20xx用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)報(bào)告!! -預(yù)覽頁
【正文】 場(chǎng)線處處相互垂直。此資料由網(wǎng)絡(luò)收集而來，如有侵權(quán)請(qǐng)告知上傳者立即刪除。模擬的條件是：穩(wěn)恒電流場(chǎng)中的電極形狀應(yīng)與被模擬的靜電場(chǎng)中的帶電體幾何形狀相同；穩(wěn)恒電流場(chǎng)中的導(dǎo)電介質(zhì)是不良導(dǎo)體且電導(dǎo)率分布均勻，并滿足σ極σ介以保證電流場(chǎng)中的電極（良導(dǎo)體）的表面也近似是一個(gè)等勢(shì)面；模擬所用電極系統(tǒng)與被模擬電極系統(tǒng)的邊界條件相同。這導(dǎo)致被測(cè)繪的電場(chǎng)在近邊界處受邊界形狀影響產(chǎn)生變形，不能表現(xiàn)出電場(chǎng)在無限空間中的分布
特性。
3．從對(duì)長(zhǎng)直同軸圓柱面的等勢(shì)線的定量分析看，測(cè)得的等勢(shì)線半徑和理論值相比是偏大還是偏??？有哪些可能的原因?qū)е逻@樣的結(jié)果？
⑴偏大，可能原因有電極直徑測(cè)量偏大，外環(huán)電極表面有氧化層產(chǎn)生附加電阻，電壓標(biāo)示器件顯示偏大等；⑵偏小，可能原因有電極直徑測(cè)量偏小，中心電極表面有氧化層產(chǎn)生附加電阻，電壓標(biāo)示器件顯示偏小等。
[實(shí)驗(yàn)原理] 【實(shí)驗(yàn)原理】
靜電場(chǎng)的描述
電場(chǎng)強(qiáng)度E是一個(gè)矢量。
實(shí)驗(yàn)中的困難
實(shí)驗(yàn)上想利用磁電式電壓表直接測(cè)定靜電場(chǎng)的電位，是不可能的，因?yàn)槿魏未烹娛诫姳矶夹枰须娏魍ㄟ^才能偏轉(zhuǎn)，而靜電場(chǎng)是無電流的。這種模擬屬于數(shù)學(xué)模擬。由于穩(wěn)恒電流場(chǎng)和靜電場(chǎng)具有這種等效性，因此要測(cè)繪靜電場(chǎng)的分布，只要測(cè)繪相應(yīng)的穩(wěn)恒電流場(chǎng)的分布就行了。
（2）接好電路。
（4）移動(dòng)探針，在A電極附近找出電勢(shì)為10V的點(diǎn)，用上探針在坐標(biāo)紙上扎孔為記。量出各條等勢(shì)線的坐標(biāo)r（不一定都相等），并分別求其平均值。
（10）以l為橫坐標(biāo)，V實(shí)為縱坐標(biāo)，做V實(shí)l曲線，并與V理l曲線比較
測(cè)量聚焦電極的電勢(shì)分布（選做）
、2 .00V、一般先測(cè)5 .00V的等位點(diǎn)，因?yàn)檫@是電極的對(duì)稱軸。
（2）等勢(shì)面由人工擬合，因此半徑的計(jì)算較粗糙，估計(jì)至少?r?，分析對(duì)第一組的影響，
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說明在確定數(shù)據(jù)點(diǎn)時(shí)，一定要保證裝置以及操作的穩(wěn)定性，另外數(shù)據(jù)盡量多，以減少實(shí)驗(yàn)值的波動(dòng)性。
[實(shí)驗(yàn)原理] 【實(shí)驗(yàn)原理】
靜電場(chǎng)的描述
電場(chǎng)強(qiáng)度E是一個(gè)矢量。
實(shí)驗(yàn)中的困難
實(shí)驗(yàn)上想利用磁電式電壓表直接測(cè)定靜電場(chǎng)的電位，是不可能的，因?yàn)槿魏未烹娛诫姳矶夹枰须娏魍ㄟ^才能偏轉(zhuǎn)，而靜電場(chǎng)是無電流的。這種模擬屬于數(shù)學(xué)模擬。由于穩(wěn)恒電流場(chǎng)和靜電場(chǎng)具有這種等效性，因此要測(cè)繪靜電場(chǎng)的分布，只要測(cè)繪相應(yīng)的穩(wěn)恒電流場(chǎng)的分布就行了。
（2）按圖175接好電路。
（4）將交流毫伏表與下探針連接。
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（6）分別用8個(gè)等勢(shì)點(diǎn)連成等勢(shì)線（應(yīng)是圓），確定圓心O的位置。
（9）根據(jù)等勢(shì)線與電力線相互正交的特點(diǎn)，在等勢(shì)線圖上添置電力線，成為一張完整的兩無限長(zhǎng)帶等量異號(hào)電荷同軸圓柱面的靜電場(chǎng)分布圖。這充分說明實(shí)驗(yàn)中要保證水槽 的水介質(zhì)要均勻分布，并且描繪的等勢(shì)點(diǎn)不能太少，否則半徑會(huì)引入較大
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