freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

cmos集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)-全文預(yù)覽

2025-08-05 18:10 上一頁面

下一頁面
  

【正文】 ? ??總的反相器功耗 PD=PD1+PD2 由以上分析可得結(jié)論: 要降低功耗, 必須要按比例減小管子的尺寸 (CL減小 ), 特別是減小供電電壓 UDD。 (2) 當 UGSN=UiUTHN時, NMOS導(dǎo)通。 當 Ui由“ 0” → “ 1”時, 輸出電壓 Uo由“ 1” → “ 0” , V1導(dǎo)通, V2截止, IDN使 CL放電 (反充電 ), Uo下降。 5. EF段 隨著 Ui進一步增大 , 當滿足 UDD+UTHP≤Ui≤UDD 時 , P管截止 , IDP=0, N管維持非飽和導(dǎo)通而導(dǎo)致 Uo=0。 CMOS反相器 CMOS 反相器的特點 (一) 電壓擺幅接近電源電壓,噪聲容限大。 ② Ui升高, 有 UGNUiUTHN N管導(dǎo)通 |UGPUi||UTHP| P管導(dǎo)通 此時, N管、 P管共同向 CL充電, 仍使 Uo=Ui。 UGUiN M O SUoP M O SUoUDDUDD00UDDUDDUDD( UDD- UTH) ( UDD- UTH)|UT H P|0CMOS傳輸門 根據(jù) NMOS和 PMOS單管開關(guān)的特性, 將其組合在一起形成一個互補的 CMOS傳輸門, 這是一個沒有閾值損失的理想開關(guān)。 (1) 當 UG=“1 ”(接 UDD, 高電平 )時, PMOS管截止, 開關(guān)斷開, Uo=0。 (2) 當 UG=“1”(UDD)時, NMOS管導(dǎo)通 (開關(guān)合上 ), 此時視 Ui的大小分兩種情況: ① UiUGUTH(UTH為 NMOS管閾值電壓 ), 輸入端呈開啟狀態(tài), 設(shè) Uo初始值為零, 則 Ui剛加上時, 輸出端也呈開啟狀態(tài), NMOS管導(dǎo)通, 溝道電流對負載電容充電, 直至Uo=Ui。 可靠性 ― 數(shù)字集成電路中的噪聲 噪聲來源: ( 1)串擾( 2)電源與地線噪聲( 3)干擾( 4)失調(diào)應(yīng)當區(qū)分: ( 1)固定噪聲源( 2)比例噪聲源 浮空節(jié)點比由低阻抗電壓源驅(qū)動的節(jié)點更易受干擾 設(shè)計時總的噪聲容限分配給所預(yù)見的噪聲源 高電平噪聲容限 低電平噪聲容限 最低輸入高電平( VIHmin) 最低輸出高電平( VOHmin) 最高輸入低電平( VILmax) 最高輸出低電平( VOLmax) 高電平噪聲容限 (NMH) = VOHmin - VIHmin 低電平噪聲容限 (NML) = VILmax - VOLmax 理想邏輯門 Ri =∞ Ro =0 Fanout =∞ NMH = NML = VDD/2 ( 3) 邏輯門的 “ 單向性 ” :輸出電平的變化不應(yīng)出現(xiàn)在任何一個輸入上但實際情況在輸出與輸入之間總有反饋。CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ) - 數(shù)字集成電路基礎(chǔ) 對邏輯門的基本要求 1) 魯棒性 (用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示) 靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性( VTC) 來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。一個門對于噪聲的敏感程度由 噪聲容限表示。 Ui U oCLUG( a )UiUo0 0 ( 理想 0)1 1 ( 非理想 1)( b )110UG( c )011Uo/( UG- UTH)UG- UTHUi / ( UG- UTH)(a) 電路; (b) 等效開關(guān); (c) 傳輸特性 (1) 當 UG=“0”(接地 )時, NMOS管截止 (開關(guān)斷開 ), 輸出 Uo=0。 若此時 Ui=UG=UDD, 則輸出電壓 Uo為 Uo=UGUTH=UiUTH=UDDUTH PMOS單管開關(guān) PMOS單管開關(guān)電路如圖所示, 其襯底接 UDD。 下圖給出了閾值損失的波形示意圖。 (2) 當 UGN=“1”, UGP=“0”時, Ui由 “ 0” 升高到 “ 1” 的過程分為以下三個階段 (分析中, 設(shè) “ 1” 為 UDD=5V, “ 0” 為接地 (0 V), UTHN=|UTHP|= V): ① Ui較小, 有 UGNUiUTHN N管導(dǎo)通 |UGPUi|UTHP P管截止 N管導(dǎo)通區(qū) 此時, N管接近理想開關(guān), N管溝道電流向 CL充電,使 Uo=Ui。 一般 L取工藝最小寬度 (2λ), 那么, 要使 ID大, 就要將溝道寬度W設(shè)計得大一些。 N管做為 P管的負載管, rdsn很小, 所以增益減小, Uo變化緩慢。 因此 , 無論 Ui是 “ 0” 或 “ 1” , 總有一個管子是截止的 , ID=0, 故靜態(tài)功耗 PS=ID UDD=0 2. 動態(tài)功耗 (瞬態(tài)功耗 )PD 1) 對負載電容 CL充放電的動態(tài)功耗 PD1—— 交流開關(guān)功耗 設(shè)輸入信號 Ui為理想
點擊復(fù)制文檔內(nèi)容
研究報告相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1