【正文】 r adl[4]。 unsigned int dy=0。 ROM KO[]={.}。 ROM QI[]={7}。 ROM SA[]={3}。 ROM MA[]={mA}。 ROM TZL[]={調(diào)整率 }。 /**************************************************************************************************/ define CLRWDT _asm CLRWDT _endasm define RSFX define RS define RWFX define RW define EFX define E 22 define ADDFX //S1 define ADD define SHIFTFX //S2 define SHIFT define MENFX //S3 define MEN define UPFX //S4 define UP define DOWNFX //S5 define DOWN define SDDLFX //S6 define SDDL /******************************************************/ define FirstLineStart 0x80 define SecondLineStart 0x90 define ThirdLineStart 0x88 define FourthLineStart 0x98 define COM 0 define DAT 1 define TIMERCOUNT 1400 /****************顯示設(shè)置 *************************/ ROM SD[]={設(shè)定 }。 int tzl。 //unsigned char GZBZ_data。 unsigned int data3=0。 unsigned int DYFK。 unsigned char YXCKMS。我們會(huì)在今后的學(xué)習(xí) 過程中不斷努力，不斷進(jìn)步。 此電 子負(fù)載能很好的替代 傳統(tǒng)的測試方法中一般采用的電阻、滑線變阻器、電阻箱等，更 簡單、更快捷、更可靠地對電源、變壓器、整流器等電子設(shè)備進(jìn)行輸出特性的測試。 電子負(fù)載程序設(shè)計(jì)流程圖 14 ⑴電子負(fù)載程序設(shè)計(jì)主程序流程圖如圖 3－ 1 所示。 ⑵根據(jù)算法畫出程序框圖。短路保護(hù)測試是驗(yàn)證當(dāng)輸出短路時(shí) , 電源能否正確反應(yīng)。過電壓保護(hù)測試用來驗(yàn)證電源在出現(xiàn)上述異常情況時(shí) , 能否正確地作出反應(yīng)。 13 因?yàn)槭侵苯玉詈希市盘栐磧?nèi)阻直接串入輸入端。 ② 電路的調(diào)整方法和注意事項(xiàng) 將輸入端接地，調(diào)整調(diào)零電位器 R4，使輸出電壓為零。為減少輸入基極電流造成的誤差，應(yīng)使平衡電阻 R5 等于 R6 和 R4 的并聯(lián)。 電路的輸入電阻為 R4，若要保證電路放大倍數(shù)足夠大，則 Rf 值勢必要相應(yīng)的增大。 Rp＝ R4//R6。 集成運(yùn)放的應(yīng)用 在本設(shè)計(jì)中，電流信號的檢測放大部分、單片機(jī)控制功率信號輸出部分，以及場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)信號部分，均應(yīng)用集成運(yùn)放芯片進(jìn)行信號的放大及 處理。過電壓保護(hù)的設(shè)計(jì)也可以簡單一些。 ②由于 MOS 管是電壓控制器件，它不像雙極型晶體管那樣，在基區(qū)有可能積存大量少數(shù)載流子，從而影響高速開關(guān)。 圖 26 LM324 內(nèi)部電路 圖 27電流采樣原理圖 10 電壓采樣 電壓采樣也運(yùn)用了 LM324 用作反向放大器 圖 28電壓采樣原理圖 MOSFET 場效管的應(yīng)用 MOS 型晶體管的特點(diǎn)是特別適合于開關(guān)狀態(tài)工作，因?yàn)樗驅(qū)〞r(shí)的電阻極小，而且開關(guān)速度快，所以是一種理想的開關(guān)元件。 方案二 ：使用功能更好的液晶顯示，增加顯示信息的可讀性，看起來更方便。如果能把 1次 諧波很好的過濾掉，則高次諧波就應(yīng)該就基本不存在了。把式（ ）所表示的函數(shù)展開傅里葉級數(shù)，得到式（ ） ? ?22( ) 2 s in c o s22 s in c o sHLH L Lm HLkn V V n nf t V V V t kN N N T NV V n nk k t kN N T N????? ? ??????? ? ? ? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ???? ? ? ? ? ?? ? ? ??? ? ? ?? ? ? ?? （ ） 從式（ ）可以看出，式中第一個(gè)方括弧為直流分量，第二項(xiàng)為第一次諧波分量，第三項(xiàng)為大于一次的高次諧波分量。由于一般 單片機(jī)內(nèi)部都有定時(shí)器，因此可直接利用片內(nèi)定時(shí)器來產(chǎn)生 PWM 信號即可 D/A 轉(zhuǎn)換 一、 應(yīng)用 PWM 實(shí)現(xiàn) D/A 轉(zhuǎn)換的理論分析 應(yīng)用周期一定而高低電平的占空比可以調(diào)制的 PWM 方波信號，實(shí)現(xiàn) PWM 信號到 D/A 轉(zhuǎn)換器的理想方法是：采用模擬低通濾波器濾掉 PWM 輸出的高頻部分，保留低頻的直流分量，即可得到對應(yīng)的 D/A 轉(zhuǎn)換輸出，低通濾波器的帶寬決定了 D/A 轉(zhuǎn)換器的帶寬的范圍。例如 ,采樣和保持就利用一個(gè)電路連接完成 ,量化和編碼也是在轉(zhuǎn)換過程同時(shí)實(shí)現(xiàn)的 ,且所用時(shí)間又是保持時(shí)間的一部分。要把一個(gè)采樣輸出信號數(shù)字化 ,需要將采樣輸出所得的瞬時(shí)模擬信號保持一段時(shí)間 ,這就是保持過程。這就能夠通過單片機(jī)的 PWM 輸出，再加上簡單的外圍電路及對應(yīng)的軟件設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)對 PWM 的信號處理，得到穩(wěn)定，精確的模擬輸出，以實(shí)現(xiàn) D/A 轉(zhuǎn)換，這將大大降低電子設(shè)備的成本， 6 減小體積，并容易提高精度。 2 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì) 電子負(fù)載設(shè)計(jì)模塊方框圖 控制器恒 流 電 路電 壓 電 流 檢 測鍵盤與顯示被 測電 源設(shè) 備?