紅外成像陣列與系統(tǒng)-預覽頁
【正文】 結晶學； 微光成像技術； 成像陣列等方面的知識 。 引言 熱成像歷史基礎 : 是人類把手放在火燼余溫下感受其位置 。 1920年以后發(fā)展起來的電視技術對紅外熱成像的發(fā)展作了巨大的貢獻 。 GaAs負電子親和勢光電陰極 ， 第三代像增強器 。 1959年 ， 在美國的國家信號雷達建設部 ， Lawson發(fā)現(xiàn)一種只需致冷到 77K的MCT(mercury cadmium telluride)作為本征半導體光敏電阻 。 他們當然也擴大到軍事 ， 國內(nèi)民用以及研究領域范圍內(nèi) ， 如表 1所示 。發(fā)展成今天應用的單晶成像裝置 （ 第四章 ） ， 目前正在發(fā)展下一代單片的非致冷型鐵電體成像儀 。 1994年 ， Kanno et al在 NEC已經(jīng)開發(fā)了用于成像的溫差電池 ， 性能中等 （ 第六章 ） 。 所以將其集成到整個陣列上是很重要的 。 非致冷型熱像儀的電子材料歷史研究 1. 1 鐵電 熱電材料 ? 1974年， Lang回顧了鐵電材料 2300年的歷史 .溫度發(fā)生變化后晶體電極的另外一端出現(xiàn)補償電荷。 硫和紅色的氧化鉛粉末混合在一起吹進一塊絲質(zhì)屏幕 .硫的顆粒由于受摩擦而帶負電荷 ,受到晶體的正電荷部分的吸引 ,同時紅色的鉛微粒帶上正的電荷而向負電荷區(qū)漂移。 1994年 ,Resta明確地解釋了微觀電極化的可能進展。 如果此軸的方向和晶體表面垂直 ,就會在晶體表面上測出電壓和電荷位移 。 1962年， Cooper表明熱電方法要比介電方法優(yōu)越 ,靈敏度更高。Puthey,1966）。 ? ? 第二個生成非致冷型熱成像系統(tǒng)的有效途徑是利用電阻對溫度的依賴性。 圖 德州公司使用非致冷成像傳感器在 500米以外攝取 到的牛的圖像。 1993)。 ? 在 1972到 1973年間，在美國政府 RCA實驗室領導下，進行了該領域中的首項工程。這樣就封裝成一個手握的直視裝置。 ? 1994年 ， 英國展示了 100 100元的熱成像儀 (Watton,1994)。 另外對目標進行網(wǎng)狀化以增加 MTF和減少像素之間的串音 (Advena et al,1993)。現(xiàn)在 TI公司生產(chǎn)夜視技術傳感器用于法律實施目的 (Hanson,Beracan,1
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