靜電放電及其抗擾度試驗-預(yù)覽頁
【正文】 擬器的差異。 對靜電放電抗擾度試驗和試驗標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了研究 。? 模擬器開關(guān)對試驗結(jié)果有顯著影響，不同的模擬器高壓開關(guān)產(chǎn)生的電磁輻射場差別很大。10% /A I30ns177。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了 4個試驗等級和 1個開放等級。美國使用的 ANSI 于 IEC而制定的。? 歐洲使用的 EN6100042標(biāo)準(zhǔn)與其對等。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了兩種放電方式：接觸式放電和空氣放電方式。 IEC試驗標(biāo)準(zhǔn)及平臺5IEC標(biāo)準(zhǔn)電流波形6放電電壓 /kV IEC6100042標(biāo)準(zhǔn)電流參數(shù)Tr/ns Ip177。主要有以下一些試驗局限和試驗結(jié)果有效性問題：10? 不同廠家的模擬器靜電放電抗擾度試驗結(jié)果不同。 美國密蘇里大學(xué)的學(xué)者在 2022年最后一期 IEEE EMC上發(fā)表兩篇文章 。? 環(huán)上的感應(yīng)電壓是超高速 CMOS器件失效電平的最好指標(biāo)，由于器件使用高速 CMOS的成分在增加而且未來將繼續(xù)增加，所以需要修改 ESD標(biāo)準(zhǔn) 。20 造成上述情況的原因是由于 IEC標(biāo)準(zhǔn)對電流校驗波形的規(guī)定不夠嚴(yán)格，這使得不同模擬器得到靜電抗擾度測試結(jié)果存在明顯的差異。隨著 ESD電壓的升高，電子設(shè)備遭受的電磁干擾強度增大。而這些因素之間又有一定的關(guān)系，比如使電極漸進(jìn)速度用機器控制在 80cm/S到 1m/S這種接近實際情況下人的動作速度，就可以得到比較理想的且符合實際的實驗結(jié)果。? 研究改進(jìn)靜電放電抗擾度試驗標(biāo)準(zhǔn)。33
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