可編程邏輯器件pld講義-全文預(yù)覽
【正文】 D1 = Q1Q0 + Q1Q0D2 = Q0 Q2+ Q2Q0QCC = Q0 Q1Q2+ Q0 Q1 Q2D0（ 2）先設(shè)定電路的狀態(tài)，根據(jù)觸發(fā)器的激勵(lì)方程和輸出方程，可列出下表所示的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換表。從而降低了芯片面積，提高了芯片利用率，所以用它來(lái)實(shí)現(xiàn)多輸入、多輸出的復(fù)雜邏輯函數(shù)較 PROM有優(yōu)越之處。例 3: 試用 PLA實(shí)現(xiàn)四位自然二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)換成四位格雷碼。 一般 PROM輸入地址線較多，容量也較大，又因?yàn)?PROM的與陣列固定，必須進(jìn)行全譯碼，產(chǎn)生全部的最小項(xiàng)。 可見(jiàn)，以 PROM實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的組合邏輯電路函數(shù)是很方便的。下圖是將 2片 2716擴(kuò)展成 204816的數(shù)據(jù)的連接示意圖。 EPROM有各種類型的產(chǎn)品，下圖是紫外線擦除、電可編程的 EPROM2716器件邏輯框圖和引腳圖。 對(duì)于較少的輸入信號(hào)組成的與陣列固定、或陣列可編程的器件中，也可以很方便地 實(shí)現(xiàn)任意組合邏輯函數(shù) 。（四）六管靜態(tài)存儲(chǔ)單元 閃速存儲(chǔ)單元的可再編程能力約為 10萬(wàn)次左右，SRAM有無(wú)限制的再編程能力。 在 70o環(huán)境中，全部電荷放完需 100年。 用 熔絲型 開(kāi)關(guān) 和 反熔絲型 開(kāi)關(guān) 作為編程單元 A1 A 0 Y1 Y 2 Y 3 Y 4 十進(jìn)制 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 4 9 一、熔絲型開(kāi)關(guān)000 0 0 04字 4位熔絲結(jié)構(gòu)的 PROM被選中的字線為高電平熔絲均被燒斷 A1 A 0 Y1 Y 2 Y 3 Y 4 十進(jìn)制 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 4 9 一、熔絲型開(kāi)關(guān)111 0 0 1熔絲均被燒斷4字 4位熔絲結(jié)構(gòu)的 PROM二、反熔絲型開(kāi)關(guān) 用高壓將 PLICE介質(zhì)擊穿。非易失性單元：編程單元第二節(jié) 可編程邏輯器件 PLD的基本單元編程單元： PLD中用來(lái)存放數(shù)據(jù)的基本單元。各種 PLD的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)第二節(jié) 可編程邏輯器件 PLD的基本單元編程單元： PLD中用來(lái)存放數(shù)據(jù)的基本單元。3. 與編程、或固定 ： 代表器件 PAL（ Programmable Array Logic） 和 GAL（ Generic Array Logic） 。在 PLD中，它的靈活性最高。第六章 可編程邏輯器件 PLD可編程邏輯器件 PLD概述可編程邏輯器件 PLD的基本單元可編程只讀存
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