des技術(shù)發(fā)展介紹-全文預(yù)覽
【正文】 第二部分 制程原理（顯影） 在前面干膜製程的介紹里我們已經(jīng)了解干膜 係由一種負(fù)型自由基式的聚合物組成 . 未經(jīng)過(guò)曝光光線照射並發(fā)生聚合反應(yīng)之干膜之主要成分 :ResistCOOH與顯影液的主要成分 CO32－ 發(fā)生如下的反應(yīng) : ResistCOOH + CO32－ HCO3－ + ResistCOO 本反應(yīng)實(shí)際為一種皂化作用，故於程中會(huì)產(chǎn)生類似肥皂狀的泡沫 ,未聚合之干膜中負(fù)型自由基式的聚合物溶入溶液 H20 + CO32 HCO3 + OH – 反應(yīng)的平衡式為 : K = [HCO3 ][OH] / [CO32 ] PH = 14 + log｛ K． [CO32 ]/ [HCO3 ]｝ 第二部分 :製程原理 (顯影 ) 為掌握顯影之品質(zhì)，製程中需嚴(yán)格控制 [CO32]/[HCO3]的濃度比值 (PH值控制 )，以得最佳之線路顯影效果 ,亦即可以通過(guò)控制 PH值進(jìn)而控制顯影之效果 . 生產(chǎn)中所需的 CO32通常由 Na2CO3來(lái)提供 , 並通過(guò)更換槽液來(lái)維持顯影液中的 [CO32]/[HCO3]濃度比值 —— 這也是我們生產(chǎn)中保持每生產(chǎn)固定量產(chǎn)品需換槽的原因 . 當(dāng)然 ,隨著工藝的更新 , 以的 K2CO3代替 Na2CO3用于顯影也逐步為行業(yè)所接受 . K2CO3顯影相對(duì)於 Na2CO3有著許多優(yōu)點(diǎn) , 在顯影品質(zhì)上和操作上均較 Na2CO3容易控制 , 以 K2CO3顯影容易完成顯影液的自動(dòng)添加 .但是在生產(chǎn)成本上 K2CO3顯影高于 Na2CO3顯影 . 第二部分 :製程原理 (顯影 ) K2CO3與 Na2CO3比較如下 ： 對(duì)照項(xiàng)目 K2CO3自動(dòng)添加 Na2CO3 控制添加方式 以 PH值自動(dòng)控制 依照生產(chǎn)板數(shù)換槽控制 顯影點(diǎn) 固定 60~62% 變動(dòng) 48~60% 配槽 濃縮液體 粉末 主槽配槽頻率 1次 /5000m2 90次 /1個(gè)月 添加槽配槽頻率 每月 45次 每月 180次 清槽頻率 5000m21次 每月多次 停線管理 每 5000m22～ 4小時(shí) 45小時(shí)以上每月 槽液管理 每周校正一次方便管理 因配置當(dāng)槽次數(shù)多 ,變數(shù)大 粘稠懸浮物及硬水污垢 沒(méi)有 許多 軟水 減少到 1/3~1/4 廢液量 270噸 產(chǎn)量 增加 20% 第二部分 :製程原理 (蝕刻 ) 蝕刻的原理是 :利用氧化 還原反應(yīng) (主要酸性蝕刻 )或者是絡(luò)合反應(yīng) (主要鹼性蝕刻 )消耗無(wú)抗蝕刻層 (Resist)之板面銅層 ,剩下所需線路銅層 .反應(yīng)的方程式如下 : 酸性蝕刻 : Cu176。 水洗 :防止蝕刻液殘留板面造成污染。 吸干：主要吸干板面水分和孔內(nèi)部分水分。因此， 改善和提昇 DES的製程能力，亦是改善和提昇全製程製程能力的前提。而與之對(duì)應(yīng)“加成法” （ additive process） 即將為將需要的部分添加上去的加工方法 . 目前葉界 (包括 PCB與 FPC)絕大多數(shù)的生產(chǎn)仍以傳統(tǒng)的“減成法”為生產(chǎn)方式 .在“減成”的製程中 ,DES作為線路形成 (“減成” )的關(guān)鍵製程 ,一直是製程中的瓶頸 . DES的製程能力直接決定了全製程的製程能力。 二次水洗：防止顯影液及干膜污染板面。 第一部份 流程介紹 (二 ) 蝕刻： 蝕刻 水洗 蝕刻：形成線路。 酸洗 :中和剝膜鹼液。故一般蝕刻機(jī)之抽風(fēng)除了排除氨臭外更可供給新鮮的空氣以加速蝕銅。+ Cu2+ →2 Cu + 在酸性蝕刻的再生系統(tǒng)，就是將 Cu +氧化成 Cu2+,因此使蝕刻液能將更多的 金屬銅咬蝕掉。由此可看出 HCl是氯化銅蝕刻中的消耗品，而且 是蝕刻速度控制的重要化學(xué)品。 CL2 是怎麼產(chǎn)生的 ??? 第二部分 :製程原理 (剝膜 ) 氯酸鈉再生反應(yīng)式 :
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