【正文】 持機(jī)經(jīng)受如下頻率 /幅度的隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)后應(yīng)功能正常，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 3)℃ 的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 3)℃ 高溫試驗(yàn) 2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 可靠性測(cè)試 低溫 可靠性測(cè)試 ? 環(huán)境試驗(yàn) 低溫 低溫存儲(chǔ)：移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (－ 40 177。 標(biāo)準(zhǔn)要求： GSM900 的 2級(jí)和 3級(jí) MS 104dBm GSM900 的 4級(jí)和 5級(jí) MS 102dBm GSM1800 的 MS 102dBm Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Output RF spectrum 輸出 RF頻譜標(biāo)準(zhǔn)要求 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Burst timing Copyright 169。 ? 測(cè)試方法 – MS 通過 RF 電纜與測(cè)試設(shè)備相連。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 射頻指標(biāo)測(cè)試項(xiàng)目 ? GSM900 RECEIVER (14) – Frame Erasure Ratio (FER) – Residual Bit Error Ratio (RBER) – Bit Error Ratio (BER) Reference sensitivity () – Reference sensitivity TCH/FS () – Usable receiver input level range () Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 射頻指標(biāo)測(cè)試 3. 射頻測(cè)試 測(cè)試儀 器： CMU200/ Agilent 8960， PC， DC電 源，萬(wàn)用表， 測(cè)試 卡， Link Cable， 數(shù) 據(jù) 線 注：測(cè)試方法可結(jié)合參考 Agilent8960/CMU200操作手冊(cè)。 ? 基站模擬器和移動(dòng)臺(tái)的設(shè)置如下表所示： Copyright 169。 電流測(cè)試項(xiàng)目： – Talk Mode – Standby Mode – Feature Functionality – Camera Functionality – Video Functionality – Audio Functionality – Power On/Off Functionality 電流測(cè)試表格 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 手機(jī)硬件測(cè)試的種類與測(cè)試方法 手機(jī)硬件測(cè)試項(xiàng)目： ? 功能測(cè)試 ? 電流測(cè)試 ? 射頻測(cè)試 ? 可靠性測(cè)試 ? 音頻 ? ESD ? EMC ? OTA ? 安規(guī)測(cè)試 Copyright 169。 Copyright 169。測(cè)試設(shè)計(jì)概念的范圍很廣，大致可以分為以下幾類： – 設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)，用此測(cè)試平臺(tái)能進(jìn)行通用項(xiàng)目的測(cè)試，或是進(jìn)行能用此測(cè)試平臺(tái)作一類測(cè)試。性能測(cè)試的異常條件主要是指邊界條件、環(huán)境異常條件及故障相關(guān)性。因此我們的測(cè)試是針對(duì)產(chǎn)品規(guī)格的測(cè)試。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 制定測(cè)試計(jì)劃 描述該測(cè)試計(jì)劃所應(yīng)達(dá)到的目標(biāo)如下（可依據(jù)項(xiàng)目的實(shí)際要求做 適當(dāng)調(diào)整）： 所有測(cè)試需求都已被標(biāo)識(shí)出來； 測(cè)試的工作量已被正確估計(jì)并合理地分配了人力、物力資源； 測(cè)試的進(jìn)度安排是基于工作量估計(jì)的、適用的； 測(cè)試啟動(dòng)、停止的準(zhǔn)則已被標(biāo)識(shí)； 測(cè)試輸出的工作產(chǎn)品是已標(biāo)識(shí)的、受控的和適用的。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 嚴(yán)酷度 – 在某些系統(tǒng)中，最終影響的嚴(yán)重程度等級(jí)又稱為嚴(yán)酷度（有時(shí)也稱為嚴(yán)重度，系指故障模式所產(chǎn)生后果的嚴(yán)重程度）類別。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 課程大綱 ? 硬件測(cè)試概述 ? 測(cè)試前準(zhǔn)備 ? 硬件測(cè)試的種類與操作 ? 硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) ? 測(cè)試規(guī)范制定 ? 測(cè)試人員的培養(yǎng) Copyright 169。 Copyright 169。 沒有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤的測(cè)試也是有價(jià)值的，完整的測(cè)試是評(píng)定測(cè)試質(zhì)量的一種方法。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 硬件測(cè)試概述 硬件測(cè)試的目標(biāo) —— 產(chǎn)品的零缺陷 關(guān)注點(diǎn)： 產(chǎn)品規(guī)格功能的實(shí)現(xiàn)，性能指標(biāo)，可靠性，可測(cè)試性，易用性等。