《掌二極管全面解析》ppt課件-文庫吧
2024-12-30 18:37 本頁面
【正文】 特性與 PN結(jié)有關(guān)。 PN結(jié)的形成 利用摻雜工藝，把 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體在原子級上緊密結(jié)合， P區(qū)與 N區(qū)的交界面就形成了 PN結(jié) 。 ?PN結(jié)形成的物理過程 : 因多子濃度差 產(chǎn)生空間電荷區(qū) 引起多子擴(kuò)散 出現(xiàn)內(nèi)建電場 阻止多子擴(kuò)散 利于少子漂移 最終達(dá)動態(tài)平衡 P 型 摻雜 N 型 E內(nèi) 注意： PN結(jié)處于動態(tài)平衡時，擴(kuò)散電流與漂移電流 相抵消，即通過 PN結(jié)的電流為零。 室溫時 鍺管 VB ? ~ 硅管 VB ? ~ 思考： 返回 PN結(jié)的特性 若將 PN結(jié)用導(dǎo)線連接起來，導(dǎo)線上會有電流產(chǎn)生嗎？ PN結(jié)的特性 PN結(jié) 的特性只有在外加電壓情況下才能表現(xiàn)出來，且只有在外加電壓作用下才能被我們所利用， 其基本特性 為 單向?qū)щ娦?（即正向?qū)?，反向截止）；除了單向?qū)щ娦酝膺€有 反向擊穿特性 、 溫度特性 、 電容特性 。 正偏 ： 是正向偏置的簡稱，正向偏置是指給 PN結(jié)的 P端 接電源的 “ +”極 ， N端接 電源的 “ ”極 的一種接法。而 PN結(jié)的正偏特性就是給 PN結(jié)加正偏電壓時所表現(xiàn)出的特性。 反偏 ： 是反向偏置的簡稱，反向偏置是指給 PN結(jié)的 P端 接電源的 “ ”極 ， N端 接電源的 “ +”極 的一種接法。而 PN結(jié)的反偏特性就是給 PN結(jié)加反偏電壓時所表現(xiàn)出的特性。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?（即正向?qū)ǎ聪蚪刂梗? 一、正偏特性 E外 I PN結(jié)正偏 阻擋層變薄 內(nèi)建電場減弱 多子擴(kuò)散 少子漂移 多子擴(kuò)散形成 較大的正向電流 I PN結(jié)導(dǎo)通 電壓 V ? 電流 I ?? PN結(jié)呈小電阻特性，理想情況下相當(dāng)于 開關(guān)閉合 。 二、反偏特性 E外 PN結(jié)反偏 阻擋層變寬 內(nèi)建電場增強(qiáng) 少子漂移 多子擴(kuò)散 少子 漂移 形成 微小 的反向電流 IS PN結(jié)截止 IS與 V 近似無關(guān)。 溫度 T ? 電流 IS?? IS PN結(jié)呈大電阻特性，理想情況下相當(dāng)于 開關(guān)斷開 。 結(jié)論： PN結(jié)具有單方向?qū)щ娞匦浴? 即正向?qū)?，反向截止? ? PN結(jié) ——伏安特性方程式 )1( TS ?? VVeIIqkTV ?T熱電壓 ? 26mV（ 室溫 ） 其中： IS為反向飽和電流，其值與外加電壓近似無關(guān)，但受溫度影響很大。 正偏時 ： TSVVeII ?反偏時 ： SII ??分析方法 返回 PN結(jié) —— 伏安特性曲線 ID(mA) V(V) VD(on) IS Si Ge VD(on)= IS=(109~1016)A 硅 PN結(jié) VD(on)= 鍺 PN結(jié) IS=(106~108)A V VD(on)時 隨著 V ? 正向 R很小 I ?? PN結(jié)導(dǎo)通 ； V VD(on)時 IR很小 (IR? IS) 反向 R很大 PN結(jié)截止 。 溫度每升高 10℃ ， IS約增加一倍。 溫度每升高 1℃ ， VD(on)約減小 。 分析方法 返回 三、 PN結(jié)的擊穿特性 |V反 |?=V(BR)時 ， ? IR急劇 ??? ? PN結(jié)反向擊穿 。 V
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1