路中的電流I為()。2、圖示電路中電流I為(B.-15A)。,電流表正負(fù)接線端用“+”、“-”號標(biāo)出。今電流表指針正向偏轉(zhuǎn),示數(shù)10A,有關(guān)電流、電壓方向也表示在圖中,則(C)正確。C.I1=10A,U=12V4、圖示電路中,電流I為()5、圖示電路中U為()。6、圖示電路中,判斷電阻R中流通的
2025-06-23 23:34
【摘要】試題_2006_年~__2007__年第2學(xué)期課程名稱:數(shù)字電子技術(shù)專業(yè)年級:自動化05級考生學(xué)號:考生姓名:試卷類型:A卷■B卷□考試方式:
2025-10-16 13:00
【摘要】一、選擇題(每題1分,共13分)1、放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是( b ),而低頻作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是( a)(a)耦合電容和旁路電容的存在 (b)半導(dǎo)體管級間電容和分布電容的存在?(c)半導(dǎo)體管的非線性特性 (d)放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適2、電路如圖1所示,D1,D2均為理想二極管,設(shè)U1=10V,ui=40s
2025-06-24 23:32
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(導(dǎo)通),反偏時(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(反向)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏
2025-10-26 01:12
【摘要】電子技術(shù)模擬試題卷庫電子技術(shù)試卷一一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)(本大題共13小題,總計34分)1、(本小題2分)由開關(guān)組成的邏輯電路如圖所示,設(shè)開關(guān)接通為“1”,斷開為“0”,電燈亮為“1”,電燈暗為“0”,則該電路為()。(a)“與”門 (b)“或”門 (c)“非”門2、(本小題2
2025-03-25 06:14
【摘要】專業(yè)班號姓名學(xué)號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到
2025-03-25 04:55
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)模擬試題(1)一、填空題(每空1分,共20分)1、邏輯函數(shù)的化簡方法有_________和____________。2、()10=()2=()8421BCD。3、表示邏輯函數(shù)功能的常用方法有_________、_________卡諾圖等。4、組合電路由________________構(gòu)成,它的輸出只
2025-07-25 22:21
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33