des技術發(fā)展介紹(已修改)
2025-02-26 02:17 本頁面
【正文】 講議大綱 ? 流程介紹 ? 製程原理 ? 品質(zhì)控制 ? 異常及對策 ? 細線路製程發(fā)展方向 ? 結語 前 言 “減成法” （ Tenting Etching） 即保留需要的而去除不需要的加工方法 。而與之對應“加成法” （ additive process） 即將為將需要的部分添加上去的加工方法 . 目前葉界 (包括 PCB與 FPC)絕大多數(shù)的生產(chǎn)仍以傳統(tǒng)的“減成法”為生產(chǎn)方式 .在“減成”的製程中 ,DES作為線路形成 (“減成” )的關鍵製程 ,一直是製程中的瓶頸 . DES的製程能力直接決定了全製程的製程能力。因此， 改善和提昇 DES的製程能力，亦是改善和提昇全製程製程能力的前提。 第一部份 流程介紹 (一 ) DES全流程 干膜來料 顯影 水洗 蝕刻 水洗 剝膜 水洗 化學洗 水洗 烘乾 轉 CVL 第一部份 流程介紹 (一 ) 顯影： 顯影前段 顯影後段 水洗１ 水洗２ 吸干 冷風吹干 熱風烘干 顯影前段：未感光干膜在此產(chǎn)生溶漲。 顯影後段：未感光干膜在此被顯影液溶解帶走。 二次水洗：防止顯影液及干膜污染板面。 吸干：主要吸干板面水分和孔內(nèi)部分水分。 冷風吹干：主要吹脫板面水分和孔內(nèi)部分水分。 熱風烘干：烘乾板面水分和孔內(nèi)水分。 第一部份 流程介紹 (二 ) 蝕刻： 蝕刻 水洗 蝕刻：形成線路。 水洗 :防止蝕刻液殘留板面造成污染。 第一部份 流程介紹 (三 ) 剝膜： 剝膜 水洗 酸洗 水洗 冷風吹干 熱風烘干 剝膜 :剝?nèi)グ迕娓赡ぁ? 水洗 :防止上流程藥液殘留板面造成污染。 酸洗 :中和剝膜鹼液。 第二部分 制程原理（顯影） D/F CCL PI+AD A/W or MASK UV LIGHT D/F CCL PI+AD PI+AD CCL D/F 顯影流程示意圖 曝光 顯影 蝕刻 剝暯 基材 乾膜 曝光之乾膜 銅箔 DES流程示意圖 第二部分 制程原理（顯影） 在前面干膜製程的介紹里我們已經(jīng)了解干膜 係由一種負型自由基式的聚合物組成 . 未經(jīng)過曝光光線照射並發(fā)生聚合反應之干膜之主要成分 :ResistCOOH與顯影液的主要成分 CO32－ 發(fā)生如下的反應 : ResistCOOH + CO32－ HCO3－ + ResistCOO 本反應實際為一種皂化作用，故於程中會產(chǎn)生類似肥皂狀的泡沫 ,未聚合之干膜中負型自由基式的聚合物溶入溶液 H20 + CO32 HCO3 + OH – 反應的平衡式為 : K = [HCO3 ][OH] / [CO32 ] PH = 14 + log｛ K． [CO32 ]/ [HCO3 ]｝ 第二部分 :製程原理 (顯影 ) 為掌握顯影之品質(zhì)，製程中需嚴格控制 [CO32]/[HCO3]的濃度比值 (PH值控制 )，以得最佳之線路顯影效果 ,亦即可以通過控制 PH值進而控制顯影之效果 . 生產(chǎn)中所需的 CO32通常由 Na2CO3來提供 , 並通過更換槽液來維持顯影液中的 [CO32]/[HCO3]濃度比值 —— 這也是我們生產(chǎn)中保持每生產(chǎn)固定量產(chǎn)品需換槽的原因 . 當然 ,隨著工藝的更新 , 以的 K2CO3代替 Na2CO3用于顯影也逐步為行業(yè)所接受 . K2CO3顯影相對於 Na2CO3有著許多優(yōu)點 , 在顯影品質(zhì)上和操作上均較 Na2CO3容易控制 , 以 K2CO3顯影容易完成顯影液的自動添加 .但是在生產(chǎn)成本上 K2CO3顯影高于 Na2CO3顯影 . 第二部分 :製程原理 (顯影 ) K2CO3與 Na2CO3比較如下 ： 對照項目 K2CO3自動添加 Na2CO3 控制添加方式 以 PH值自動控制 依照生產(chǎn)板數(shù)換槽控制 顯影點 固定 60~62% 變動 48~60% 配
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