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單晶硅項(xiàng)目環(huán)評(píng)報(bào)告書-全文預(yù)覽

2025-08-24 01:14 上一頁面

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【正文】 水、廢研磨劑、廢拋光劑、單晶硅渣、廢石墨、廢石英等具有一定再利用價(jià)值的廢物,由相應(yīng)的廢品回收部門進(jìn)行收購;對(duì)員工辦公與生活中產(chǎn)生的生活垃圾,在廠內(nèi)定點(diǎn)收集儲(chǔ)存,按照當(dāng)?shù)丨h(huán)境保護(hù)和衛(wèi)生管理部門的要求統(tǒng)一處置。本項(xiàng)目根據(jù)各種固體廢物的產(chǎn)生來源、組成及性質(zhì),對(duì)照《國家危險(xiǎn)廢物名錄》,將固體廢物分為危險(xiǎn)廢物和一般固體廢物。以減少噪聲的對(duì)外傳播。本項(xiàng)目廢水經(jīng)廠區(qū)自建廢水處理設(shè)施處理后各項(xiàng)污染物濃度均低于接管標(biāo)準(zhǔn)限值。圖44 真州污水處理廠廢水處理工藝流程圖改良A2/O曝氣池泥餅外運(yùn)回流鼓風(fēng)機(jī)房紫外線殺毒沉渣外運(yùn)粗格柵進(jìn)水泵房沉砂池細(xì)格柵二沉池接觸消毒池出水至長江儀征段排江泵房污泥泵房儲(chǔ)泥濃縮脫水間剩余污泥進(jìn) 水其工藝主要特點(diǎn)如下:①污染物去除效率高,運(yùn)行穩(wěn)定。真州污水處理廠服務(wù)范圍主要包括儀征主城區(qū)、汽車工業(yè)園、揚(yáng)州化學(xué)工業(yè)園(管道路以東)、儀征經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)(包括船舶工業(yè)園)等范圍。濃縮后的污泥由泵送入到廂式壓濾機(jī),脫水的泥餅裝袋后委托處理。經(jīng)過廢水處理設(shè)施處理過的廢水達(dá)到真州污水處理廠的接管標(biāo)準(zhǔn),與生活污水接入真州污水處理廠處理達(dá)到《城鎮(zhèn)污水處理廠排放標(biāo)準(zhǔn)》(JB181982002)表1中一級(jí)B級(jí)標(biāo)準(zhǔn)后,統(tǒng)一排入長江儀征段,廢水排放標(biāo)準(zhǔn)見表41。③切片倒角廢水、研磨廢水、拋光廢水切片倒角用水噴淋硅粉產(chǎn)生的切片倒角廢水;研磨廢水主要來源于研磨清洗工序;拋光廢水主要來源于拋光清洗工序。沉淀池污泥經(jīng)污泥濃縮,用污泥泵送至污泥脫水機(jī)干化后運(yùn)至指定地點(diǎn)填埋。含氟廢水排至生產(chǎn)廢水處理站相應(yīng)的集水池。根據(jù)工程中廢水來源、廢水水質(zhì)的不同,將廢水按種類分為切片倒角廢水、研磨廢水、拋光廢水、酸性廢水、堿性廢水、含氟廢水、含氨廢水、一般清洗水、廢氣洗滌水、生活污水和清下水(包括鍋爐排水、純水制備產(chǎn)生的濃水、空調(diào)系統(tǒng)排水)。特種廢氣HCl、SiHCl3和微量B2H6的去除率達(dá)到99%,微量PH3的去除率約1%。凈化后的廢氣通過排氣筒排入大氣。酸、堿廢氣系統(tǒng)處理能力分別為80000m3/h,15000m3/h。廢氣處理主要工藝具體如下:(1)有機(jī)廢氣清洗工序產(chǎn)生的有機(jī)廢氣甲苯、異丙醇通過集氣罩、風(fēng)管導(dǎo)入吸附設(shè)備,利用活性炭的表面吸附力去除甲苯、異丙醇,凈化后的廢氣通過排氣筒直接排入大氣。(4)固體廢物產(chǎn)生及排放情況建設(shè)項(xiàng)目產(chǎn)生的固體廢物種類主要包括硅片表面處理產(chǎn)生的廢有機(jī)溶劑、廢活性炭、表面處理廢物(包括廢硫酸、廢氫氟酸、廢鹽酸、廢混酸和廢堿)、污水處理產(chǎn)生的含氟污泥、廢氨水、廢研磨劑、廢拋光劑、單晶硅渣、廢石墨、廢石英以及生活垃圾等,具體產(chǎn)生與排放處置情況見表317。