外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路-其他專業(yè)-預(yù)覽頁
【正文】 可能的情況之下保證可靠的操作。這個 PA 的設(shè)計(jì)是為了集成在 DECT電話芯片中，和參 考文獻(xiàn) [1]類似。第四部分給出了 PA 的整體結(jié)果和設(shè)計(jì)。這將導(dǎo)致 MOSFET 的開啟電壓增大使得跨導(dǎo)降低。 最后， CMOS 晶體管 的一個致命威脅是柵氧化層或 PN 結(jié) 暴露在過高的電壓下 會直接被 擊穿 。反射波的幅度和相位可以通過反射因子 ρ來度量 。 A．駐波比 高電壓駐波 會加速 PA 電遷移的長期退化和熱載流子效應(yīng)， 甚至?xí)?立即 導(dǎo)致晶體管的擊穿。 因此，有希望進(jìn)行替代解決在線路水平上的問題， 電壓反饋電路，以避免 線路老化，該電路只 適 用雙極晶體管，不適合用于 CMOS 功率放大器。兩個主要組成部分，過壓檢測器和偏置調(diào)節(jié)，將在未來章節(jié)中討論。 差分功率放大器需要單端轉(zhuǎn)換。所以偏置可設(shè)定為兩個階段。 通過不同的轉(zhuǎn)化率以及變壓器的大小 ，一個良好的級間匹配和輸入匹配被發(fā)現(xiàn)。 當(dāng)電池充電 時，電原電壓在很短時間內(nèi)可達(dá)到 ， 早先提交了一份輸出功率 微米的 CMOS 功率放大器具有良好的性能，已高于 V 的低電源電壓的可靠性問題 。因此，在不同峰值電壓漏輸出駐波比時，可能會有所不同應(yīng)用條件。因此，輸出電壓不加載和 功率放大器的 表現(xiàn)也沒有變差?；蛘叩揭粋€高阻抗低偏置電阻器使用，有可能節(jié)省芯片面積。 圖 3 D: 動態(tài)偏置調(diào)節(jié) 電壓是用來調(diào)節(jié)放大器的偏置點(diǎn)階段 ，一是 讓簡單的電流是在 功率放大器 偏置 在圖 2中 使用。 如果 檢測出 一個非常高的電壓 射頻，電壓控制如上圖所示， 目前晶體管減小，降低了放大器的偏置和增益級，從而降低輸出電壓擺幅回到 正常狀態(tài) 該控制回路是晶體管 M3 的電容在輸出階段。 5V 和 50 歐天線負(fù)載下的波形。在正常的操作下，通過保護(hù)電路功率放大器的表現(xiàn)是不會下降的。 圖 6 測 試 結(jié)果 一種用于 CMOS 功率放大器過電壓保護(hù)電路 被 提出了 ，在功率放大器輸出高電壓時該電路需要被保護(hù)，當(dāng)負(fù)載不匹配， 一個控制回路檢 測在 PA 輸出電壓幅度過高，降低了功率放大器的增益，以降低輸出電壓 的值，控制回路是 應(yīng)用于制作與量測在 微米 CMOS功率
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