mos管工作原理講解-預(yù)覽頁
【正文】 點(diǎn) Q點(diǎn)： VGS 、 ID 、 VDS vGS = 2PGSD S SD )1( VvIi ??VDS = 已知 VP ，由 VDD ID (Rd + R ) iDR 可解出 Q點(diǎn)的 VGS 、 ID 、 VDS 25 FET放大電路的小信號(hào)模型分析法 1. FET小信號(hào)模型 （ 1）低頻模型 26 （ 2）高頻模型 1. FET小信號(hào)模型 27 2. 動(dòng)態(tài)指標(biāo)分析 （ 1）共源電路及其小信號(hào)模型 28 2. 動(dòng)態(tài)指標(biāo)分析 中頻小信號(hào)模型： 29 2. 動(dòng)態(tài)指標(biāo)分析 （ 2）中頻電壓增益 （ 3）輸入電阻 （ 4）輸出電阻 忽略 rD ?iV? gsV? RVg gsm ?? )1( mgs RgV ?? ??oV? dgsm RVg ???mVA?RgRgmdm1 ??//ii RR ??由輸入輸出回路得 則 gii IVR????)]//([ g2g1g3 RRR ? )]//([)1( g2g1g3mgsgs RRRRgrr ?????通常 則 )//(g2g1g3i RRRR ??do RR ?Rgrr )1( mgsgs ???gsgsgsmgsgsgs )(rVRVgrVV???? ???30 例 共漏極放大電路如圖示。 PN結(jié)反偏 耗盡層加厚 溝道變窄。 在預(yù)夾斷處 VGD=VGSVDS =VP 39 綜上分析可知 ? 溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， 所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管 。 即 可變電阻區(qū) :柵源電壓越負(fù) ，漏源間的等效電阻越大 ，輸出特性越傾斜 。 實(shí)驗(yàn)表明，在 VP≤VGS≤0范圍內(nèi)，即飽和區(qū)內(nèi)，有： vDS=10V 42 ① 夾斷電壓 VP (或 VGS(off))： ② 飽和漏極電流 IDSS： ③ 低頻跨導(dǎo) gm： DSGSDm Vvig??? 時(shí)）（當(dāng) ?????????? 0)1(2GSPPPGSD S Sm ????? vVVVvIg或 3. 主要參數(shù) 漏極電流約為零時(shí)的 VGS值 。 反映了 vDS對(duì) iD的影響。 指輸入 PN結(jié)反向電流開始急劇增加時(shí)的 vGS值。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電流。 見教材 P236
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1