【正文】 － － － － － + + + + + + + + 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 PN結(jié)外加 正向電壓 時(shí) ， 呈現(xiàn)低電阻 ， 具有較大的正向擴(kuò)散電流 ， PN結(jié)導(dǎo)通 ； PN結(jié)加 反向電壓 時(shí)， 呈現(xiàn)高電阻 ， 具有很小的反向漂移電流 ， PN結(jié)截止 。 n —— 發(fā)射系數(shù) qkTVT ?回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 二極管處于反向偏置時(shí)，在一定的電壓范圍內(nèi)，流過 PN結(jié)的電流很小，但電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象我們就稱為 反向擊穿 。這種現(xiàn)象破壞了 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，我們?cè)谑褂脮r(shí)要避免。 剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在 P區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近 ， 形成一定的多子濃度梯度分布曲線 。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 2. 勢(shì)壘電容 勢(shì)壘電容是由空間電荷區(qū)離子薄層形成的 。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 1. 點(diǎn)接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。 ( d ) 代表符號(hào)k 陰極陽極 a回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 二、二極管的 VI特性 0 ?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8? 10? 20? 3 0? 4 05101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA死區(qū)VthVBR硅二極管 2CP10的 VI 特性 0?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6? 2 0? 4 0? 605101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA②①③VthVBR鍺二極管 2AP15的 VI 特性 正向特性 反向特性 反向擊穿特性 二極管的伏安特性曲線可用下式表示 )1( /SD D ?? TnVveIi+i Dv DR回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 硅二極管的死區(qū)電壓 Vth=， 鍺二極管的死區(qū)電壓 Vth=。 當(dāng) V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加， VBR稱為 反向擊穿電壓 。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 三、二極管的主要參數(shù) IF 二極管長期運(yùn)行時(shí)，允許流過二極管的最大正向平均電流。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 3. 反向電流 IR 指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電流。 4. 正向壓降 VF 在規(guī)定的正向電流下 ， 二極管的正向電壓降 。 id vd Id Vd Q ?id ?vd 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 6. 極間電容 Cd 極間電容是反映二極管中 PN結(jié)電容效應(yīng)的參數(shù)。 使用時(shí)，應(yīng)特別注意不要超過 最大整流電流 和 最高反向工作電壓 ，否則管子容易損壞。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 例 二極管電路及二極管的 VI 特性曲線如圖所示。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 二極管的伏安特性曲線可用下式表示 )1( /SD D ?? TnVveIi迭代法： n取 1時(shí)，有 ，稱為 指數(shù)模型 )1( /SD D ?? TVveIiRvVi DDDD??又 聯(lián)立求解上述兩式，即可求出 vD和 iD。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 二、二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法 1. 二極管 V I 特性的建模 （ 1） 理想模型 如圖所示，在 正向偏置 時(shí)，其 管壓降為 0V，而當(dāng)二極管處于 反向偏置 時(shí)，認(rèn)為它的 電阻為無窮大 ，電流為零。該模型提供了合理的近似，因此，應(yīng)用也較廣。已知 vs為正弦波，如圖所示。在每種情況下，應(yīng)用理想模型、恒壓降模型和折線模型求解。它是用來讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分。 V3R E Fo ?? Vv（ 2） 理想模型電路 R E FI Vv ?當(dāng) 時(shí)， ； Io vv ? V3R E Fo ?? VvR E FI Vv ?當(dāng) 時(shí)， 。 分析原則： 判斷二極管處于導(dǎo)通還是截止?fàn)顟B(tài)，可先將二極管斷開，然后計(jì)算陽、陰兩極間是正向電壓還是反向電壓，若是正向電壓則二極管導(dǎo)通，否則截止。 這種關(guān)系在數(shù)字電路中稱為 與邏輯 。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 例 如圖所示， VDD=5V， R=5kΩ，恒壓降 模型的VD=， vs=。 這種管子的雜質(zhì)濃度比較高，空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷密度也大，因而該區(qū)域很窄，容易形成強(qiáng)電場(chǎng)。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 1. 符號(hào)及穩(wěn)壓特性 (b) 伏安特性 Q VZ0 iD vD IZT Zr1(a)符號(hào) 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 VZ： 反向擊穿電壓 ，即穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓，它是在特定的 測(cè)試電流 IZT下得到的電壓值。 IZ(max)：穩(wěn)壓管工作在正常穩(wěn)定狀態(tài)的 最大工作電流 。 穩(wěn)壓管在直流穩(wěn)壓電源中獲得廣泛的應(yīng)用，下圖為并聯(lián)式穩(wěn)壓電路 。 1V的變化時(shí)， VO的變化是多少？ 解： ZZZ0Z IrVV ?? ?????? IrVV+ LR— + + — — RIVZDRVZIOVRI ? ?LO II穩(wěn)壓電路 + LR— + — RIVZrZIOVRI? ?LO IIZ0V電路模型 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 + LR— + — RIVZrZIOVRI? ?LO IIZ0V電路模型 OZR III ??ZZZ0LO IrVRI ??RIIrVV RZZZ0I ???? ?? ?RRrRRRRVRVI?????LZLLZ0LIZ當(dāng) 時(shí) V9110I ???V? ?m i nZZ II ??能正常工作 當(dāng) 時(shí) V11110I ???V ?I ???? I穩(wěn)壓管的變化電流為 0 . 2 0 ?????????? IrVV輸出電壓變化為 當(dāng) VI變化 177。 Q VZ0 iD vD IZT Zr1回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 溫度的變化將使 VZ改變，在穩(wěn)壓管中，當(dāng) ?VZ? ＞ 7V時(shí)， VZ具有正溫度系數(shù)，反向擊穿是雪崩擊穿。 穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定工作電流取決于最大耗散功率PZmax ， 即 PZmax =VZIZmax 。 二、變?nèi)荻O管 符號(hào) C/pF V/V 0 結(jié)電容與電壓的關(guān)系 （縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)刻度） 變?nèi)荻O管應(yīng)用很廣泛，尤其在高頻技術(shù)中。 光信號(hào)與電信號(hào)的接口需要一些特殊的光電子器件。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 PN結(jié)是半導(dǎo)體二極管和組成其他半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)，它是由 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體相結(jié)合而形成的。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 常用 VI特性來描述 PN結(jié)二極管的性能， VI特性的理論表達(dá)式為 。這些模型主要有：理想模型、恒壓降模型、折線模型、小信號(hào)模型等。齊納二極管的正向特性與普通二極管相近。 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 習(xí)題課 如圖，試判斷二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出 AO兩端電壓 VAO，設(shè)二極管是理想的。 解： （ 1） 當(dāng) VI最大，且 RL開路時(shí)， + LR— + — RIVZDZIOVRI OIZZZ IVP ? ? ?ORZ IIV ?????????? ???LZZIZ RVRVVV?????????????? ???ZLIZ11 VRRRVVRVVVP ZIZZ m a x???無最小值 回主頁 總目錄 章目錄 上一頁 下一頁 退出 習(xí)題課 （ 2） + LR— + — RIVZDZIOVRI OIL2ZOZL RVIVP ??? ?RVVRVIVP 2ZI2RRRR????負(fù)載 RL吸收的功率表達(dá)式： 限流電阻 R消耗的功率表達(dá)式：