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 硬件測(cè)試技術(shù) 目錄 1. 硬件測(cè)試概述 2. 測(cè)試前準(zhǔn)備 3. 手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容 4. 硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 5. 測(cè)試規(guī)范制定 6. 測(cè)試人員的培養(yǎng) 硬件測(cè)試概述 硬件測(cè)試的概念 – 測(cè)試是為了發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤而執(zhí)行操作的過程 – 測(cè)試是為了證明設(shè)計(jì)有錯(cuò)，而不是證明設(shè)計(jì)無(wú)錯(cuò)誤 – 一個(gè)好的測(cè)試用例是在于它能發(fā)現(xiàn)至今未發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤 – 一個(gè)成功的測(cè)試是發(fā)現(xiàn)了“至今未發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤”的測(cè)試 硬件測(cè)試的目的 – 測(cè)試的目的決定了如何去組織測(cè)試。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Copyright 169。 – 綜合評(píng)估，決定產(chǎn)品的測(cè)試方向！ Copyright 169。 MTBF不是計(jì)算出來的，而是設(shè)計(jì)出來的。同時(shí)，這種分析也能幫助我們?cè)O(shè)計(jì)出有針對(duì)性地檢測(cè)方法，改善測(cè)試的有效性。而且對(duì)于硬件測(cè)試人員的技術(shù)水平要求也要大于開發(fā)人員。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 硬件測(cè)試概述 硬件測(cè)試的一般流程和各階段點(diǎn)的輸出文件 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 FMEA（故障模式影響分析） 分析系統(tǒng)中每一產(chǎn)品所有可能產(chǎn)生的故障模式及其對(duì)系統(tǒng)造成的所有可能影響，并按每一個(gè)故障模式的嚴(yán)重程度、檢測(cè)難易程度以及發(fā)生頻度予以分類的一種歸納分析方法。 Copyright 169。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 確認(rèn)測(cè)試需求的來源 一切測(cè)試的需求都來自于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的規(guī)格，規(guī)格來自于用戶的需求。 指標(biāo)一般都有相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)可查。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試設(shè)計(jì) 測(cè)試并不是簡(jiǎn)單意義上的一些測(cè)試操作，在測(cè)試前需要有詳細(xì)的設(shè)計(jì)，周密的策劃，測(cè)試是一項(xiàng)高難度的工作。 – 設(shè)計(jì)測(cè)試用例，測(cè)試方法。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 培訓(xùn)大綱 ? 硬件測(cè)試概述 ? 測(cè)試前準(zhǔn)備 ? 手機(jī)硬件測(cè)試的內(nèi)容與測(cè)試方法 ? 硬件測(cè)試參考的通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) ? 測(cè)試規(guī)范制定 ? 測(cè)試人員的培養(yǎng) Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 電流測(cè)試 2. 電流測(cè)試 測(cè)量被測(cè)手機(jī)在各種狀態(tài)下的功耗 。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 計(jì)算待機(jī)時(shí)間 ? 測(cè)量被測(cè)移動(dòng)臺(tái)電池的容量 C： – 各種鋰電池性能應(yīng)按照 GB/T 18287的要求進(jìn)行測(cè)試，其它類型的電池應(yīng)按照 GB/T 18288或 GB/T18289的要求進(jìn)行測(cè)試 ? 計(jì)算待機(jī)時(shí)間： – TIdle=C/Iaverage。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試環(huán)境 ? 數(shù)字電池（ Agli 66319D） ? 測(cè)試 PC+測(cè)試軟件 (Agli 141651B) ? 綜合測(cè)試儀一臺(tái) (agli 8960 RS CMU200) ? 測(cè)試手機(jī)一臺(tái) 手機(jī) 雙 GSM待機(jī)待機(jī)時(shí)間測(cè)試 ? 連接框圖 GSM待機(jī)時(shí)的待機(jī)時(shí)間測(cè)試 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 射頻指標(biāo)測(cè)試項(xiàng)目 3. 測(cè)試項(xiàng)目 ? GSM900 TRANSMITTER (13) – Phase error / Frequency error () – Output power and burst timing () ? Output power ? Burst timing – Output RF spectrum () ? Spectrum due to modulation out to less than 1800 kHz offset ? Spectrum due t