【正文】 化銅，碳酸鋰，氧化鉍， 2CaO–Fe2O3），不同制備方法比較[10]，鉛含量變化影響 [11]，第二相的影響 [12]，煅燒溫度和燒結溫度 [13]的影響 等。隨頻率的升高，介電常數(shù)減小，介質(zhì)損耗增大，且在低溫側介電峰隨測試頻率的提高而略微向高溫方向移動，這就是頻率色散。 （ 1） xPMgNyPTzPZ 具有高機電耦合系數(shù)、高介電常數(shù)、較大的機械品質(zhì)因數(shù)和較好的穩(wěn)定性，用途廣泛，可做拾音器、微音器、濾波器、變壓器、超聲延遲線以及引爆用的火花塞等。 PMS 的加入使得 介電常數(shù) 下降 和介質(zhì)損耗 增加，居里溫度降低。該材料的特點是可獲得高的 Qm值，時間穩(wěn)定性好， Kp 值中等，介電常數(shù)較低。 PMN 的加入還會降低其居里溫度 [16]。選擇適當?shù)闹鞒煞峙浔龋色@得較高的溫度穩(wěn)定性。 （ 6） xPNNyPTzPZ 材料的特點是相對常數(shù)特大，可達 15260， Kp 可 在較寬范圍內(nèi)（ ）調(diào)節(jié)，添加適量的 MnO2 之后， Qm 可達 頻（低頻）特性良好，可用于揚聲器等電聲器件。 可提高陶瓷的壓電性能。 所以大功率壓電陶瓷變壓器用材料必須同時具有這樣“ 三 高”和“雙低”的性質(zhì)。 Pb(Mn1/3Sb2/3)O3（ PMS） 是文獻報道最常用的提高功率特性的馳豫鐵電體組元，其特征是復合鈣鈦礦的 B 位由受主摻雜元素 (Mn)和施主摻雜元素 (Sb， Nb)構成，受主摻雜使機械品質(zhì)因數(shù)提高，同時施主摻雜提高機電耦合系數(shù)。 根據(jù)設計的組成，按化學計量比稱取各氧化物，用行星球磨機在聚乙烯罐中混合球磨（蒸餾水，鋯球） 4h，將濕料在烘箱中 100176。取出后經(jīng)研磨，在相同條件下進行二次球磨 6h，將濕料在 100176。C 、 1225176。將陶瓷圓片打磨拋光、清洗、烘干，在兩面涂覆銀漿，于 550176。體積密度是指單位體積物質(zhì)的質(zhì)量。 （ 3） 從水中取出試樣用濕毛巾小心擦去表面多余的液滴 ,不能把 表面 氣孔中的液體吸出，立即稱出在空氣中的飽和重量 m2,然后 將試樣輕輕放入電子天平的吊藍中，同時浸沒在水中稱試樣的浮量 m3。C 1275176。 X 射線衍射儀是利用衍射原理，精確測定物質(zhì)的晶體結構，織構及應力，精確的進行物相分析、定性分析、定量分析，廣泛應用于冶金、化工、科研、航空航天、材料生產(chǎn)等領域，它的實驗方法簡便，所用測試設備簡單，尤其是它的測試結果的準確性，使 X 射線衍射這種方法成為研究晶體材料的主要測試方法。如果得到的 XRD 圖譜中有多個峰值 (即多個 2θ 值 )，那么就說明被測樣品就有多少個不同的晶向，即材料的取向性不好；反之，如果只有一個峰值，說明被測樣品具有很好的擇優(yōu)取向性。掃描電鏡能夠直接觀察 樣品表面的結構，樣品的尺寸大小；樣品制備過程簡單，不用切成薄片；景深大，圖像富有立體感。物體的這一性質(zhì)稱為介電性，其使電容量增加的倍數(shù)即為該物體的介電常數(shù)，用以表示物體介電性的大小。 對于壓電陶瓷，未極化之前，陶瓷內(nèi)部不存在極化強度，是一個各向同向的多晶體，各方向的性質(zhì)是相同的。不僅與應力 T、應變 S 有關，而且與電場強度 E、電位移 D 有關。 ② 機電耦合系數(shù) Kp 機電耦合系數(shù) K 是綜合反映壓電材料性能的參數(shù)，它表示壓電材料機械能與電22 能的耦合效應，是生產(chǎn)上用的最多的一個參數(shù)，定義為 ： K2=逆壓電效應轉(zhuǎn)換的機械能 /輸入總電能 或 K2=正壓電效應轉(zhuǎn)換的電能 /輸入總機械能 Kp 為平面 機電耦合系數(shù)，表示薄圓片振子沿徑向伸縮振動時的機電耦合系數(shù)。振動時晶格形變產(chǎn)生內(nèi)摩擦，而損耗一部分能量（轉(zhuǎn)換成熱能）。 本實驗采用阻抗分析儀PV70A 測試樣品的 Qm 值。這可能是由于隨著溫度的升高，樣品中產(chǎn)生大量的液相，液相會聚集在晶界，因而密度降低。 加入氧化鈰、氧化銣等氧化物后，仍沒有雜質(zhì)峰的出現(xiàn)，可見，該結構具有很好的穩(wěn)定性；且氧化物離子均進入晶格，成為結構的組成部分。另外可以看出晶粒間的閉氣孔逐漸減少，陶瓷材料更加致密。 PZTMS1 PZTMS2 PZTMS3 PZTMS4 PZTMS5 圖 不同組分陶瓷 樣品在 1200oC 下 SEM 顯微圖 介電 、 壓電 性能 圖 給出了 PZTMS+xwt.%Nb2O5+ywt.%Nd2O3+wmol%CeO2體系分別在1200176。C 的燒結溫度下的相對介電常數(shù) εT 33 /εo。當溫度高于 1200176。 圖 樣品的 εT33 /ε0 隨燒結溫度變化的關系 圖 是各組分的機電耦合系數(shù) Kp 隨燒結溫度變化的關系圖。C 是有極大值，其中PZTMS5 的 Kp 極大值在各組分中最大，達到 。 當樣品中晶粒較小時，晶界含量較多，機械能的傳遞受到阻礙；當晶粒較大時，晶界含量減小，由晶界造成的對電疇轉(zhuǎn)向的緩沖作用減弱，因而電疇翻轉(zhuǎn)容易。 當溫度27 進一步升高時，其密度降低而使得 Qm減小。C1275176。而 當燒結溫度高于 1200176。研究了 Nb、 Nd、Ce 摻雜和燒結溫度對體系相結構、顯微結構和壓電、介電性能的影響。 （ 3）研究了燒結溫度對陶瓷壓電、介電性能的影響。體系的最佳燒結溫度為 1200176。 30 謝 辭 經(jīng)過兩個多月的忙碌和工作，本次畢業(yè)論文已經(jīng)接近尾聲 。 左 老師淵博的知識、嚴謹?shù)闹螌W態(tài)度給我留下了極其深刻的印象，也使我受益菲淺。他們嚴謹?shù)慕虒W態(tài)度，崇實的教學精神，以及淵博的知識，使我領悟到了 “ 厚德、篤學、崇實、尚新 ” 的校訓。 毛潔 2021 年 6 月 31 [參考文獻 ] [1] 朱志剛，李寶山等， 硅摻雜 PMSPZT 材料的晶界行為對疇結構和壓電性 能的影響 [J].無機材料學報， 2021, 20 (3), 641647. 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