外文翻譯---應(yīng)用于功率放大器的過壓保護(hù)電路-其他專業(yè)-全文預(yù)覽
【正文】 因此電壓波動(dòng)仍然存在。 讓擴(kuò)大路 在圖 4 中展示出來， 圖 4 正常操作的電壓一個(gè)相當(dāng)高的參考電壓。 很顯然，采用二極管連接的 PMOS 晶體管， 用晶體管代替二極管 是不可能的。如果在駐波比情況下， PA 的峰值輸出電壓超過 n?Vknee，通過二極管鏈和電容器 的 電流。因此，有 必要監(jiān)測與過壓檢測器都漏輸出的峰值電壓 C: 過電壓檢測 : 對(duì)于過電壓檢測電路如圖 3 它由 n 個(gè)二極管鏈和一個(gè)并聯(lián)電阻電容 組成 。 因此，除了保護(hù)電路的駐波，重點(diǎn)放在已經(jīng)意識(shí)到 的可行性設(shè)計(jì)和功率放大器的核心布局。 盡管如此 通過電容晶體管的空間是有限的， 此問題是更比雙極型器件的 CMOS 嚴(yán)重，獲取更高的頻率更差 。正如圖中可以看出。除芯片以外的所有 CMOS 采用 13 微米工藝。 駐波比保護(hù)提出功率放大器包括一個(gè)兩 個(gè) 階段 AB 類功率放大器的核心和輸出電壓控制回路。 這項(xiàng)工作提出了一個(gè)用于 CMOS 功率放大器 的 保護(hù)電路。一種辦法，應(yīng)付 CMOS 晶體管擊穿的問題是要面對(duì)它的工藝水平，融入標(biāo)準(zhǔn) CMOS高電壓兼容的晶體管。如果傳輸 信號(hào)幅度 為 Vf， 則駐波的最大幅 度為 Vmax =Vf（ 1 + |ρ|） 。 ?m 工藝的柵級(jí) 擊穿電壓 根據(jù)晶體管的種類 在 ~ 之間。 電遷移 通常是指在 電場的作用下導(dǎo)電離子運(yùn)動(dòng)造成元件或電路失效的現(xiàn)象。接著對(duì) VSWR 保護(hù)電路做了詳細(xì)的介紹，最后給出了測試和仿真結(jié)果。 PA 的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)和測試結(jié)果參照文獻(xiàn) [2]。 如果負(fù)載失配時(shí)，在 PA 輸出端將導(dǎo)致高的 VSWR，這 個(gè)問題 對(duì)于標(biāo)準(zhǔn) CMOS晶體管 的低 擊穿電壓 非常重要。大多數(shù)功率放大器是基于 SiGe 或GaAs 工藝 技術(shù)， 而 收發(fā)器和基帶電路 更加傾向于 使用低成本 的 標(biāo)準(zhǔn) CMOS 技術(shù) 。這個(gè)問題 特別體現(xiàn)在 PA 的輸出級(jí) ，當(dāng)負(fù)載不匹配 是， 導(dǎo)致高電壓駐波比 （ VSWR） 并在 PA 輸出 高峰峰值 電壓 。雖然目前 CMOS 價(jià)格 相對(duì) 比較 低廉 ，但是其 射頻性能 存在 劣勢 ，而且 還有 低 的 擊穿電壓 。 引言 功率放大器是每個(gè)射頻發(fā)射 機(jī) 的最重要部分之一。 一個(gè)主要的問題是將在所有
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