【摘要】短溝道效應當MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現象在短溝道MOSFET中變得嚴重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【摘要】18/18
2025-08-03 05:35
【摘要】第一章電力電子器件電力電子器件(2)晶閘管?1.晶閘管的結構與工作原理?2.晶閘管的基本特性?3.晶閘管的主要參數?4.晶閘管的派生器件1晶閘管的結構與工作原理晶閘管(Thyristor)——硅晶體閘流管的簡稱又稱:可控硅整流器SCR,簡稱可控硅。晶閘管
2025-01-17 09:01
【摘要】-光電轉換的橋梁徐徐征征北京交通大學理學院光電子技術研究所v徐征博士教授博士生導師北京交通大學光電子技術研究所光學學會光電專業(yè)委員會委員中國儀器儀表學會光機電技術與系統(tǒng)集成分會理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學與光譜分析》
2024-12-31 22:44
【摘要】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現狀及應用前言在當今時代,環(huán)保和節(jié)能已經成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點。熱電轉化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點
【摘要】第五節(jié)其它新型電力電子器件?電力晶體管GTR?可關斷晶閘管GTO?功率場效應晶體管MOSFET?絕緣柵雙極晶體管IGBT?靜電感應晶體管SIT?靜電感應晶閘管SITH?MOS晶閘管MCT?MOS晶體管MGT一、雙極型器件GTO、GTR、SITH1、電力晶體管G
2025-01-01 02:39
【摘要】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯和并聯使用本章小結及作業(yè)1-2電子技術的基礎
2025-05-14 22:17
【摘要】-1-183。錄第一章183。品觀質觀念..............................................1一、人們常說的品質.........................................................1
2025-10-04 02:34
【摘要】品質經理職責:,參與質量策劃,持續(xù)改進管理體系..、客訴的分析處理、改善.,總結質量目標達成狀況,并研擬檢討改進措施.,并督導執(zhí)行.,人員工作安排、崗位調整等各項工作.、培訓工作.....QA主管職責﹔,未達質量目標項目改善對策提出及實施﹔﹔﹔﹔﹔﹔﹔9..﹔
2025-04-12 13:59
【摘要】ModernPowerElectronicsTechnology姓名:學號:學院(系):自動化學院專業(yè):電氣工程題目:電力電子器件在感應加熱電源中的應用指導老師:20
2025-06-06 23:29
【摘要】MOSFET的直流參數與溫度特性MOSFET的直流參數1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【摘要】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關系,然后再推導出“q~v”關系,兩者結合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導中要用到的關系式:
2025-01-01 04:40
【摘要】電流放大系數與頻率的關系電流放大系數與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內與信號有關的各電壓、電流和電荷量,
【摘要】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結構及工作原理二、門極可關斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場效應晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復習提問?1、什么是直流
2025-01-01 04:10
【摘要】PN結的擊穿雪崩倍增隧道效應熱擊穿擊穿現象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03