電子科學(xué)與技術(shù)優(yōu)秀畢業(yè)論文-全文預(yù)覽
【正文】 ...................... 9 多光子非線性 Compton 散射頻率 ...................... 9 4 光敏電阻的性能分析 ..............................................................10 工作原理 ........................................ 10 理論分析 ........................................ 10 5 結(jié) 論 .................................................................................12 6 參考文獻(xiàn) ..............................................................................13 7 致 謝 ...................................................................................14 4 1 引 言 傳感器技術(shù)、通信技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)是信息產(chǎn)業(yè)的三大支柱，它們分別是智能系統(tǒng)的“感官” 、“神經(jīng)”和“大腦”。 本科畢業(yè)論文（理論研究 ） 題目 ： 基于非線性 Compton 散射下光敏電阻性能分析 系 院： 電子科學(xué)與工程系 學(xué)生姓名： 張東 學(xué) 號(hào)： 0406120211 專 業(yè)： 電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè) 年 級(jí)： 04級(jí) 完成日期： 5 月 20日 指導(dǎo)教師： 郝東山教授 1 摘 要 本文將從半導(dǎo)體理論出發(fā)，運(yùn)用電子與多光子非線性 Compton 散射模型 ，嘗試在考慮康普頓效應(yīng)的情況下對(duì)光敏電阻的工作原理 作 進(jìn)一步的分析。 關(guān)鍵詞： 光電效應(yīng)； 康普頓效應(yīng) ；非線性 Compton 散射模型 ； 光敏電阻 2 Abstract This article from the semiconductor theory, using of electronic and multiphoton nonlinear Compton scattering model, try to consider the circumstances of photosensitive resistance of the working principle for further analysis. Analysis shows that the strong light of the doping semiconductors, semiconductor and if the incident occurred in the electronic multiphoton nonlinear Compton scattering, while the current density semiconductor and electrical conductivity depends not only on the carrier concentration and surplus carrier concentration, But also scattered light on the role, Compton scattering to increase current density and electrical conductivity. Semiconductor depends on the rate of migration of the carrier scattering mechanism, Compton scattering to the semiconductor conductive capability has been enhanced. Key words： Photoelectric effect； Compton effect。 半導(dǎo)體傳感器種類繁多，它利用近百種物理效應(yīng)和材料的特性，具有類似于人眼、耳、鼻、舌、皮膚等多種感覺功能。 半導(dǎo)體光傳感器種類很多，可以通過光導(dǎo)效應(yīng)、光電效應(yīng)、光電流等實(shí)現(xiàn)光的檢出，如光敏電阻、光電二極管、光電三極管、光電池等。 光與 物質(zhì)相互作用時(shí)，有可能產(chǎn)生幾種不同的效應(yīng)，包括發(fā)光現(xiàn)象、光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)、產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)等。 本文將在 以 入射光子 頻率 的大小討論光電效應(yīng)與康普頓效應(yīng) 的基礎(chǔ)上，嘗試在考慮 多光子 康普頓效應(yīng)的情況下對(duì)光敏電阻的工作原理 作 進(jìn)一步的分析。 1905 年，愛因斯坦提出光量子假設(shè)并在此基礎(chǔ)上成功的解釋了光電效應(yīng)，給出 著名的光電效應(yīng)方程。 按照 量子論的觀點(diǎn)， 光照射物質(zhì)時(shí)，光子將會(huì)與原子實(shí)、 緊 束縛電子、 弱 束縛電子 即 自由電子發(fā)生相互作用 。 設(shè)入射光子的能 量為 0h? ， 電子的靜止質(zhì) 量為 0m ，則光子與電子的碰撞 時(shí) ，按照能 量 守恒定律，應(yīng)有如下關(guān)系 : 220 0 1h m c A A m c? ? ? ? ? （ 1） 式中， 1A 是使電子脫離原子的能量 ； A 是使電子跑出物體表面的逸出功 ； 0m 是電子的靜止能量； m 是電子的相對(duì)論質(zhì)量； c 是真空中的光速。 對(duì)于金屬內(nèi)部的自由電子 (原子最外層電子 ), 1A 可略去不計(jì)，于是 ， 式 （ 1） 可改寫為 : 6 2200h m c A mc? ? ? ? 2200 xh m c m c A E A? ? ? ? ? ? 2 2 20 (1 1 )m c v c A? ? ? （ 2） 其中 2mc 和 20mc 為散射電子的能量和靜止電子的能量； 220xE mc m c??； v 為散射電子的速度。 光子與電子的碰撞還要
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