【正文】 基態(tài)原子核外電子的軌道表達(dá)式為_(kāi)_______________；在同周期元素中第一電離能介于C、E之間的元素是______（用化學(xué)式表示）。 若已知F晶胞參數(shù)為a pm，F(xiàn)相對(duì)原子質(zhì)量為M，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，請(qǐng)回答：①晶胞中F原子的配位數(shù)為_(kāi)______；F單質(zhì)晶體中原子的堆積方式是_________堆積。（5）A與F形成的某種化合物晶胞結(jié)構(gòu)如圖丁所示，該晶體的化學(xué)式為_(kāi)__________。（2）Mg2C3與CaC2的結(jié)構(gòu)相似，與水反應(yīng)可生成H2C=C=CH2，H2C=C=CH2端位碳原子的雜化方式是__，該反應(yīng)所涉及的元素中電負(fù)性最小的是__（填元素符號(hào)），Mg2C3和H2C=C=CH2中均不存在___（填字母）。MgO的晶格能為_(kāi)__kJcm?3，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。失去電子越難，第一電離能越大。②(NH4)3C19H8(OH)3(COO)3中有羥基和酯基，每個(gè)羥基的氧原子都和碳原子結(jié)合形成C—Oσ鍵，每個(gè)酯基中有2個(gè)C—Oσ鍵，所以1個(gè)(NH4)3C19H8(OH)3(COO)3單元的C—Oσ鍵總數(shù)為3+32=9個(gè)。cm3，所以一個(gè)晶胞的質(zhì)量為(a107)3dg?？芍?個(gè)N原子，共有5個(gè)2p軌道，形成一個(gè)大π鍵，該大π鍵含有5+1個(gè)=6電子，可用符號(hào)表示；③O、N的非金屬性較強(qiáng)，對(duì)應(yīng)的OH、NH都可與N形成氫鍵，根據(jù)圖示，氫鍵還有2種，可表示為(H3O+)OH…N(N5)、(NH4+)NH…N(N5)；(4)由，NA=1023mol－1，帶入數(shù)據(jù)，得。4．3d 鈦、鍺、硒 低 鄰苯二酚形成分子內(nèi)氫鍵，比對(duì)苯二酚易形成的分子間氫鍵作用力小，熔沸點(diǎn)低 6 形成配位鍵后，三價(jià)鈷的氧化性減弱，性質(zhì)變得穩(wěn)定 CD解析：3d 鈦、鍺、硒 低 鄰苯二酚形成分子內(nèi)氫鍵，比對(duì)苯二酚易形成的分子間氫鍵作用力小，熔沸點(diǎn)低 6 形成配位鍵后，三價(jià)鈷的氧化性減弱，性質(zhì)變得穩(wěn)定 CD 【解析】【分析】【詳解】(1)為28號(hào)元素，基態(tài)的電子排布式為[Ar]3d84s2，核外能量最高的電子位于3d能級(jí)；根據(jù)基態(tài)的電子排布式為[Ar]3d84s2，其3d能級(jí)上未成對(duì)電子數(shù)為2，同周期中，未成對(duì)電子數(shù)為2的還有：鈦為22號(hào)元素，基態(tài)電子排布式為：[Ar]3d24s鍺為32號(hào)元素，基態(tài)電子排布式為：[Ar]3d104s24p硒為34號(hào)元素，基態(tài)電子排布式為：[Ar]3d104s24p4，故答案為：鈦、鍺、硒；(2)鄰苯二酚易形成分子內(nèi)氫鍵，對(duì)苯二酚易形成的分子間氫鍵，后者分子間作用力較大，因此，熔沸點(diǎn)較低； (3)配合物是中內(nèi)界為；由表中數(shù)據(jù)可知，配位數(shù)為6的晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能為12Dq+3p，其能量降低的更多，能量越低越穩(wěn)定；性質(zhì)活潑，但很穩(wěn)定，說(shuō)明形成配位鍵后，三價(jià)鈷的氧化性減弱，性質(zhì)變得穩(wěn)定；(4)晶體結(jié)構(gòu)中陰陽(yáng)離子的配位數(shù)均為6，晶胞的俯視圖應(yīng)類(lèi)似于NaCl晶胞，而NaCl晶胞俯視圖為CD；從晶體中最小重復(fù)單元出發(fā)，1個(gè)晶胞中含Ni2+為 ，含O2為 即根據(jù)各微粒在晶胞中位置計(jì)算出每個(gè)NiO晶胞中含4個(gè)NiO， NiO的摩爾質(zhì)量75g/mol，晶體的密度除以1個(gè)晶胞的質(zhì)量除以1個(gè)晶胞的體積，即為 = ，故答案為：?！