可編程邏輯器件pld講義-文庫(kù)吧
2024-12-21 07:19 本頁(yè)面
【正文】 的基本單元。編程方式一次編程： 信息一次編程固定好，編程元件是 PROM。多次編程： 用戶根據(jù)需要將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在編程單元中，并可以多次寫入和擦除，例如： UV EPROM、E2PROM以及閃速（ Flash）存儲(chǔ)器等。 編程單元采用的是 浮柵技術(shù) 。 用 熔絲型 開(kāi)關(guān) 和 反熔絲型 開(kāi)關(guān) 作為編程單元 A1 A 0 Y1 Y 2 Y 3 Y 4 十進(jìn)制 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 4 9 一、熔絲型開(kāi)關(guān)000 0 0 04字 4位熔絲結(jié)構(gòu)的 PROM被選中的字線為高電平熔絲均被燒斷 A1 A 0 Y1 Y 2 Y 3 Y 4 十進(jìn)制 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 4 9 一、熔絲型開(kāi)關(guān)111 0 0 1熔絲均被燒斷4字 4位熔絲結(jié)構(gòu)的 PROM二、反熔絲型開(kāi)關(guān) 用高壓將 PLICE介質(zhì)擊穿。擊穿后呈低電阻。三、浮柵編程技術(shù) 用浮柵編程技術(shù)生產(chǎn)的編程單元是一種能多次改寫的 ROM。（一）疊柵型（ SIMOS）存儲(chǔ)單元問(wèn)題 ：浮柵上的電荷無(wú)放電通路，沒(méi)法泄漏。 在 70o環(huán)境中，全部電荷放完需 100年。用 紫外線照射 芯片上的玻璃窗，則形成光電電流。UV EPROM芯片上開(kāi)有一個(gè)石英玻璃窗口（二）隧道型（ FLOTOX）儲(chǔ)存單元 電可改寫只讀存儲(chǔ)器 E2PROM，即電擦除、電編程的只讀存儲(chǔ)器。（三）閃速型（ Flash）存儲(chǔ)單元又稱為 快擦快寫存儲(chǔ)單元 。（四）六管靜態(tài)存儲(chǔ)單元 閃速存儲(chǔ)單元的可再編程能力約為 10萬(wàn)次左右，SRAM有無(wú)限制的再編程能力。第三節(jié) 可編程只讀存儲(chǔ)器 PROM和可編程邏輯陣列 PLA一、可編程只讀存儲(chǔ)器 PROM PROM的結(jié)構(gòu)是 與陣列固定 、 或陣列可編程 的 PLD器件。對(duì)于有大量輸入信號(hào)的 PROM，比較 適合作為存儲(chǔ)器 來(lái)存放數(shù)據(jù)，它在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和數(shù)據(jù)自動(dòng)控制等方面起著重要的作用。例 1： 下圖是一個(gè) 8（字線） 4（數(shù)據(jù)）的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)陣列圖。 對(duì)于較少的輸入信號(hào)組成的與陣列固定、或陣列可編程的器件中，也可以很方便地 實(shí)現(xiàn)任意組合邏輯函數(shù) 。 3線 8線譯碼器84存儲(chǔ)單元矩陣輸出緩沖器數(shù)據(jù)輸出端地址碼輸入端字線 由地址譯碼器選中不同的字線，被選中字線上的四位數(shù)據(jù)通過(guò)輸出緩沖器輸出。 如當(dāng)?shù)刂反a A2A1A0＝ 000時(shí)，通過(guò)地址譯碼器，使字線 P0＝ 1，將字線 P0上的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù) 0000輸出，即
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