建設(shè)項(xiàng)目水污染物的三本帳見表310。項(xiàng)目的生產(chǎn)車間設(shè)計(jì)為密閉的車間,廢氣收集效率較高,達(dá)到99%。?有組織排放廢氣項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的有組織排放廢氣的種類與產(chǎn)生環(huán)節(jié)見表36。(f) 氫氣、氮?dú)獾墓?yīng)生產(chǎn)工藝中需要的氫氣、氮?dú)庥纱笞跉怏w供應(yīng)商在本廠區(qū)建造配套氣站,供應(yīng)氫氣和氮?dú)狻?d) 純水制備項(xiàng)目設(shè)有一套超純水制備設(shè)施,其制備能力為110t/h,產(chǎn)生的濃水和反沖洗水642t/d作為清下水排放,其超純水制備工藝流程如下:自來水加絮凝劑原水箱原水泵機(jī)械過濾器活性炭吸附器熱交換器5μ保安過濾Ⅰ級(jí)高壓泵器Ⅰ級(jí)RO裝置器Ⅱ級(jí)高壓泵器Ⅱ級(jí)RO裝置器真空脫氣裝置中間水箱中間水泵EDI裝置氮封純水箱純水泵拋光樹脂床TOC殺菌器器超過濾器器生產(chǎn)工藝用水水箱水泵循環(huán)冷卻系統(tǒng)器冷卻器圖35 超純水制備工藝流程圖清洗裝置清洗裝置pH調(diào)節(jié)加阻垢劑(e) 排水項(xiàng)目采用雨污分流、清污分流的排水體制。研磨劑SiO230%,有機(jī)堿 70%水60t6t精磨劑SiO210%,(C6H10O5)n,1%無機(jī)堿水89%40t4t精磨劑SiO210%1t磨片劑Al2O3≧45%ZrO2≦33%SiO2≦20%Fe2O3≦%TiO2≦2%101t9t溶劑(CH3)2CHOH 56%C6H5CH3 24%固形分 20%4t混酸HF %HNO3 %CH3COOH %280t1t氫氟酸HF 49%80t1t單晶硅拋光片和硅外延片鹽酸HCl 35%12t1tH2O2H2O2 31%290t25tHNO363%54L5LH2SO498%3750L312LNaOHNaOH 48%68 t6tNaOHNaOH 3%25 t氨水NH4OH 28%180 t3t硅襯底材料%64萬片6萬片SiHCl312tHCl石英(配件)SiO2石墨(配件)CPH3B2H6H2%以上36萬m3N2%以上、%90萬m3工藝真空壓縮空氣87萬m3活性炭新鮮水自來水H2O1022045t——水網(wǎng)電電——電網(wǎng)燃料燃?xì)馓烊粴狻獨(dú)饩W(wǎng) 主要生產(chǎn)、公用及貯運(yùn)設(shè)備項(xiàng)目主要的生產(chǎn)、公用、貯運(yùn)設(shè)備見表35。外延爐石英管清洗:在外延生長中會(huì)在外延爐的石英管上沉積一些雜質(zhì)。堿洗:去除上一道工序在硅片表面形成的氧化膜。有99% 的SiHClPHB2H6參加反應(yīng)。檢測:查看硅片表面是否清潔,表面如不清潔則從新刷洗,直至清潔。此處產(chǎn)生粗拋廢液。腐蝕A是酸性腐蝕,用混酸溶液去除損傷層,產(chǎn)生氟化氫、NOX和廢混酸;腐蝕B是堿性腐蝕,用氫氧化鈉溶液去除損傷層,產(chǎn)生廢堿液。此工序產(chǎn)生氯化氫和廢鹽酸。此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氟酸。具體工藝流程如下:SPM清洗純水洗DHF清洗純水洗APM清洗HPM清洗純水洗DHF清洗純水洗圖32 RCA清洗工藝流程及產(chǎn)污節(jié)點(diǎn)圖硫酸、雙氧水氫氟酸氨水、雙氧水鹽酸、雙氧水氟化氫G SW4G SW5G SW6W7W8W9W10G SG S純水洗熱水洗純水洗水水水水水水水SPM清洗:用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液,SPM溶液具有很強(qiáng)的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液,并將有機(jī)污染物氧化成CO2和H2O。此過程產(chǎn)生廢磨片劑。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。