驹斀狻?1)基態(tài)鎳原子核外有28個(gè)電子， Ni原子的電子排布式為[Ar]3d84s2，上述材料中所含元素為K、Ca、Ni、Fe、As，這些元素的基態(tài)原子中，未成對(duì)電子數(shù)分別是0、3，未成對(duì)電子數(shù)最多的是Fe，故答案為：3d84s2；Fe；(2)配離子含有Fe，C，N，O4種元素，非金屬為C、N與O，原子軌道上電子處于全滿、全空、半滿時(shí)較穩(wěn)定，氮原子2p軌道上的電子為半充滿，相對(duì)穩(wěn)定，更不易失去電子，所以C、N、O這三種元素第一電離能最大的是N元素，[Fe(CN)6] 4中含有6個(gè)配位鍵，6個(gè)C≡N，因此σ鍵與π鍵的數(shù)目比為(6+6)∶62=1∶1，故答案為：N；1∶1；(3)①對(duì)于AsO33，根據(jù)VSEPR理論，VP=BP+LP=3+=4，則AsO33的立體構(gòu)型為三角錐形；等電子體是指原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)也相同的微粒，與AsO33互為等電子體的分子有：PClPBrNFNCl3等，故答案為：三角錐形；PClPBrNFNCl3等；②電子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)時(shí)，要釋放能量，所以金屬焰色反應(yīng)原理是激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí)，以一定波長(zhǎng)(可見(jiàn)光區(qū)域)光的形式釋放能量，故答案為：電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，會(huì)以光的形式釋放能量；(4)Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng)，故金屬Ni的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)均比金屬Ca的高，故答案為：Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng)；(5)①根據(jù)金屬鎳的原子堆積模型圖，金屬Ni的晶胞堆積方式呈現(xiàn)ABCABC……重復(fù)，這是面心立方最密堆積，A選項(xiàng)是某一個(gè)面的二維圖，俯視圖中還可以看到C中相對(duì)于A多出的4個(gè)面心硬球，則金屬鎳晶胞俯視圖為C，故答案為：C；②由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Ni位于晶胞的頂點(diǎn)和4條棱上，每個(gè)晶胞中含有Ni原子數(shù)目=8+4=2，As位于晶胞內(nèi)部，含有2個(gè)As原子，晶胞質(zhì)量=2g，晶胞的體積V=a1010 cma1010 cmsin60176。6．四面體形 N＞O＞H＞Mo 層與層之間的范德華力較弱，外力作用下易發(fā)生滑動(dòng) Π46 離子鍵、氫鍵 1：2 體心立方堆積 【解析】【分析】解析： 四面體形 N＞O＞H＞Mo 層與層之間的范德華力較弱，外力作用下易發(fā)生滑動(dòng) Π46 離子鍵、氫鍵 1：2 體心立方堆積 【解析】【分析】【詳解】(1)①M(fèi)o與Cr是同族元素，并且位于相鄰周期，則Mo處于周期表中第五周期VIB族，價(jià)電子排布式4d55s1，價(jià)電子軌道排布圖為：；(2)H2S中心原子S原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為=4，VSEPR模型為正四面體；一般金屬性越強(qiáng)第一電離能越小，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，N原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于氧元素的，故第一電離能：N＞O＞H＞Mo；具有類(lèi)似于石墨的層