【摘要】集成電路CAD總學(xué)分:2上課學(xué)分:(24學(xué)時(shí))實(shí)驗(yàn)學(xué)分:(16學(xué)時(shí))什么是集成電路CAD??ComputerAidedDesign?ComputerAidedDrafting?TodayweuseComputerAidedDraftingtoolstodraweachlayerofour
2025-08-01 14:45
【摘要】部分常用集成電路型號(hào)及外引線(xiàn)排列圖黑龍江農(nóng)業(yè)工程職業(yè)學(xué)院主要內(nèi)容?部分常用集成電路型號(hào)?部分常用集成電路的外引線(xiàn)排列圖黑龍江農(nóng)業(yè)工程職業(yè)學(xué)院部分常用集成電路型號(hào)及外引線(xiàn)排列圖黑龍江農(nóng)業(yè)工程職業(yè)學(xué)院部分常用集成電路型號(hào)及外引線(xiàn)排列圖黑龍江農(nóng)業(yè)工程職業(yè)學(xué)院部分常用集
2025-07-23 11:28
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門(mén)的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門(mén)的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【摘要】集成電路訂購(gòu)合同 集成電路訂購(gòu)合同 訂購(gòu)合同 2004年07月20日 定購(gòu)合同 為了明確雙方責(zé)任,以利于更好地進(jìn)行合作,經(jīng)雙方協(xié)商,特制定以下合同細(xì)則: 甲方(銷(xiāo)貨方):深圳市思邦電...
2024-12-16 22:06
【摘要】集成電路制作合同 集成電路制作合同 立約人_________(以下簡(jiǎn)稱(chēng)甲方)與_________(以下簡(jiǎn)稱(chēng)乙方)。甲乙雙方為集成電路試制事宜,特立本合約,并同意條件如下: 第一條標(biāo)的物:委...
2024-12-17 00:19
【摘要】中國(guó)最大的管理資料下載中心(收集\整理.部分版權(quán)歸原作者所有)第1頁(yè)共19頁(yè)集成電路常用單詞線(xiàn)路單元與支路單元Lineunitandtributaryunit鎖相Phase-lock定時(shí)基準(zhǔn)Timingreference帶電插拔Hotplug鈴流Ringingcur
2025-08-07 18:16
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【摘要】LM567集成電路的應(yīng)用567為通用音調(diào)譯碼器,當(dāng)輸入信號(hào)于通帶內(nèi)時(shí)提供飽和晶體管對(duì)地開(kāi)關(guān),電路由I與Q檢波器構(gòu)成,由電壓控制振蕩器驅(qū)動(dòng)振蕩器確定譯碼器中心頻率。用外接元件獨(dú)立設(shè)定中心頻率帶寬和輸出延遲。主要用于振蕩、調(diào)制、解調(diào)、和遙控編、譯碼電路。如電力線(xiàn)載波通信,對(duì)講機(jī)亞音頻譯碼,遙控等。用外接電
2025-01-07 12:15
【摘要】賽迪顧問(wèn)股份有限公司2023年8月背景?十八大提出“四化同步”,集成電路和軟件成為實(shí)現(xiàn)新四化的核心和基礎(chǔ)。?2023年中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過(guò)10萬(wàn)億,其中集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值僅為2158億,占比僅為2%,“缺芯少屏”成為制約信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的巨大瓶頸。?2023年,中國(guó)集成電路進(jìn)口總額達(dá)到1920
2025-01-14 09:24
【摘要】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開(kāi)對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話(huà)和無(wú)線(xiàn)電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-06 13:18
【摘要】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【摘要】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計(jì)?封裝技術(shù)3木版年畫(huà)?畫(huà)稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過(guò)程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-09 20:38
【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2?隨著集成電路發(fā)展的過(guò)程,其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工藝、提高集成度和速度。?設(shè)計(jì)工作由有生產(chǎn)線(xiàn)集成
2025-01-06 18:34
【摘要】山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》交互式多媒體計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院山東大學(xué)孟堯微電子研發(fā)中心2002.6.26山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》多媒體計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案李惠軍教授(碩士研究生導(dǎo)師)(
2025-07-31 06:02