如何看懂mosfet規(guī)格書-全文預(yù)覽
【正文】 前開通實現(xiàn)的。選擇這類MOS時，我們應(yīng)該主要考慮Rds(on)，而不去關(guān)心其他參數(shù)。因此在這一類拓撲中，我們需要選擇trr，Qrr小，也就是選擇帶有快恢復(fù)特性的體二極管的MOSFET。2). PFC、雙管正激等硬開關(guān)：a) 對于PFC、雙管正激等常見硬開關(guān)拓撲，MOSFET沒有像反激那么高的VDS尖峰，通常MOSFET耐壓可以選500V, 600V。雪崩發(fā)生時，如果流過RB的雪崩電流達到一定的大小，VBE大于三極管VBE的開啟電壓，寄生三極管開通，這樣將會引起MOSFET無法正常關(guān)斷，從而損壞MOSFET。MOSFET要工作在SOA，即要讓MOSFET的結(jié)溫不超過Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC為瞬態(tài)熱阻.SOA圖中，D=0，即為single pulse，紅線附近的那條線上時間是10us即10^5s，從瞬態(tài)熱阻曲線上可以得到ZthJC=*10^2從以上得到的參數(shù)可以計算出：1處的Tj約為：25+88*59**10^2=℃2處的Tj約為：25+600***10^2=℃MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃時的SOA，但實際應(yīng)用中不會剛好就是在Tc=25或者80℃，這時候就得想辦法把25℃或者80℃時的SOA轉(zhuǎn)換成實際Tc時的曲線。因此選擇在 VDS 在低壓時 Coss 較小的 MOSFET 可以讓 LLC 更加容易實現(xiàn) ZVS，死區(qū)時間也可以適當減小，從而提升效率。（下圖紅色框中）3Rds(on)從MOSFET Rds(on)與Tj的圖表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正溫度系數(shù)，MOSFET的這一特性使得MOSFET易于并聯(lián)使用。工程師們要選用某個型號的 MOSFET，首先要看的就是規(guī)格書/datasheet，拿到 MOSFET 的規(guī)格書/datasheet 時，我們要怎么去理解那十幾頁到幾十頁的內(nèi)容呢？本帖的目的就是為了和大家分享一下我對 MOSFET 規(guī)格書/datasheet 的理解和一些觀點，有什么錯誤、不當?shù)牡胤秸埓蠹抑赋?，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起學習。在電源論壇中，關(guān)于MOSFET 的帖子也應(yīng)有盡有：MOSFET 結(jié)構(gòu)特點/工作原理、MOSFET 驅(qū)動技術(shù)、MOSFET 選型、MOSFET 損耗計算等，論壇高手、大俠們都發(fā)表過各種牛貼，我也不敢在這些方面再多說些什么了。2ID相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式（比如 20N6
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