20xx用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)報(bào)告!!-wenkub.com
2025-01-12 05:56 本頁(yè)面
【正文】 (2) 等勢(shì)面由人工擬合，因此半徑的計(jì)算較粗糙，估計(jì)至少?r?，分析對(duì)第一
組的影響，
r
V?r?
由V?VA知，?V??r?A????
???100%?12%
8
ln
說明在確定數(shù)據(jù)點(diǎn)時(shí)，一定要保證裝置以及操作的穩(wěn)定性，另外數(shù)據(jù)盡量多，以減少實(shí)驗(yàn)值的波動(dòng)性。
步驟同上
[數(shù)據(jù)記錄]
模擬電場(chǎng)分布測(cè)試數(shù)據(jù)
V理(V) r(cm) V理
？ ？
1．10 8．17 2．1%
1．50 4．9%
2．15 3．4%
3．12 3．8%
？ ？ ？
3．58 6．
5%
V實(shí)?V理
V理
(%)
？
處理：
用圓規(guī)和曲線板繪出園柱形同軸電纜電場(chǎng)等位線(注意電極的位置). 根據(jù)電力線垂直等位面,繪出電力線. 貼圖1：同軸援助體
貼圖2：聚焦電極
3
在圓柱形電纜電場(chǎng)分布圖上量出各等位線的半徑,計(jì)算V并與理論值比較,求出其相對(duì)誤差.
rln(1)
?(V)； （1）r1?；則V1?VA
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Ev?
V實(shí)?V理
V理
?100%??%
rln(1)
?(V)； （2）r2?；則V2?VA
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Ev?
V實(shí)?V理
V理
?100%??%
（3）要具體計(jì)算 （4）要具體計(jì)算 （5）要具體計(jì)算
結(jié)果分析：
由圖中可以看出實(shí)際測(cè)量值都在理論值的下方，說明實(shí)驗(yàn)的誤差主要來自系統(tǒng)誤差。
（7）用游標(biāo)卡尺分別測(cè)出電極A和B的直徑2a和2b 。同理再在A周圍找出電勢(shì)為10V的等勢(shì)點(diǎn)7個(gè)，扎孔為記。
（3）接通電源，K2扳向“電壓輸出”位置。
（1）在測(cè)試儀上層板上放定一張坐標(biāo)記錄紙，下層板上放置水槽式無限長(zhǎng)同軸圓柱面電場(chǎng)模擬電極。電流密度為
??E?
j?
?
式中E′為不良導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，ρ為不良導(dǎo)體的電阻率。人們?cè)趯?shí)踐中發(fā)現(xiàn)，有些測(cè)量在實(shí)際情況下難于進(jìn)行時(shí)，可以通過一定的方法，模擬實(shí)際情況而進(jìn)行測(cè)量，這種方法稱為“模擬法”。我們可以先測(cè)得等位面，再根據(jù)電力線與等位面處處正交的特點(diǎn)，作出電力線，整個(gè)電場(chǎng)的分布就可以用幾何圖形清楚地表示出來了。
2．對(duì)于給定的電極，能用模擬法求出其電場(chǎng)分布。%，%，超出了儀器的精度1%，認(rèn)為系統(tǒng)誤差在操作中某實(shí)驗(yàn)條件未符合時(shí)引入的，并且半徑越小的地方誤差越大。
（8）計(jì)算各相應(yīng)坐標(biāo)r處的電勢(shì)的理論值V理，并與實(shí)驗(yàn)值比較，計(jì)算百分差。
（5）移動(dòng)探針，在A電極周圍找出電勢(shì)分別為8V，6V，4V，2V的各8個(gè)等勢(shì)點(diǎn)（圓越大，應(yīng)多找?guī)c(diǎn)），方法如步驟（4）。
（3）接通電源，K2扳向“電壓輸出”位置。
（1）在測(cè)試儀上層板上放定一張坐標(biāo)記錄紙，下層板上放置水槽式無限長(zhǎng)同軸圓柱面電場(chǎng)模擬電極。電流密度為
??E?
j??
式中E′為不良導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，ρ為不良導(dǎo)體的電阻率。人們?cè)趯?shí)踐中發(fā)現(xiàn)，有些測(cè)量在實(shí)際情況下難于進(jìn)行時(shí)，可以通過一
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