《掌二極管全面解析》ppt課件-預(yù)覽頁
【正文】 ） 同時原子因失去價電子而帶正電 。 當(dāng) T=0K（無外界影響）時，共價鍵中無自由移動的電子。線性電子電路 主要內(nèi)容 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識 PN結(jié) 晶體二極管電路分析方法 晶體二極管的應(yīng)用 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識 半導(dǎo)體： 指導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅和鍺共價鍵結(jié)構(gòu)示意圖： 共價鍵 共價鍵具有很強的結(jié)合力。 本征激發(fā) 。即 自由電子和空穴 都 能 在晶格中 自由移動 。 溫度一定時： 激發(fā)與復(fù)合在某一熱平衡值上達(dá)到 動態(tài)平衡。 實際上制造晶體管的材料都是雜質(zhì)半導(dǎo)體。 +4 +4 +3 +4 +4 ? P型半導(dǎo)體： 簡化模型： P型半導(dǎo)體 少子 ——自由電子 多子 ——空穴 本征半導(dǎo)體中摻入少量 三價 元素構(gòu)成。 PN結(jié)的形成 利用摻雜工藝，把 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體在原子級上緊密結(jié)合， P區(qū)與 N區(qū)的交界面就形成了 PN結(jié) 。而 PN結(jié)的正偏特性就是給 PN結(jié)加正偏電壓時所表現(xiàn)出的特性。 二、反偏特性 E外 PN結(jié)反偏 阻擋層變寬 內(nèi)建電場增強 少子漂移 多子擴(kuò)散 少子 漂移 形成 微小 的反向電流 IS PN結(jié)截止 IS與 V 近似無關(guān)。 ? PN結(jié) ——伏安特性方程式 )1( TS ?? VVeIIqkTV ?T熱電壓 ? 26mV（ 室溫 ） 其中： IS為反向飽和電流，其值與外加電壓近似無關(guān)，但受溫度影響很大。 分析方法 返回 三、 PN結(jié)的擊穿特性 |V反 |?=V(BR)時 ， ? IR急劇 ??? ? PN結(jié)反向擊穿 。 ? 要求 ： Izmin Iz Izmax 穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) 穩(wěn)定電壓 UZ :在反向擊穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓， UZ是根據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一。 必須限制流過穩(wěn)壓管的電流 IZ，使其不超過規(guī)定值，以 免因過熱而燒壞管子。 勢壘區(qū)內(nèi)空間電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 曲線模型 ?曲線模型 — 伏安特性曲線 V(BR) I (mA) V(V) VD(on) IS 當(dāng) V VD(on)時 二極管 導(dǎo)通 當(dāng) V VD(on)時 二極管 截止 當(dāng)反向電壓 V ? V (BR)時 二極管 擊穿 晶體二極管的伏安特性曲線，通常由實測得到。 簡化電路模型： 折線等效時，二極管的簡化電路模型。 注意： 高頻電路中，需考慮 Cj影響。 利用二極管曲線模型和管外電路所確定的負(fù)載線 ，通過作圖的方法進(jìn)行求解 。 優(yōu)點： 直觀。 例 1： 已知電路參數(shù)和二極管伏安特性曲線， 試求電路的靜態(tài)工作點電壓和電流。 理想二極管：若 V0，則管子導(dǎo)通；反之截止。 例子 例 2：設(shè)二極管是理想的，求 VAO值。 此時 VD1= –6V 0V， 故 D1截止 。 解： vi 2V時 ， D導(dǎo)通 ， 則 vO=vi vi ?2V時 ， D截止 ， 則 vO=2V 由此可畫出 vO的波形 。 ? 利用小信號等效電路分析電壓與電流的變化量。 V1 V2 V2 V1 ?謝謝觀看
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