集成電路前道工藝、設(shè)備及市場(chǎng)分析-終(ppt81頁)-全文預(yù)覽
【正文】 公司官網(wǎng)總結(jié) ASML高端光刻機(jī)壟斷者 ?ASML的轉(zhuǎn)折點(diǎn)浸沒式光刻， 2023年推出第一臺(tái)浸沒式光刻機(jī) 數(shù)據(jù)來源： ASML官網(wǎng) ASML高端光刻機(jī)壟斷者 ?公司營業(yè)收入和凈利潤始終保持較高水平。 ?ALD：原子層沉積是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒? ?蒸發(fā)設(shè)備、濺射設(shè)備、常壓 CVD、低壓 CVD、 PECVD和 ALD設(shè)備等 PVD CVD ALD CMP ?CMP:化學(xué)機(jī)械平坦化戒化學(xué)機(jī)械拋光，表面全局平坦化的技術(shù) ?目的：保證沉積后表面的平整度，為下一步工序做準(zhǔn)備 檢測(cè) ?檢測(cè)根據(jù)測(cè)試目的可以細(xì)分為量測(cè)和檢測(cè) ?量測(cè)主要是對(duì)芯片的薄膜厚度、兲鍵尺寸、膜應(yīng)力、摻雜濃度等材料性質(zhì)迚行測(cè)量 ?檢測(cè)主要用亍識(shí)別幵定位產(chǎn)品表面存在的雜質(zhì)顆粒沾污、機(jī)械劃傷、晶囿圖案缺陷等問題。 silicon substrate oxide 氧化層 氧化 silicon substrate oxide photoresist 涂膠 Shadow on photoresist photoresist 曝光區(qū) 掩模版 Ultraviolet Light silicon substrate oxide 光刻 非感光區(qū)域 silicon substrate 感光區(qū)域 oxide photoresist 光刻后 silicon substrate oxide photoresist 顯影 silicon substrate oxide oxide silicon substrate photoresist 刻蝕 silicon substrate oxide oxide silicon substrate 去膠 silicon substrate oxide oxide gate oxide 沉積氧化層 沉積柵極氧化層 silicon substrate oxide oxide 柵極氧化層 柵極氧化層 柵極氧化層 silicon substrate oxide oxide 多晶硅 柵極氧化層 多晶硅柵極沉積 silicon substrate oxide oxide gate gate 柵極氧化層 多晶硅柵極 刻蝕形成多晶硅柵極 silicon substrate oxide oxide gate gate photoresist 離子注入形成源極 source drain 離子源 光刻膠在離子注入后去除 離子注入 silicon substrate oxide oxide gate gate source drain N+ CMOS晶體管 silicon substrate source drain gate 沉積氮化層 氮化物 silicon substrate gate 連接孔 drain source 刻蝕出連接孔 silicon substrate gate 連接孔 drain source 沉積金屬線 silicon substrate gate drain source 連接點(diǎn) 表面平坦化 晶圓 ?晶囿（ Wafer）：主要指硅片 ?提煉、純化、拉晶、滾磨，切片，倒角，拋光 ?純度可以達(dá)到 ％ ?4寸、 6寸、 8寸、 12寸 ?SiC、 GaN、 GaAs、 InP 清洗 ?清洗的目的是去除各種污染，占整個(gè)半導(dǎo)體流程的 33% ?獲得最好的良率、器件性能和長期的可靠性。 ?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩種模式：集成制造模式（ IDM）和垂直分工模式 R C 電阻 sLRRW?氧化膜 p n n P型擴(kuò)散層 （電阻） 基區(qū)擴(kuò)散電阻 VCC L w 電容 氧化膜 p N+ 平板型電容 鋁電極 Nepi 隔離槽 N＋ 疊式結(jié)構(gòu)電容 氧化膜 電容極板 n PN結(jié)晶體管 NPN型雙極性晶體管 B E C p n+ nepi n+ PSi P+ P+ S 發(fā)射區(qū)(N+型 ) 基區(qū) (P型 ) 集電區(qū) (N型外延層 ) 襯底 (P型 ) n+BL n p n B E C C B E N P N B E C CMOS晶體管 Si source drain gate oxide oxide 上層的氮化物 金屬連接的源極 金屬連接的柵極 漏極金屬連接 多晶硅柵極 摻雜的多晶硅 氧化層 柵極氧化層 源極 (S) 漏極 (D) 柵極 (G) n+ n+ P型硅基板 柵極（多晶硅） 絕緣層（ SiO2） 半 導(dǎo) 體 基 板 漏極 源極 目錄 ?一、集成電路核心組件簡介 ?二、半導(dǎo)體前道工藝 ?三、半導(dǎo)體前道設(shè)備市場(chǎng)分析 ?四、機(jī)遇與挑
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