半導體二極管門電路-文庫吧
2025-04-14 04:28 本頁面
【正文】 用０表示低電平 用 0表示高電平 用 1表示低電平 今后除非特別說明，本書中一律采用正邏輯。 第一節(jié) 半導體二極管門電路 6 下頁 返回 上頁 5. 門電路的發(fā)展 在最初的數(shù)字邏輯電路中，每個門電路都是用若干個分立的半導體器件和電阻、電容連接而成的。 用這種單元電路組成大規(guī)模的數(shù)字電路是非常困難的，這就嚴重地制約了數(shù)字電路的普遍應用。 隨著數(shù)字集成電路的問世和大規(guī)模集成電路工藝水平的不斷提高，今天已經(jīng)能把大量的門電路集成在一塊很小的半導體芯片上，構(gòu)成功能復雜的“片上系統(tǒng)”。 從制造工藝上可以將目前使用的數(shù)字集成電路分為雙極型 、 單極型 和 混合型 三種。 第一節(jié) 半導體二極管門電路 7 下頁 返回 上頁 1961年美國得克薩斯儀器公司率先將數(shù)字電路的元、器件制作在同一硅片上，制成了數(shù)字集成電路（ Integrated Circuits，簡稱 IC）。 由于集成電路 體積小 、 重量輕 、 可靠性好 ，因而在大多數(shù)領域里迅速取代了分立器件組成的數(shù)字電路。 直到 20世紀 80年代初，采用雙極型三極管組成的 TTL型集成電路一直是數(shù)字集成電路的主流產(chǎn)品。 TTL電路存在著一個嚴重的缺點，這就是它的功耗比較大。因此，用 TTL電路只能做成小規(guī)模集成電路 (簡稱 SSI，其中僅包含 10個以內(nèi)的門電路）和中規(guī)模集成電路 (簡稱 MSI，其中包含 10~100個門電路） 。 第一節(jié) 半導體二極管門電路 8 下頁 返回 上頁 CMOS集成電路出現(xiàn)于 20世紀 60年代后期，它最突出的優(yōu)點在于功耗極低，所以非常適合制作大
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