切片:將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。綠化為美化環(huán)境、凈化空氣、降低噪聲,廠內(nèi)在空閑地帶、道路兩側(cè)進(jìn)行種草植樹,綠化面積51979 m2,%環(huán)保工程廢氣處理對(duì)工程中產(chǎn)生的各種廢氣采用技術(shù)可行、經(jīng)濟(jì)合理的治理措施,即酸性廢氣進(jìn)入采用堿液進(jìn)行淋洗;堿性廢氣采用酸液進(jìn)行淋洗;甲苯采用活性炭吸附;特性廢氣采用專門的濕式外延氣體清洗器處理,各種廢氣均達(dá)標(biāo)排放廢水處理公司建設(shè)一套廢水處理設(shè)施,針對(duì)不同水質(zhì),采用不同方式,對(duì)生產(chǎn)廢水進(jìn)行有效處理,達(dá)到接管標(biāo)準(zhǔn)后和生活污水進(jìn)入真州污水處理廠處理,經(jīng)處理達(dá)標(biāo)后,統(tǒng)一排入長江儀征段噪聲處理采用低噪聲設(shè)備、隔聲減震、綠化吸聲等措施固廢處理按照規(guī)定對(duì)產(chǎn)生的固體廢物進(jìn)行處置(c) 占地面積、廠區(qū)布置占地面積:本項(xiàng)目總占地面積133334m2,所占土地為儀征經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)用地。項(xiàng)目主體工程與設(shè)計(jì)能力情況見表31,公用及輔助工程的組成見表32。通過環(huán)境影響評(píng)價(jià),了解建設(shè)項(xiàng)目周圍的環(huán)境狀況,預(yù)測建成后對(duì)周圍水氣聲環(huán)境的影響程度和范圍,并提出防治污染措施,減緩建設(shè)項(xiàng)目對(duì)周圍環(huán)境的影響,為建成后的環(huán)境管理提供科學(xué)依據(jù)。本項(xiàng)目的建設(shè)有利于加速集成電路芯片主要材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。新加坡銀笛科技(控股)私人股份有限公司已在上海金橋出口加工區(qū)投資建設(shè)了外延片的生產(chǎn)基地,由于現(xiàn)目前國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場嚴(yán)重供不應(yīng)求,為了滿足國內(nèi)外半導(dǎo)體市場的需求,決定在江蘇省儀征經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)投資設(shè)立銀笛(揚(yáng)州)微電子有限公司,年產(chǎn)300萬硅拋光片、60萬硅外延片,主要生產(chǎn)4~12英寸的硅拋光片以及6~8英寸的硅外延片。我單位接受委托后,即認(rèn)真研究該項(xiàng)目的有關(guān)資料,并踏勘現(xiàn)場的社會(huì)、自然環(huán)境狀況,調(diào)查、收集有關(guān)工程現(xiàn)有狀況及擬建項(xiàng)目資料,通過對(duì)項(xiàng)目所在區(qū)域的環(huán)境特征和本項(xiàng)目的工程特征進(jìn)行深入分析,編寫了環(huán)境影響報(bào)告書。設(shè)施主要包括供水系統(tǒng)、循環(huán)冷卻水系統(tǒng)、純水系統(tǒng)、變配電系統(tǒng)、應(yīng)急電源、通信信息及生命安全系統(tǒng)、空調(diào)凈化系統(tǒng)、壓縮空氣系統(tǒng)、制冷及供熱系統(tǒng)、環(huán)保設(shè)施(廢水處理站、廢氣處理設(shè)施)、消防設(shè)施、勞動(dòng)保護(hù)安全設(shè)施以及室外工程等??照{(diào)系統(tǒng)為改善勞動(dòng)環(huán)境,滿足生產(chǎn)需要,設(shè)置一套中央空調(diào)系統(tǒng),由冷卻塔、加壓泵和冷凍機(jī)組成。 