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場效應(yīng)器件物理--緒論-全文預(yù)覽

2025-08-26 04:38 上一頁面

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【正文】 圖 酷睿 2雙核處理器 : 65nm工藝, MOSFET, 1cm2 ? IC是元器件、互連線的集合 ? IC的內(nèi)部電路 ? 或簡單或復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu) 2022/8/24 XIDIAN UNIVERSITY 6 集成電路概況 制備 ?單晶制備 ?晶圓制備 ?芯片制備 ?測試封裝 Wafer(晶圓) Chip(芯片) ? Moore’ s Law: Intel公司創(chuàng)始人之一, Gorden E. Moore博士在研究存貯器芯片上晶體管增長數(shù)的時間關(guān)系預(yù)測 ? 半導(dǎo)體芯片上集成的晶體管和電阻數(shù)量將每年翻一番 ? 1975年又提出修正說,芯片上集成的晶體管數(shù)量將每兩年翻一番 2022/8/24 XIDIAN UNIVERSITY 7 16151413121110987654321019591960196119621963196419651966196719681969197019711972197319741975LOG2 OF THE NUMBER OFCOMPONENTS PER INTEGRATED FUNCTION集成電路概況 發(fā)展: 摩爾定律 引自 Electronics, April 19, 1965. Moore預(yù)測曲線的原始手稿 ? 實際發(fā)展規(guī)律: ? 芯片上集成的晶體管數(shù)量, 每隔 18個月翻一番 ? 器件尺寸減小,晶圓尺寸增加。 2022/8/24 XIDIAN UNIVERSITY 11 集成電路概況 發(fā)展: 特征尺寸 ? 特征尺寸: ? 芯片中最小線條寬度 ,最小柵寬 ? 工藝技術(shù)水平的標志:特征尺寸由光刻精度決定 ? 由 um量級減小到了幾十 nm。 ? 1m=102 cm=103mm=106um=109nm= 1010A= 1012pm= 1015fm 2022/8/24 XIDIAN UNIVERSITY 13 2022/8/24 XIDIAN UNIVERSITY 14 ( FET: Field Effect Transistor只有一種載流子導(dǎo)電,又叫單極型) ? IGFET Insulator Gate FET ? MISFET Metal InsulatedSemiconductor FET ? MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET ? pnJFET pn Junction FET ? MESFET MetalSemiconductor FET (Schottly Barrier Gate) 場效應(yīng)器件概況 晶體管分類 ????????????????????????????????????????????????????????????柵)(異質(zhì)結(jié))半導(dǎo)體絕緣體(金屬絕緣柵)晶體管電)電子和空穴同時參與導(dǎo)晶體管極: 肖特基 結(jié)M E S F E T結(jié)柵pn:JF E TpnH F E TF E TM I S F E T / M O S(I G F E TF E T場 效
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