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間的范德華力較弱，在外力作用下容易發(fā)生滑動(dòng)，具有優(yōu)異的潤(rùn)滑性能；(3)CO32中，C原子為sp2雜化，空間構(gòu)型為平面三角形，碳原子上有一個(gè)垂直于分子平面的p軌道；端位的3個(gè)氧原子也各有1個(gè)垂直于分子平面的p軌道，離子價(jià)電子總數(shù)為36+4+2=24，3個(gè)C－O鍵有6個(gè)電子，每個(gè)氧原子上有2對(duì)不與分子平面垂直的孤對(duì)電子對(duì)，因此4個(gè)平行p軌道中共有24634=6個(gè)電子，所以CO32－離子中有1個(gè)4軌道6電子大π鍵，所以記為；(4)還存在Na+與[Mo(CN)8]3之間的離子鍵以及水分子之間的氫鍵；配體離子為CN，碳氮之間為三鍵，含有1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵，所以數(shù)目比為1:2；(5)如圖金屬鉬晶體中的原子堆積方式中，Mo原子處于立方體的體心與頂點(diǎn)，屬于體心立方堆積；晶胞中Mo原子數(shù)目=1+8=2，故晶胞中Mo原子總體積=2π(r1010 cm)3，晶胞質(zhì)量=g，則晶胞體積=2cm3，晶胞中原子的空間利用率=。其中NO2的N原子的其中一個(gè)雜化軌道上含一個(gè)單電子，NO2的N原子雜化軌道上含一對(duì)電子，則排斥力更大，鍵角更小；(4)苯環(huán)上羥基位置不同會(huì)形成不同種類(lèi)的氫鍵，從而影響物質(zhì)的沸點(diǎn)；(5) H2O與OF2分子結(jié)構(gòu)相似，比較O與H和F的電負(fù)性差值的相對(duì)大小進(jìn)行判斷；(6)由圖計(jì)算每個(gè)晶胞中含有的N5的數(shù)目；該結(jié)構(gòu)類(lèi)似四方ZnS的結(jié)構(gòu)，因此可以求算品胞中的離子數(shù)與陰陽(yáng)離子的最近距離。【點(diǎn)睛】本題(6)求算求算品胞中的Ag+與N5最近的距離，注意晶胞的立體結(jié)構(gòu)，而不要當(dāng)成平面圖形進(jìn)行計(jì)算，此為易錯(cuò)點(diǎn)?！军c(diǎn)睛】本題關(guān)鍵是根據(jù)所給信息推斷元素種類(lèi)；推斷晶體化學(xué)式時(shí)，需要根據(jù)晶胞中包含各元素種類(lèi)的個(gè)數(shù)比進(jìn)行判斷。其中A、B、C為同周期的非金屬元素，三元素處于短周期，且B、C原子中均有兩個(gè)未成對(duì)電子，二者外圍電子數(shù)排布分別為ns2npns2np4，結(jié)合A為非金屬元素，可知A為硼元素、B為碳元素、C為O元素；D、E為同周期元素且分別位于s區(qū)和d區(qū)，則二者處于第四周期，五種元素所有的s能級(jí)電子均為全充滿，則D為Ca；E的d能級(jí)電子數(shù)等于A、B、C最高能層的p能級(jí)電子數(shù)之和，則E的d能級(jí)電子數(shù)為1+2+4=7，即E的外圍電子排布為3d74s2，故E為Co，據(jù)此分析計(jì)算。【點(diǎn)睛】本題的難點(diǎn)為(4)，要注意B有空軌道，O存在孤電子對(duì)，關(guān)鍵是提供孤電子對(duì)的O氧原子的判斷，本題的易錯(cuò)點(diǎn)為(6)，要注意單位的換算?！驹斀狻浚?）Si的原子序數(shù)是14，價(jià)電子排布式為3s23p2；Mg的原子序數(shù)是12，位于第三周期，故最高能層符號(hào)為M；（2）H2C=C=CH2端位碳原子，形成3個(gè)鍵，沒(méi)有孤電子對(duì)，故雜化類(lèi)型為sp2，所涉及的元素中，電負(fù)性最小的是Mg； A．Mg2C3中的C32離子和H2C=C=CH2中均存在σ鍵，A不符合題意；B．Mg2C3和H2C=C=CH2中均不存在配位鍵，B符合題意；C．Mg2C3和H2C=C=CH2中均不存在氫鍵，C符合題意；D．Mg2C3中的C32離子和H2C=C=CH2中均存在π鍵，D不符合題意；答案選BC；（3）結(jié)合圖像，晶格能是氣態(tài)離子形成1mol離子晶體釋放的能量，MgO的晶格能為3845