生產(chǎn)工藝流程及原輔料能源消耗(a) 生產(chǎn)工藝流程一、單晶硅拋光片制作固定切片快速退火倒角分檔檢測研磨磨片檢測腐蝕A/B分檔檢測粗拋光RCA清洗檢測純水洗檢測包裝出貨單晶硅棒水S1 W1S2 W2S3純水洗氮?dú)庋鯕饽テ瑒㏒4水W3水純水洗A:混酸B:堿液氮?dú)釧:G8 S11B:S12水A:W11B:W12純水洗水W13純水洗精拋光研磨劑S13精磨劑S14水W14RCA清洗W4~10S6~10G2~6圖31 單晶硅拋光片工藝流程及產(chǎn)污節(jié)點(diǎn)圖溶劑G1 S5清洗W15~21S15~19G9~13水W22生產(chǎn)工藝流程具體介紹如下:固定:將單晶硅棒固定在加工臺(tái)上。倒角:將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。研磨:用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度,達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。RCA清洗:通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。DHF清洗:用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中,同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。HPM清洗:由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM,用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。腐蝕A/B:經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后,晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層,通常采用化學(xué)腐蝕去除。粗拋光:使用一次研磨劑去除損傷層,一般去除量在10~20um。檢測:檢查硅片是否符合要求,如不符合則從新進(jìn)行拋光或RCA清洗。外延生長:外延爐經(jīng)氯化氫和氮?dú)獯祾咔逑春?,通入SiHCl3和H2,為了滿足硅片的電學(xué)性能,還要摻入50ppm的特種氣體PH3或B2H6,紅外加熱至1100~1200℃下,通過化學(xué)氣相沉積法在硅襯底材料上生長一層與襯底材料具有相同晶格排列的單晶硅,形成單晶硅外延片。此處產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。真空包裝:通過工藝真空系統(tǒng)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行真空包裝。運(yùn)輸主要以陸地運(yùn)輸為主。(c) 供熱為了滿足生產(chǎn)工藝中對(duì)熱源的需要以及解決冬天的采暖問題,本項(xiàng)目采用蒸汽供熱,年消耗的蒸汽10萬噸有開發(fā)區(qū)的供熱管網(wǎng)提供。清潔排水通過雨水管網(wǎng)排入附近河流。 污染源強(qiáng)及污染物排放量分析(1)大氣污染物產(chǎn)生及排放情況項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中排放的大氣污染物主要包括生產(chǎn)工藝廢氣:甲苯、異丙醇、HF、HCl、H2SONOx、NHSiHClPHB2H6。表37 擬建項(xiàng)目大氣污染物三本帳 單位t/a污染物產(chǎn)生量削減量排放量甲苯 異丙醇 HF HCl H2SO4 NOx NH3 SiHCl3 PH321062108106B2H621061062108?無組織排放廢氣;鹽酸、硝酸、硫酸;氨水采用3L或4L的PVC瓶存儲(chǔ);硅外延片制作需要的特種廢氣HCl 、SiHClPH3和B2H6用鋼瓶柜存儲(chǔ),鋼瓶柜自帶減壓裝置、閥門盤。表39 廢水種類及水量情況
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