存儲器系統(tǒng)(論文)-全文預(yù)覽
【正文】 線內(nèi)的間隔是一個原子大小。該小組發(fā)表在《納米技術(shù)》雜志上的研究報告稱，新的記憶材料構(gòu)建在硅材料表面上。一個量子磁盤相當(dāng)于我們現(xiàn)在的10萬～100萬個磁盤，而能源消耗卻降低了1萬倍。黃皮書確立了CDROM的物理結(jié)構(gòu)，而為了使其能在計算機上完全兼容，后來又制定了CDROM的文件系統(tǒng)標準，即ISO 9660。但要把CDDA作為計算機的存儲器，還必須解決兩個重要問題，即建立適合于計算機讀寫的盤的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，以及CDDA誤碼率必須從現(xiàn)有的109降低到1012以下，由此就產(chǎn)生了CDROM的黃皮書(Yellow Book)標準。由此，一種新型的激光唱盤誕生了。 LD激光視盤，就是通常所說的LCD，直徑較大，為12英寸，兩面都可以記錄信息，但是它記錄的信號是模擬信號。1972年，他們的研究獲得了成功，1978年投放市場。只讀型指光盤上的內(nèi)容是固定的，不能寫入、修改，只能讀取其中的內(nèi)容。圖5 硬盤存儲器l 軟盤另一種磁盤存儲設(shè)備是軟盤，從早期的8英寸軟盤、主要為數(shù)據(jù)交換和小容量備份之用。值得注意的是，近年來微硬盤的出現(xiàn)和快速發(fā)展為移動存儲提供了一種較為理想的存儲介質(zhì)。IBM還發(fā)明了PRML的信號讀取技術(shù)，使信號檢測的靈敏度大幅度提高，從而可以大幅度提高記錄密度。1968年，IBM公司提出“溫徹斯特/Winchester”技術(shù)，其要點是將高速旋轉(zhuǎn)的磁盤、磁頭及其尋道機構(gòu)等全部密封在一個無塵的封閉體中，形成一個頭盤組合件，與外界環(huán)境隔絕，避免了灰塵的污染，并采用小型化輕浮力的磁頭浮動塊，盤片表面涂潤滑劑，實行接觸起停，這是現(xiàn)代絕大多數(shù)硬盤的原型。 由于磁化相對來說是永久的，所以在系統(tǒng)電源關(guān)閉后，存儲的數(shù)據(jù)仍然保留。磁芯在導(dǎo)線上流過一定電流下會被磁化或者改變磁化方向，事先可以通過實驗和材料的工藝控制得到這個能夠讓磁芯磁化的電流最小閾值。50年代中期，磁鼓存儲器的容量已經(jīng)有10KB，但它最大的缺點就是利用率不高。磁鼓存儲器在50至60年代用作計算機的主要外存儲器。由磁帶機和磁帶結(jié)合的磁帶庫其存儲容量可以達到PB。磁帶存儲器以順序方式存取數(shù)據(jù)。用機械波波峰（1）和波谷（2）表示數(shù)據(jù)，當(dāng)機械波從汞柱一端開始，一定厚度的熔融太金屬汞通過一振動膜片沿著縱向從一端傳到另一端，并由傳感器將信息反饋到起點，利用汞獲取并延遲了數(shù)據(jù)，實現(xiàn)了存儲。正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。電容器充滿電后代表1(二進制)，未充電的代表0。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。閃存主要分為NAND型與NOR型。寫入程序后通常會用貼紙遮蓋透明窗，以防日久不慎曝光過量影響數(shù)據(jù)。適用于內(nèi)容固定不變、需大量生產(chǎn)的產(chǎn)品，例如電腦或嵌入式設(shè)備中的開機啟動，字形表，電子游戲機程序與卡帶等。只讀存儲器（ Read Only Memory，ROM ）是一種只能讀取數(shù)據(jù)的存儲器。s progress during the prospects for the development of the memory in the cloud puting and networking technology. Key Words:Memory,capacity, speed 目 錄摘要 I第一章 存儲器分類 1第二章 存儲器的發(fā)展歷史 31) 汞延遲線 32) 磁帶 33) 磁鼓 44) 磁芯 45) 磁盤 56) 光盤 77) 納米存儲 8第三章 存儲器系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 91) 基本存儲單元 92) 存儲體 93) 地址譯碼器 94) 片選與讀/寫控制電路 95) I/O電路 106) 其它外圍電路 10第四章 重點介紹 111) ROM和RAM的特點 112) 靜態(tài)和動態(tài)RAM 113) 存儲器芯片 114) 存儲器組構(gòu) 11第五章 存儲器的現(xiàn)狀與未來 13新技術(shù)介紹：IBM發(fā)表論文 介紹新型存儲系統(tǒng)“賽道存儲器” 13結(jié)束語 15參考文獻 16致 謝 17學(xué)習(xí)參考. . . . .第1章 存儲器分類 隨著計算機系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的發(fā)展和器件的發(fā)展，存儲器的種類日益繁多，分類的方法也有很多種，可按存儲器的存儲介質(zhì)劃分，按存取方式劃分，按存儲器在計算機中的作用劃分等。這篇文章簡述了存儲器的由汞延遲線、磁帶、磁鼓、磁芯、磁盤、光盤到納米存儲的7個發(fā)展階段,并介紹了其間存儲器的各個方面性能的進步，以及在云計算和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中存儲器的應(yīng)用和存儲器的發(fā)展前景。. . . . .摘要在現(xiàn)代計算機中，存儲器是其核心組成部分，對微型計算機也不例外。存儲系統(tǒng)的性能在計算機中的地位日趨重要。s development from the mercury delay line, tape, drum, core, disk, CDROM to the described all aspects of the memory39。2) 按存取方式分類按對存儲器的存取方式可分為隨機存取存儲器、只讀存儲器等。此存儲器單位制造成本最低，制造后也不需花工夫刻錄，但每次需生產(chǎn)一定的數(shù)量以上。因此，在封裝外殼上會預(yù)留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。閃存（Flash memory）的每一個記憶胞都具有一個“控制閘”與“浮動閘”，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行編程動作。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)?，F(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。 存儲器分類如下所示
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