功率放大器外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路-預(yù)覽頁
【正文】 1]類似。第四部分給出了 PA的整體結(jié)果和設(shè)計(jì)。這將導(dǎo)致 MOSFET的開啟電壓增大使得跨導(dǎo)降低。 最后， CMOS晶體管的一個(gè)致命威脅是柵氧化層或 PN結(jié)暴露在過高的電壓下會直接被擊穿。反射波的幅度和相位可以通過反射因子ρ來度量。 A．駐波比 高電壓駐波會加速 PA電遷移的長期退化和熱載流子效應(yīng)，甚至?xí)⒓磳?dǎo)致晶體管的擊穿。 因此，有希望進(jìn)行替代解決在線路水平上 的問題，電壓反饋電路，以避免線路老化，該電路只適用雙極晶體管，不適合用于 CMOS功率放大器。兩個(gè)主要組成部分，過壓檢測器和偏置調(diào)節(jié)，將在未來章節(jié)中討論。 差分功率放大器需要單端轉(zhuǎn)換。所以偏置可設(shè)定為兩個(gè)階段。 通過不同的轉(zhuǎn)化率以及變壓器的大小，一個(gè)良好的級間匹配和輸入匹配被發(fā)現(xiàn)。當(dāng)電池充電時(shí)，電原電壓在很短時(shí)間 內(nèi)可達(dá)到 ，早先提交了一份輸出功率 CMOS功率放大器具有良好的性能，已高于 V的低電源電壓的可靠性問題。因此，在不同峰值電壓漏輸出駐波比時(shí)，可能會有所不同應(yīng)用條件。因此，輸出電壓不加載和功率放大器的表現(xiàn)也沒有變差。或 者到一個(gè)高阻抗低偏置電阻器使用，有可能節(jié)省芯片面積。 圖 3 D: 動態(tài)偏置調(diào)節(jié) 電壓是用來調(diào)節(jié)放大器的偏置點(diǎn)階段，一是讓簡單的電流是在功率放大器偏置在圖 2中使用。如果檢測出一個(gè)非常高的電壓射頻，電壓控制如上圖所示，目前晶體管減小，降低了放大器的偏置和增益級，從而降低輸出電壓擺幅回到正常狀態(tài) 該控制回路是晶體管 M3的電容在輸出階段。 5V和 50歐天線負(fù)載下的波形。在正常的操作下，通過保護(hù)電路功率放大器的表現(xiàn)是不會下 降的。 本科畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）外文翻譯 5 圖 6 測試結(jié)果 一種用于 CMOS功率放大器過電壓保護(hù)電路被提出了，在功率放大器 輸出高電壓時(shí)該電路需要被保護(hù)，當(dāng)負(fù)載不匹配，一個(gè)控制回路檢測在 PA輸出電壓幅度過高，降低了功率放大器的增益，以降低輸出電壓的值，控制回路是應(yīng)用于制作與量測在 CMOS功率
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