如何看懂mosfet規(guī)格書-全文預(yù)覽
【正文】 前開(kāi)通實(shí)現(xiàn)的。選擇這類MOS時(shí)，我們應(yīng)該主要考慮Rds(on)，而不去關(guān)心其他參數(shù)。因此在這一類拓?fù)渲校覀冃枰x擇trr，Qrr小，也就是選擇帶有快恢復(fù)特性的體二極管的MOSFET。2). PFC、雙管正激等硬開(kāi)關(guān)：a) 對(duì)于PFC、雙管正激等常見(jiàn)硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洌琈OSFET沒(méi)有像反激那么高的VDS尖峰，通常MOSFET耐壓可以選500V, 600V。雪崩發(fā)生時(shí)，如果流過(guò)RB的雪崩電流達(dá)到一定的大小，VBE大于三極管VBE的開(kāi)啟電壓，寄生三極管開(kāi)通，這樣將會(huì)引起MOSFET無(wú)法正常關(guān)斷，從而損壞MOSFET。MOSFET要工作在SOA，即要讓MOSFET的結(jié)溫不超過(guò)Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC為瞬態(tài)熱阻.SOA圖中，D=0，即為single pulse，紅線附近的那條線上時(shí)間是10us即10^5s，從瞬態(tài)熱阻曲線上可以得到ZthJC=*10^2從以上得到的參數(shù)可以計(jì)算出：1處的Tj約為：25+88*59**10^2=℃2處的Tj約為：25+600***10^2=℃MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃時(shí)的SOA，但實(shí)際應(yīng)用中不會(huì)剛好就是在Tc=25或者80℃，這時(shí)候就得想辦法把25℃或者80℃時(shí)的SOA轉(zhuǎn)換成實(shí)際Tc時(shí)的曲線。因此選擇在 VDS 在低壓時(shí) Coss 較小的 MOSFET 可以讓 LLC 更加容易實(shí)現(xiàn) ZVS，死區(qū)時(shí)間也可以適當(dāng)減小，從而提升效率。（下圖紅色框中）3Rds(on)從MOSFET Rds(on)與Tj的圖表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正溫度系數(shù)，MOSFET的這一特性使得MOSFET易于并聯(lián)使用。工程師們要選用某個(gè)型號(hào)的 MOSFET，首先要看的就是規(guī)格書/datasheet，拿到 MOSFET 的規(guī)格書/datasheet 時(shí)，我們要怎么去理解那十幾頁(yè)到幾十頁(yè)的內(nèi)容呢？本帖的目的就是為了和大家分享一下我對(duì) MOSFET 規(guī)格書/datasheet 的理解和一些觀點(diǎn)，有什么錯(cuò)誤、不當(dāng)?shù)牡胤秸?qǐng)大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起學(xué)習(xí)。在電源論壇中，關(guān)于MOSFET 的帖子也應(yīng)有盡有：MOSFET 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)/工作原理、MOSFET 驅(qū)動(dòng)技術(shù)、MOSFET 選型、MOSFET 損耗計(jì)算等，論壇高手、大俠們都發(fā)表過(guò)各種牛貼，我也不敢在這些方面再多說(shuō)些什么了。2ID相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式（比如 20N6
醫(yī)療健康相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1