[工學(xué)]微機(jī)原理及接口20xx年度第15次課-預(yù)覽頁
【正文】 芯片： 6116（ 2K*8位） 62128(16K*8位 ) 6224(8K*8位 ) 62256(32K*8位 ) 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第二節(jié) 隨機(jī)讀寫存儲器（ RAM） 二、隨機(jī)讀寫存儲器 靜態(tài)存儲器 SRAM SRAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)： 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第二節(jié) 隨機(jī)讀寫存儲器（ RAM） 二、隨機(jī)讀寫存儲器 靜態(tài)存儲器 SRAM SRAM6264芯片的引腳： 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第二節(jié) 隨機(jī)讀寫存儲器（ RAM） 二、隨機(jī)讀寫存儲器 動態(tài)存儲器 DRAM 存儲電路： 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第二節(jié) 隨機(jī)讀寫存儲器（ RAM） 二、隨機(jī)讀寫存儲器 動態(tài)存儲器 DRAM 特點(diǎn)： 1）由于采用對電容的充放電，存放信息，較 SRAM存取速度慢 2）可讀寫，失電后信息丟失 3）功耗小，集成度高，單片存儲容量大 4）需要配備刷新電路（ 2ms） 典型芯片 : 2164(64K*1位 ) 51C256(256K*1位 ) HM5116100(16M*1位 ) 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第二節(jié) 隨機(jī)讀寫存儲器（ RAM） 二、隨機(jī)讀寫存儲器 動態(tài)存儲器 DRAM 特點(diǎn)： 1）由于采用對電容的充放電，存放信息，較 SRAM存取速度慢 2）可讀寫，失電后信息丟失 3）功耗小，集成度高，單片存儲容量大 4）需要配備刷新電路（ 2ms） 典型芯片 : 2164(64K*1位 ) 51C256(256K*1位 ) HM5116100(16M*1位 ) 第二節(jié) 隨機(jī)讀寫存儲器（ RAM） 二、隨機(jī)讀寫存儲器 動態(tài)存儲器 DRAM 小結(jié) ！ ！ 存儲器的分類：內(nèi)存和外存 半導(dǎo)體存儲器的分類 半導(dǎo)體存儲器的指標(biāo)：容量和存取速度等 靜態(tài)存儲器 動態(tài)存儲器 8086CPU功能結(jié)構(gòu)圖 總 線 控 制 邏 輯 內(nèi)部總線 16位 地址加法器 總線接口單元BIU 1 2 3 4 5 6 指令隊(duì)列 執(zhí)行單元EU 通用寄存器 AX AH AL BX BH BL CX CH CL DX DH DL SP BP DI SI EU 控 制 器 CS DS SS ES IP 內(nèi)部通信 外部總線 ALU 暫 存 器 標(biāo)志寄存器 20位地址總線 16位數(shù)據(jù)總線
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