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正文內(nèi)容

大學(xué)物理第13章靜電場中的導(dǎo)體與電介質(zhì)-預(yù)覽頁

2025-02-06 19:39 上一頁面

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【正文】 14 6. 如圖所示 , 一圓柱形電容器 , 內(nèi)筒半徑為 R1, 外筒半徑為 R2 (R2< 2 R1), 其間充有相對介電常量分別為 ?r1和 ?r2= ?r1/2的兩層各向同性均勻電介質(zhì) , 其界面半徑為 R. 若兩種介質(zhì)的擊穿電場強(qiáng)度 EM相同 , 問: (1) 當(dāng)電壓升高時(shí),哪層介質(zhì)先擊穿? (2) 該電容器能承受多高的電壓? O R1 R2 R ?r2 ?r1 解: (1) 設(shè)內(nèi)、外筒單位長度帶電荷為+ l和 - l.兩筒間電位移的大小為 D= l / (2?r) 在兩層介質(zhì)中的場強(qiáng)大小分別為 E1 = l / (2??0 ?r1r), E2 = l / (2??0 ?r2r) 在兩層介質(zhì)中的場強(qiáng)最大處是各層介質(zhì)的內(nèi)表面處,即 E1M = l / (2??0 ?r1R1), E2M = l / (2??0 ?r2R) 可得 E1M / E2M = ?r2R / (?r1R1) = R / (2R1) 已知 R1< 2 R1, 可見 E1M< E2M,因此外層介質(zhì)先擊穿. 15 6. 如圖所示 , 一圓柱形電容器 , 內(nèi)筒半徑為 R1, 外筒半徑為 R2 (R2< 2 R1), 其間充有相對介電常量分別為 ?r1和 ?r2= ?r1/2的兩層各向同性均勻電介質(zhì) , 其界面半徑為 R. 若兩種介質(zhì)的擊穿電場強(qiáng)度 EM相同 , 問: (1) 當(dāng)電壓升高時(shí),哪層介質(zhì)先擊穿? (2) 該電容器能承受多高的電壓? O R1 R2 R ?r2 ?r1 解: (1) E1M = l / (2??0 ?r1R1), E2M = l / (2??0 ?r2R) R1< 2 R1,可見 E1M< E2M,因此外層介質(zhì)先擊穿. (2) 當(dāng)內(nèi)筒上電量達(dá)到 lM,使 E2M= EM時(shí),即被擊穿, lM = 2??0 ?r2REM 此時(shí).兩筒間電壓 (即最高電壓 )為: rrrrU RRrMRR rM d2d221 202212 ?? ?? ???l???l ???????? ??RRRRRErrMr22112 ln1ln1???16 7. 電容為 C0的平板電容器,接在電路中,如圖所示.若將相對介電常量為 ?r的各向同性均勻電介質(zhì)插入電容器中 (填滿空間 ),則此時(shí)電容器的電容為原來的 ______倍,電場能量是原來的 ______倍. 答案: ?r , ?r 0CC r?? 22 001122 rrW C U C U W??? ? ?8. 思考題: 電勢能、電容器存貯的能量、電場的能量三者之間有什么區(qū)別和聯(lián)系? 參考解答 : 電勢能是電場中相對于電勢零點(diǎn)的電勢高低而具有的能量,其具體大小與勢能零點(diǎn)的選擇有關(guān);電容器存貯的能量是由充電過程中非靜電力克服靜電力做功而儲(chǔ)存在電容器中的能量;電場的能量是以場的形式儲(chǔ)存在電場空間中的能量。 (2)維持電源不斷開,用力 F把電容器中的電介質(zhì)板拉出前后,電容器兩端的 電勢差維持不變 ,但由于電介質(zhì)的抽出仍然會(huì)使其 電容量減少 ,根據(jù)電容器的儲(chǔ)能公式: 221 CUW ?其儲(chǔ)存的能量將減少,這是由于在介質(zhì)抽出的過程中為維持其兩極板電勢差不變,電場力作了
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