+功 率器 件直 流 電 子 負(fù) 載 圖 2－ 1 電子負(fù)載設(shè)計(jì)模塊 方框圖 pic18f4520 單片機(jī)性能特點(diǎn) 一、高性能 RISC CPU C 編譯器優(yōu)化體系結(jié)構(gòu) /指令設(shè)置； 兼容 PIC16 和 PIC17 指令源代碼； 高達(dá) 2MB 的程序存儲(chǔ)器； 高達(dá) 4KB 的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器； 二、優(yōu)越的外圍功能模塊特征 最大拉 /灌電流可達(dá) 25mA； 3 個(gè)外部中斷引腳； 4 個(gè)定時(shí)器 TMR0、 TMR TMR TMR3； 捕捉 /比較 /脈寬調(diào)制（ CCP）模塊 /增強(qiáng)型 CCP 模塊； 兩種工作方式的主同步串行通訊（ MSSP）： ① SPI 主控方式（支持所有 4 種 SPI 工作模式）； ② I2C 主控 /從動(dòng)方式； 可尋址的 USART 模塊：支持 RS485 和 RS232 串口 ,并行從動(dòng)口模式 ,支持中斷支持位。 A/D 對實(shí)際電壓電流的反饋有利于單片機(jī)智能的對輸出值進(jìn)行修正，這是方案一所不具備的。 通過電流電壓采樣使單片機(jī)輸入到主電路 PWM 變化 ， 達(dá)到題目要求 。 圖 14 基于單片機(jī)的數(shù)控直流電子負(fù)載的原理圖 此方案控制核心采用 pic18f4520單片機(jī)。電路的輸出有兩個(gè)。同時(shí)，系統(tǒng)的擴(kuò)展性較差也是其弊端。該方案采用了諸多的精密器件（如精密金屬膜電阻）以獲得足夠高的精度，但卻采用了手動(dòng)調(diào)節(jié)的方式，顯然是得不償失。 （ 3） 具有過壓保護(hù)功能，過壓閾值電壓為 18V177。 圖 1－ 1 電子負(fù)載的恒定電流工作方式 （ 1） 恒流（ CC）工作模式的電流設(shè)置范圍為 100mA～ 1000mA ，設(shè)置分辨率為 10mA，設(shè)置精度為177。它能替代傳統(tǒng)的負(fù)載，如電阻箱、滑線變阻器、電阻線、電感、電容等。電子負(fù)載能消耗電能，使之轉(zhuǎn)化成熱能或其它形式的能量。 傳統(tǒng)的測試方法中一般都采用電阻、滑線變阻器、電阻箱等充當(dāng)測試負(fù)載 ， 但這些負(fù)載不能滿足我們對負(fù)載多方面的要求 ， 如 ： 恒定電流 的負(fù)載 ； 帶輸出接口的負(fù)載 ； 隨意調(diào)節(jié)的負(fù)載、恒功率的負(fù)載、動(dòng)態(tài)負(fù)載 ； 多輸出端口的負(fù)載等。 包括控制電路 (MCU)、驅(qū)動(dòng) 隔離 電路 (PWM 波 )、 主電路、 采樣電路、顯示電路 等 ； 能夠檢測被測電源的電流值、電壓值；各個(gè)參數(shù)都能直觀的在 液晶屏 上顯示。 在這個(gè)電力電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和自動(dòng)控制技術(shù) 迅速發(fā)展 的時(shí)代 ，電源檢測技術(shù) 產(chǎn)生 了革命性的變化 ， 人們對電子負(fù)載的需求越來越多，對其性能要求也越來越高。其主要由單片機(jī)控制模塊、電子負(fù)載模塊、頻率切換模塊、采樣模塊、顯示模塊和電源模塊構(gòu)成。 本 系統(tǒng)主要以 pic18f4520 單片機(jī) 為 控制 核心； 設(shè)計(jì)恒流方式的電子負(fù)載， 當(dāng) 電壓變化 時(shí) ，流過該電子負(fù)載的電流 基本 恒定，且電流值可設(shè)定。 在本設(shè)計(jì)中要做的主要任務(wù) ............................................. 1 總體方案設(shè)計(jì) ......................................................... 2 2 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì) .............................................................. 4 電子負(fù)載設(shè)計(jì)模塊方框圖 ............................................... 4 pic18f4520 單片機(jī)的應(yīng)用 .............................................. 4 數(shù)模與模數(shù)轉(zhuǎn)換 ....................................................... 5 A/D 轉(zhuǎn)換 ......................................................... 6 D/A 轉(zhuǎn)換 ......................................................... 6 系統(tǒng)模塊顯示 ......................................................... 8 ............................................................. 8 電流采樣 ......................................................... 8 電壓采樣 ........................................................ 10 MOSFET 場效應(yīng)管的應(yīng)用 ........................................... 10 集成運(yùn)放的應(yīng)用 .................................................. 11 過壓、短路保護(hù) ...................................................... 13 3 系統(tǒng)軟件設(shè) 計(jì) ............................................................. 13 程序設(shè)計(jì)概述 ........................................................ 13 電子負(fù)載程序設(shè)計(jì)流程圖 .............................................. 13 結(jié)論 ....................................................................... 18 參考文獻(xiàn) ................................................................... 19 附錄 1：電子負(fù)載程序設(shè)計(jì) .